专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201618191A 半導體元件及其製作方法审中-公开
简体标题：半导体组件及其制作方法
公开(公告)号：TW201618191A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW103138083
申请日：2014-11-03
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：楊玉如 , YANG, YU RU , 曾嘉勳 , TSENG, CHIA HSUN
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/02186 , H01L21/02244 , H01L21/28088 , H01L21/82345 , H01L29/4966 , H01L29/517
摘要：本發明較佳實施例揭露一種製作半導體元件的方法。首先提供一基底，該基底上設有一高介電常數介電層，然後形成一第一功函數層於高介電常數介電層上，之後再形成一第一含氧層於該第一功函數層上。
简体摘要：本发明较佳实施例揭露一种制作半导体组件的方法。首先提供一基底，该基底上设有一高介电常数介电层，然后形成一第一功函数层于高介电常数介电层上，之后再形成一第一含氧层于该第一功函数层上。

2. 发明专利

TW201614717A 半導體元件及其製作方法审中-公开
简体标题：半导体组件及其制作方法
公开(公告)号：TW201614717A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW103135423
申请日：2014-10-13
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：楊智偉 , YANG, CHIH WEI , 劉玉峯 , LIU, YU FENG , 柯建村 , KE, JIAN CUN , 許家福 , HSU, CHIA FU , 劉恩銓 , LIOU, EN CHIUAN , 傅思逸 , FU, SSU I , 許啟茂 , HSU, CHI MAO , 何念葶 , HO, NIEN TING , 楊玉如 , YANG, YU RU , 王裕平 , WANG, YU PING , 賴建銘 , LAI, CHIEN MING , 陳奕文 , CHEN, YI WEN , 曾于庭 , TSENG, YU TING , 蔡雅卉 , TSAI, YA HUEI , 黃建中 , HUANG, CHIEN CHUNG , 謝宗殷 , HSIEH, TSUNG YIN , 吳宏益 , WU, HUNG YI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/4966 , H01L21/28088 , H01L21/321 , H01L21/823431 , H01L21/82345 , H01L27/088 , H01L29/517 , H01L29/66545
摘要：本發明揭露一種製作半導體元件的方法。首先提供一基底，該基底具有一層間介電層設於其上，然後形成一第一凹槽、一第二凹槽以及一第三凹槽於層間介電層中，形成一材料層於層間介電層上並填入第一凹槽、第二凹槽及第三凹槽，對第一凹槽內之材料層進行一第一處理製程以及對第一凹槽內與第二凹槽內之材料層進行一第二處理製程。
简体摘要：本发明揭露一种制作半导体组件的方法。首先提供一基底，该基底具有一层间介电层设于其上，然后形成一第一凹槽、一第二凹槽以及一第三凹槽于层间介电层中，形成一材料层于层间介电层上并填入第一凹槽、第二凹槽及第三凹槽，对第一凹槽内之材料层进行一第一处理制程以及对第一凹槽内与第二凹槽内之材料层进行一第二处理制程。

3. 发明专利

TW395039B 去除光阻時避免蝕刻金屬矽化物之方法失效
简体标题：去除光阻时避免蚀刻金属硅化物之方法
公开(公告)号：TW395039B
公开(公告)日：2000-06-21
申请号：TW087110942
申请日：1998-07-07
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：楊玉如 , 盧宏柏
IPC分类号： H01L
摘要：一種用於在去除一光阻層時，防止矽化金屬層被蝕刻之方法，其中的光阻層位於一半導體晶圓上，此方法包含下列步驟：首先將此半導體晶圓浸入一混合溶液中，此混合溶液含有硫酸(H2SO4)，且溫度維持在約為攝氏75度至攝氏8O度之間，此半導體晶圓包含複數個接觸窗，此矽化金屬層由此複數個接觸窗中的一個所曝露。接著，維持此混合溶液之溫度大約十至十五分鐘，以去除此光阻層。
简体摘要：一种用于在去除一光阻层时，防止硅化金属层被蚀刻之方法，其中的光阻层位于一半导体晶圆上，此方法包含下列步骤：首先将此半导体晶圆浸入一混合溶液中，此混合溶液含有硫酸(H2SO4)，且温度维持在约为摄氏75度至摄氏8O度之间，此半导体晶圆包含复数个接触窗，此硅化金属层由此复数个接触窗中的一个所曝露。接着，维持此混合溶液之温度大约十至十五分钟，以去除此光阻层。

4. 发明专利

TW477050B 避免產生鋁金屬鬚晶缺陷於鎢插塞結構製程中的方法有权
简体标题：避免产生铝金属须晶缺陷于钨插塞结构制程中的方法
公开(公告)号：TW477050B
公开(公告)日：2002-02-21
申请号：TW089106681
申请日：2000-04-11
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：黃國峰 , 楊玉如
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種於鎢插塞結構製程中，避免產生鋁金屬鬚晶缺陷的方法。首先，提供一半導體底材。按著，蝕刻半導體底材以形成接觸窗，係藉第一九阻層為蝕刻光罩。於是，沉積一阻障層於接觸窗表面上與半導體底材表面上。繼而沉積一鎢金屬層於接觸窗之阻樟層上以形成一鎢插塞(W-Plug)。再次，濺鍍一含鈦保護層於鎢插塞表面上與阻障層表面上。形成一鋁金屬層於含鈦保護層表面上。最後，形成一氮化鈦抗反射層於鋁金屬層表面上，藉以完成鎢插塞結構，避免產生鋁金屬鬚晶缺陷。
简体摘要：本发明提供一种于钨插塞结构制程中，避免产生铝金属须晶缺陷的方法。首先，提供一半导体底材。按着，蚀刻半导体底材以形成接触窗，系藉第一九阻层为蚀刻光罩。于是，沉积一阻障层于接触窗表面上与半导体底材表面上。继而沉积一钨金属层于接触窗之阻樟层上以形成一钨插塞(W-Plug)。再次，溅镀一含钛保护层于钨插塞表面上与阻障层表面上。形成一铝金属层于含钛保护层表面上。最后，形成一氮化钛抗反射层于铝金属层表面上，借以完成钨插塞结构，避免产生铝金属须晶缺陷。

