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1. 发明专利

TWI386504B 成膜裝置及成膜方法有权
简体标题：成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TWI386504B
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：TW096121088
申请日：2007-06-12
申请人：芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：川又由雄 , KAWAMATA, YOSHIO
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3407 , C23C14/505 , H01J37/32568 , H01J37/3435

2. 发明专利

TW201612944A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201612944A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104131200
申请日：2015-09-22
申请人：芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：川又由雄 , KAWAMATA, YOSHIO
IPC分类号： H01J37/32
摘要：本發明的課題在於減少電漿的洩漏，且使蝕刻速率提高。電漿處理裝置包括筒形電極（10），所述筒形電極（10）在一端設有開口部（11），且內部被導入製程氣體。筒形電極（10）與施加高頻電壓的高頻電源連接。電漿處理裝置包括旋轉台（3）作為搬送部，旋轉台（3）使工件（W）通過筒形電極（10）的開口部（11）的正下方。電漿處理裝置還包括磁性構件（17），所述磁性構件（17）在開口部（11）的附近，形成包含與工件（W）的搬送方向大致平行的磁力線的磁場（B）。
简体摘要：本发明的课题在于减少等离子的泄漏，且使蚀刻速率提高。等离子处理设备包括筒形电极（10），所述筒形电极（10）在一端设有开口部（11），且内部被导入制程气体。筒形电极（10）与施加高频电压的高频电源连接。等离子处理设备包括旋转台（3）作为搬送部，旋转台（3）使工件（W）通过筒形电极（10）的开口部（11）的正下方。等离子处理设备还包括磁性构件（17），所述磁性构件（17）在开口部（11）的附近，形成包含与工件（W）的搬送方向大致平行的磁力线的磁场（B）。

3. 发明专利

TW202015496A 等離子體處理裝置审中-公开
简体标题：等离子体处理设备
公开(公告)号：TW202015496A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108145871
申请日：2018-03-29
申请人：日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：川又由雄 , KAWAMATA, YOSHIO , 神戸優 , KAMBE, YU
IPC分类号： H05H7/14 , C23C14/56 , H01L21/67
摘要：等離子體處理裝置包括：搬送部，在真空容器中具有旋轉體，通過旋轉體而以圓周的搬送路徑循環搬送工件；筒部，在朝向真空容器的內部的搬送路徑的方向上延伸存在；窗構件，將導入有工藝氣體的氣體空間與外部之間加以劃分；以及天線，通過施加電力而在氣體空間的工藝氣體中產生電感耦合等離子體；並且筒部具有設置有開口且朝向旋轉體的對向部，在對向部與旋轉體之間具有隔離壁，所述隔離壁相對於對向部及旋轉體而非接觸且相對於真空容器而以固定不動的方式介隔存在，在隔離壁形成有與開口對向且調節等離子體處理的範圍的調節孔。
简体摘要：等离子体处理设备包括：搬送部，在真空容器中具有旋转体，通过旋转体而以圆周的搬送路径循环搬送工件；筒部，在朝向真空容器的内部的搬送路径的方向上延伸存在；窗构件，将导入有工艺气体的气体空间与外部之间加以划分；以及天线，通过施加电力而在气体空间的工艺气体中产生电感耦合等离子体；并且筒部具有设置有开口且朝向旋转体的对向部，在对向部与旋转体之间具有隔离壁，所述隔离壁相对于对向部及旋转体而非接触且相对于真空容器而以固定不动的方式介隔存在，在隔离壁形成有与开口对向且调节等离子体处理的范围的调节孔。

4. 发明专利

TWI671785B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI671785B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW106113326
申请日：2015-09-22
申请人：日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：川又由雄 , KAWAMATA,YOSHIO
IPC分类号： H01J37/32

5. 发明专利

TWI688032B 真空處理裝置及托盤有权
简体标题：真空处理设备及托盘
公开(公告)号：TWI688032B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW108109663
申请日：2019-03-21
申请人：日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：川又由雄 , KAWAMATA, YOSHIO
IPC分类号： H01L21/673 , C23C14/50

6. 发明专利

TW201842533A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201842533A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107110591
申请日：2018-03-28
申请人：日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：川又由雄 , KAWAMATA, YOSHIO , 小野大祐 , ONO, DAISUKE
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/673
摘要：本發明提供一種電漿處理裝置，其可根據旋轉體的表面的經過速度不同的位置來對藉由旋轉體而循環搬送的工件進行所期望的電漿處理。本發明包括：真空容器；旋轉體；藉由旋轉體的旋轉而以圓周的搬送路徑循環搬送工件的搬送部；筒部，在一端的開口朝向真空容器的內部的搬送路徑的方向上延伸存在；窗部，將筒部的氣體空間與外部之間加以劃分；供給部，將製程氣體供給至氣體空間；以及天線，藉由施加電力而在氣體空間的製程氣體中產生對經過搬送路徑的工件進行電漿處理的電感耦合電漿，且具有調節部。
简体摘要：本发明提供一种等离子处理设备，其可根据旋转体的表面的经过速度不同的位置来对借由旋转体而循环搬送的工件进行所期望的等离子处理。本发明包括：真空容器；旋转体；借由旋转体的旋转而以圆周的搬送路径循环搬送工件的搬送部；筒部，在一端的开口朝向真空容器的内部的搬送路径的方向上延伸存在；窗部，将筒部的气体空间与外部之间加以划分；供给部，将制程气体供给至气体空间；以及天线，借由施加电力而在气体空间的制程气体中产生对经过搬送路径的工件进行等离子处理的电感耦合等离子，且具有调节部。

