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1. 发明专利

TW202030649A 使用3-閘極非揮發性記憶體單元陣列之神經網路分類器审中-公开
简体标题：使用3-闸极非挥发性内存单元数组之神经网络分类器
公开(公告)号：TW202030649A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108145706
申请日：2019-12-13
申请人：美商超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：陳曉萬 , TRAN, HIEU VAN , 利姆克史蒂芬 , LEMKE, STEVEN , 蒂瓦里維平 , TIWARI, VIPIN , 杜恩漢 , DO, NHAN , 萊坦馬克 , REITEN, MARK
IPC分类号： G06N3/063 , H01L25/18
摘要：一種具有突觸的神經網路裝置，該等突觸具有記憶體單元，每個記憶體單元具有一浮動閘極及一第一閘極，其位於設置在源極區域與汲極區域之間之一通道區域的第一部分及第二部分上方，以及一第二閘極，其位於該浮動閘極或該源極區域上方。第一線各自將一列記憶體單元中之該等第一閘極電連接在一起，第二線各自將一列記憶體單元中之該等第二閘極電連接在一起，第三線各自將一行記憶體單元中之該等源極區域電連接在一起，以及第四線各自將一行記憶體單元中之該等汲極區域電連接在一起。該等突觸接收複數個第一輸入作為該等第一或第二線上之電壓，並且提供複數個第一輸出作為該等第三或第四線上之電流。
简体摘要：一种具有突触的神经网络设备，该等突触具有内存单元，每个内存单元具有一浮动闸极及一第一闸极，其位于设置在源极区域与汲极区域之间之一信道区域的第一部分及第二部分上方，以及一第二闸极，其位于该浮动闸极或该源极区域上方。第一线各自将一列内存单元中之该等第一闸极电连接在一起，第二线各自将一列内存单元中之该等第二闸极电连接在一起，第三线各自将一行内存单元中之该等源极区域电连接在一起，以及第四线各自将一行内存单元中之该等汲极区域电连接在一起。该等突触接收复数个第一输入作为该等第一或第二在线之电压，并且提供复数个第一输出作为该等第三或第四在线之电流。

2. 发明专利

TW202026955A 用於使用在深度學習神經網路中之類比神經記憶體系統中的記憶體單元之溫度與洩漏補償审中-公开
简体标题：用于使用在深度学习神经网络中之模拟神经内存系统中的内存单元之温度与泄漏补偿
公开(公告)号：TW202026955A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108129667
申请日：2019-08-20
申请人：美商超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：陳曉萬 , TRAN, HIEU VAN , 利姆克史蒂芬 , LEMKE, STEVEN , 杜恩漢 , DO, NHAN , 蒂瓦里維平 , TIWARI, VIPIN , 萊坦馬克 , REITEN, MARK
IPC分类号： G06N3/06
摘要：揭露用於提供在深度學習神經網路中使用之類比神經形態記憶體系統用之溫度補償與洩漏補償的許多具體例。用於提供溫度補償的具體例實施用於記憶體系統中之裝置、參考記憶體單元或被選記憶體單元的離散或連續適應斜率補償及再正規化。用於在記憶體系統中之記憶體單元內提供洩漏補償的具體例實施適應抹除閘極耦合或者控制閘極端子上之負偏壓、字元線端子上之負偏壓或源極線端子上之偏壓的施加。
简体摘要：揭露用于提供在深度学习神经网络中使用之模拟神经形态内存系统用之温度补偿与泄漏补偿的许多具体例。用于提供温度补偿的具体例实施用于内存系统中之设备、参考内存单元或被选内存单元的离散或连续适应斜率补偿及再范式。用于在内存系统中之内存单元内提供泄漏补偿的具体例实施适应抹除闸极耦合或者控制闸极端子上之负偏压、字符线端子上之负偏压或源极线端子上之偏压的施加。