5. 发明专利

TW369702B 在半導體晶圓接觸窗中形成阻障層的方法失效
简体标题：在半导体晶圆接触窗中形成阻障层的方法
公开(公告)号：TW369702B
公开(公告)日：1999-09-11
申请号：TW087110945
申请日：1998-07-07
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：林振堂 , 楊玉如 , 盧宏柏
IPC分类号： H01L
摘要：一種在半導體晶圓接觸窗中形成阻障層的方法，此方法包含下列步驟：首先形成一導電層於此半導體晶圓之表面上，以對於此裸露的含矽層增加歐姆接觸(ohmic contact)的能力，此半導體晶圓包含一介電層，此介電層位於一含矽層上，此含矽層的一部份為此接觸窗所裸露。形成此導電層時，所用的方法並不是該化學氣相沉積法。藉此，一第一部份的此導電層形成於此介電層上一第二部分的一第二部分形成於此裸露的含矽層上。接著去除第一部份的導電層以裸露介電層。最後，形成阻障層於此介電層以及第一部份的導電層上，以阻止此含矽層裸露，此阻障層是以一化學氣相沉積法所形成。
简体摘要：一种在半导体晶圆接触窗中形成阻障层的方法，此方法包含下列步骤：首先形成一导电层于此半导体晶圆之表面上，以对于此裸露的含硅层增加欧姆接触(ohmic contact)的能力，此半导体晶圆包含一介电层，此介电层位于一含硅层上，此含硅层的一部份为此接触窗所裸露。形成此导电层时，所用的方法并不是该化学气相沉积法。借此，一第一部份的此导电层形成于此介电层上一第二部分的一第二部分形成于此裸露的含硅层上。接着去除第一部份的导电层以裸露介电层。最后，形成阻障层于此介电层以及第一部份的导电层上，以阻止此含硅层裸露，此阻障层是以一化学气相沉积法所形成。

6. 发明专利

TW362261B 接觸窗插塞的製造方法失效
简体标题：接触窗插塞的制造方法
公开(公告)号：TW362261B
公开(公告)日：1999-06-21
申请号：TW086118830
申请日：1997-12-13
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：陳力俊 , 彭遠清 , 楊玉如 , 謝文益 , 謝詠芬
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76856 , H01L21/76843
摘要：一種接觸窗插塞的製造方法，在以傳統方法於接觸窗形成鈦金屬黏著層之後，於氮氣的環境之下，進行低溫回火步驟，使鈦金屬黏著層表面的金屬鈦氮化反應為一氮化鈦薄層，可以避免後續製程使用準直管以沈積氮化鈦阻障層時，難以於接觸窗側壁形成一氮化鈦阻障層所造成之影響。
简体摘要：一种接触窗插塞的制造方法，在以传统方法于接触窗形成钛金属黏着层之后，于氮气的环境之下，进行低温回火步骤，使钛金属黏着层表面的金属钛氮化反应为一氮化钛薄层，可以避免后续制程使用准直管以沉积氮化钛阻障层时，难以于接触窗侧壁形成一氮化钛阻障层所造成之影响。

8. 发明专利

TWI520226B 半導體元件與製作方法有权
简体标题：半导体组件与制作方法
公开(公告)号：TWI520226B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW101114674
申请日：2012-04-25
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：賴國智 , LAI, KUO CHIH , 許家彰 , HSU, CHIA CHANG , 何念葶 , HO, NIEN TING , 廖柏翔 , LIAO, BOR SHYANG , 黃淑旻 , HUANG, SHU MIN , 鄭閔中 , CHENG, MIN CHUNG , 楊玉如 , YANG, YU RU
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/3205 , H01L29/78

9. 发明专利

TWI677098B 鰭狀場效電晶體及其製造方法有权
简体标题：鳍状场效应管及其制造方法
公开(公告)号：TWI677098B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW104132649
申请日：2015-10-02
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：江懷慈 , CHIANG, HUAI-TZU , 林勝豪 , LIN, SHENG-HAO , 李皞明 , LEE, HAO-MING , 楊玉如 , YANG, YU-RU , 黃世賢 , HUANG, SHIH-HSIEN , 陳建宏 , CHEN, CHIEN-HUNG , 吳俊元 , WU, CHUN-YUAN , 蔡成宗 , TSAI, CHENG-TZUNG
IPC分类号： H01L29/43 , H01L29/78

10. 发明专利

TWI632617B 半導體元件及其製作方法有权
简体标题：半导体组件及其制作方法
公开(公告)号：TWI632617B
公开(公告)日：2018-08-11
申请号：TW103138083
申请日：2014-11-03
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：楊玉如 , YANG, YU RU , 曾嘉勳 , TSENG, CHIA HSUN
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式