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1. 发明专利

TWI667883B 一種積體電路及方法有权
简体标题：一种集成电路及方法
公开(公告)号：TWI667883B
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：TW107110298
申请日：2018-03-26
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：盧建邦 , LU, CHIEN-PANG , 張裕東 , CHANG, YU-TUNG , 楊喻名 , YANG, YU-MING
IPC分类号： H03K19/096

2. 发明专利

TW201701588A 饋通信號傳輸裝置與方法以及相關饋通信號傳輸電路审中-公开
简体标题：馈通信号传输设备与方法以及相关馈通信号传输电路
公开(公告)号：TW201701588A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105119830
申请日：2016-06-24
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：盧建邦 , LU, CHIEN-PANG , 張裕東 , CHANG, YU-TUNG
IPC分类号： H03K17/296 , H03K17/00 , H03K19/00
摘要：一種饋通信號傳輸裝置/方法以及相關饋通信號傳輸電路，饋通信號傳輸裝置包含複數個饋通信號傳輸電路，其中每一饋通信號傳輸電路包含至少一子電路，其中當該子電路執行饋通信號傳輸時，該子電路保持在一上電狀態，且該子電路包含:一用於饋通常開中繼器；以及一常開控制細胞，當該子電路執行饋通信號傳輸時，維持該子電路的該上電狀態；其中該複數個饋通信號傳輸電路的複數個子電路位於該單一矽的一晶片區域的複數個基於網格的位置。本發明的饋通信號傳輸裝置/方法以及相關饋通信號傳輸電路可按需斷電，極大降低漏電功耗。
简体摘要：一种馈通信号传输设备/方法以及相关馈通信号传输电路，馈通信号传输设备包含复数个馈通信号传输电路，其中每一馈通信号传输电路包含至少一子电路，其中当该子电路运行馈通信号传输时，该子电路保持在一上电状态，且该子电路包含:一用于馈通常开中继器；以及一常开控制细胞，当该子电路运行馈通信号传输时，维持该子电路的该上电状态；其中该复数个馈通信号传输电路的复数个子电路位于该单一硅的一芯片区域的复数个基于网格的位置。本发明的馈通信号传输设备/方法以及相关馈通信号传输电路可按需断电，极大降低漏电功耗。

3. 发明专利

TWI584588B 饋通信號傳輸裝置與方法以及相關饋通信號傳輸電路有权
简体标题：馈通信号传输设备与方法以及相关馈通信号传输电路
公开(公告)号：TWI584588B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW105119830
申请日：2016-06-24
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：盧建邦 , LU, CHIEN-PANG , 張裕東 , CHANG, YU-TUNG
IPC分类号： H03K17/296 , H03K17/00 , H03K19/00

4. 发明专利

TWI371783B 用於減少微負載效應的半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE FOR ALLEVIATING MICRO-LOADING EFFECT 有权
简体标题：用于减少微负载效应的半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE FOR ALLEVIATING MICRO-LOADING EFFECT
公开(公告)号：TWI371783B
公开(公告)日：2012-09-01
申请号：TW097116986
申请日：2008-05-08
申请人：聯發科技股份有限公司
发明人：李東興 , 楊明宗 , 鄭道 , 柯慶忠 , 張添昌 , 張裕東
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7848 , H01L21/02532 , H01L21/02658 , H01L21/823412 , H01L21/823418 , H01L29/165 , H01L29/66628 , H01L29/66636
摘要：一種用於減少微負載效應的半導體裝置，包含：半導體基體，其上具有位於內部區域以及外部區域之間之中間環形區域；矽鍺裝置，位於半導體基體上之內部區域內；以及複數個第一假鍍圖案，位於半導體基體上之中間環形區域內，其中至少一第一假鍍圖案包含矽鍺。
简体摘要：一种用于减少微负载效应的半导体设备，包含：半导体基体，其上具有位于内部区域以及外部区域之间之中间环形区域；硅锗设备，位于半导体基体上之内部区域内；以及复数个第一假镀图案，位于半导体基体上之中间环形区域内，其中至少一第一假镀图案包含硅锗。

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