3. 发明专利

TWI683110B 用於基於非揮發性記憶體單元陣列熵產生隨機數之系統及方法有权
简体标题：用于基于非挥发性内存单元数组熵产生随机数之系统及方法
公开(公告)号：TWI683110B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：TW107109424
申请日：2018-03-20
申请人：美商超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：蒂瓦里維平 , TIWARI, VIPIN , 萊坦馬克 , REITEN, MARK
IPC分类号： G01R19/00 , G06F1/02 , G06F17/10 , G06F17/11 , G06N5/02 , H01L27/115

4. 发明专利

TW201903419A 用於基於非揮發性記憶體單元陣列熵產生隨機數之系統及方法审中-公开
简体标题：用于基于非挥发性内存单元数组熵产生随机数之系统及方法
公开(公告)号：TW201903419A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107109424
申请日：2018-03-20
申请人：美商超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：蒂瓦里維平 , TIWARI, VIPIN , 萊坦馬克 , REITEN, MARK
IPC分类号： G01R19/00 , G06F1/02 , G06F17/10 , G06F17/11 , G06N5/02 , H01L27/115
摘要：一種記憶體裝置，其產生唯一識別符，並包括複數個記憶體單元及控制器。該等記憶體單元之各者包括第一區、第二區、浮閘、及選擇閘，第一區及第二區形成在半導體基材中，其中基材之通道區在第一區與第二區之間延伸，浮閘設置在通道區之第一部份上方並與其絕緣，選擇閘設置在通道區之第二部份上方並與其絕緣。該控制器經組態以：施加一或多個正電壓至該等記憶體單元之第一區，同時該等記憶體單元係於一次臨限狀態，以供產生通過通道區之各者的漏電流；測量漏電流；及基於測量之漏電流產生一數字。
简体摘要：一种内存设备，其产生唯一识别符，并包括复数个内存单元及控制器。该等内存单元之各者包括第一区、第二区、浮闸、及选择闸，第一区及第二区形成在半导体基材中，其中基材之信道区在第一区与第二区之间延伸，浮闸设置在信道区之第一部份上方并与其绝缘，选择闸设置在信道区之第二部份上方并与其绝缘。该控制器经组态以：施加一或多个正电压至该等内存单元之第一区，同时该等内存单元系于一次临限状态，以供产生通过信道区之各者的漏电流；测量漏电流；及基于测量之漏电流产生一数字。

5. 发明专利

TWI685848B 用於在非揮發性記憶體陣列中管理峰值電力需求及雜訊的系統及方法有权
简体标题：用于在非挥发性内存数组中管理峰值电力需求及噪声的系统及方法
公开(公告)号：TWI685848B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：TW108107677
申请日：2019-03-07
申请人：美商超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：蒂瓦里維平 , TIWARI, VIPIN , 陳曉萬 , TRAN, HIEU VAN , 杜恩漢 , DO, NHAN , 萊坦馬克 , REITEN, MARK
IPC分类号： G11C16/24

6. 发明专利

TW201432886A 三維快閃記憶體系統审中-公开
简体标题：三维闪存系统
公开(公告)号：TW201432886A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102137493
申请日：2013-10-17
申请人：超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：陳曉萬 , TRAN, HIEU VAN , 阮雄國 , NGUYEN, HUNG QUOC , 萊坦馬克 , REITEN, MARK
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： G11C29/76 , G11C5/02 , G11C5/06 , G11C7/04 , G11C16/0483 , G11C16/06 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C16/30 , G11C16/3404 , G11C29/021 , G11C29/022 , G11C29/028 , G11C29/1201 , G11C29/26 , G11C2213/71 , H01L25/0652 , H01L25/18 , H01L2224/13025 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/15311
摘要：係揭露一種三維快閃記憶體系統。
简体摘要：系揭露一种三维闪存系统。