7. 发明专利

TW201612346A 成膜裝置及成膜基板製造方法审中-公开
简体标题：成膜设备及成膜基板制造方法
公开(公告)号：TW201612346A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104131974
申请日：2015-09-30
申请人：芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：川又由雄 , KAWAMATA, YOSHIO
IPC分类号： C23C14/34 , H01J37/34 , C23C14/54
摘要：本發明提供一種小型且省空間的成膜裝置及成膜基板製造方法，無論工件的形狀如何，均能夠高速且高效率地以均勻的厚度成膜。本發明的成膜裝置包括：腔室，被導入濺射氣體；搬送部，設置在腔室內，且具有循環搬送工件的搬送路徑；靶，由堆積在工件上而成為膜的成膜材料形成，且設置在與搬送路徑隔開並對向的位置；第一電源部，通過對靶施加電力，而使濺射氣體電漿化，且使成膜材料堆積在工件上；以及電源控制部，在工件利用搬送部而通過供成膜材料堆積的區域即成膜區域期間，根據工件相對於靶的位置的變化，使第一電源部對靶施加的電力變化。
简体摘要：本发明提供一种小型且省空间的成膜设备及成膜基板制造方法，无论工件的形状如何，均能够高速且高效率地以均匀的厚度成膜。本发明的成膜设备包括：腔室，被导入溅射气体；搬送部，设置在腔室内，且具有循环搬送工件的搬送路径；靶，由堆积在工件上而成为膜的成膜材料形成，且设置在与搬送路径隔开并对向的位置；第一电源部，通过对靶施加电力，而使溅射气体等离子化，且使成膜材料堆积在工件上；以及电源控制部，在工件利用搬送部而通过供成膜材料堆积的区域即成膜区域期间，根据工件相对于靶的位置的变化，使第一电源部对靶施加的电力变化。

8. 发明专利

TWI418646B 濺鍍成膜裝置有权
简体标题：溅镀成膜设备
公开(公告)号：TWI418646B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：TW099108227
申请日：2010-03-19
申请人：芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：川又由雄 , KAWAMATA, YOSHIO
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/50 , C23C14/0036 , H01J37/32541 , H01J37/3408

9. 发明专利

TWI692797B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI692797B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW107110591
申请日：2018-03-28
申请人：日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：川又由雄 , KAWAMATA, YOSHIO , 小野大祐 , ONO, DAISUKE
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/673

10. 发明专利

TW201838486A 等離子體處理裝置审中-公开
简体标题：等离子体处理设备
公开(公告)号：TW201838486A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW107110875
申请日：2018-03-29
申请人：日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：川又由雄 , KAWAMATA, YOSHIO , 神戸優 , KAMBE, YU
IPC分类号： H05H7/14 , C23C14/56 , H01L21/67
摘要：等離子體處理裝置包括：搬送部，在真空容器中具有旋轉體，通過旋轉體而以圓周的搬送路徑循環搬送工件；筒部，在朝向真空容器的內部的搬送路徑的方向上延伸存在；窗構件，將導入有工藝氣體的氣體空間與外部之間加以劃分；以及天線，通過施加電力而在氣體空間的工藝氣體中產生電感耦合等離子體；並且筒部具有設置有開口且朝向旋轉體的對向部，在對向部與旋轉體之間具有隔離壁，所述隔離壁相對於對向部及旋轉體而非接觸且相對於真空容器而以固定不動的方式介隔存在，在隔離壁形成有與開口對向且調節等離子體處理的範圍的調節孔。
简体摘要：等离子体处理设备包括：搬送部，在真空容器中具有旋转体，通过旋转体而以圆周的搬送路径循环搬送工件；筒部，在朝向真空容器的内部的搬送路径的方向上延伸存在；窗构件，将导入有工艺气体的气体空间与外部之间加以划分；以及天线，通过施加电力而在气体空间的工艺气体中产生电感耦合等离子体；并且筒部具有设置有开口且朝向旋转体的对向部，在对向部与旋转体之间具有隔离壁，所述隔离壁相对于对向部及旋转体而非接触且相对于真空容器而以固定不动的方式介隔存在，在隔离壁形成有与开口对向且调节等离子体处理的范围的调节孔。

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