7. 发明专利

TW201802817A 用於形成電阻式隨機存取記憶體(RRAM)單元細絲的多階電壓审中-公开
简体标题：用于形成电阻式随机存取内存(RRAM)单元细丝的多阶电压
公开(公告)号：TW201802817A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106106805
申请日：2017-03-02
申请人：超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC. , 新加坡科技研究局 , AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH
发明人：周峰 , ZHOU, FENG , 呂祥 , LIU, XIAN , 陳曉萬 , TRAN, HIEU VAN , 阮雄國 , NGUYEN, HUNG QUOC , 杜恩漢 , DO, NHAN , 萊坦馬克 , REITEN, MARK , 陳志賢 , CHEN, ZHIXIAN , 王新朋 , WANG, XINPENG , 盧國強 , LO, GUO-QIANG
IPC分类号： G11C13/00 , H01L45/00
CPC分类号： G11C13/0007 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/16
摘要：本文揭示一種記憶體裝置及方法，其包含：一金屬氧化物材料，其設置於第一導電電極與第二導電電極之間且電性接觸該第一導電電極與該第二導電電極；以及一電壓源，其經組態以跨該第一電極與該第二電極來施加時間上間隔的複數個電壓脈衝。對於該等電壓脈衝之各者，在該電壓脈衝期間，該電壓的一振幅增加。
简体摘要：本文揭示一种内存设备及方法，其包含：一金属氧化物材料，其设置于第一导电电极与第二导电电极之间且电性接触该第一导电电极与该第二导电电极；以及一电压源，其经组态以跨该第一电极与该第二电极来施加时间上间隔的复数个电压脉冲。对于该等电压脉冲之各者，在该电压脉冲期间，该电压的一振幅增加。

8. 发明专利

TW201741943A 使用非揮發性記憶體陣列之深度學習類神經網路分類器审中-公开
简体标题：使用非挥发性内存数组之深度学习类神经网络分类器
公开(公告)号：TW201741943A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW106116163
申请日：2017-05-16
申请人：超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC. , 加州大學董事會 , THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
发明人：巴亞特法諾德 M. , BAYAT, FARNOOD MERRIKH , 郭昕婕 , GUO, XINJIE , 史楚寇夫迪米崔 , STRUKOV, DMITRI , 杜恩漢 , DO, NHAN , 陳曉萬 , TRAN, HIEU VAN , 蒂瓦里維平 , TIWARI, VIPIN , 萊坦馬克 , REITEN, MARK
IPC分类号： G06N3/06 , H01L21/8239 , G11C7/18 , G11C8/14
CPC分类号： G06N3/04 , G06F3/061 , G06F3/0655 , G06F3/0688 , G06N3/0454 , G06N3/063
摘要：一種人工神經網路裝置，其將一或多個非揮發性記憶體陣列用作突觸。該等突觸經組態來接收輸入且自該等輸入產生輸出。神經元經組態來接收該等輸出。該等突觸包括複數個記憶體單元，其中該等記憶體單元之各者包括形成於半導體基材中之隔開的源極區及汲極區，通道區在該源極區與該汲極區之間延伸；一浮閘，其設置於該通道區之一第一部分上方且與該第一部分絕緣；及一非浮閘，其設置於該通道區之一第二部分上方且與該第二部分絕緣。該複數個記憶體單元之各者經組態來儲存對應於該浮閘上之數個電子的權重值。該複數個記憶體單元經組態來使該等輸入乘以所儲存的該等權重值，以產生該等輸出。
简体摘要：一种人工神经网络设备，其将一或多个非挥发性内存数组用作突触。该等突触经组态来接收输入且自该等输入产生输出。神经元经组态来接收该等输出。该等突触包括复数个内存单元，其中该等内存单元之各者包括形成于半导体基材中之隔开的源极区及汲极区，信道区在该源极区与该汲极区之间延伸；一浮闸，其设置于该信道区之一第一部分上方且与该第一部分绝缘；及一非浮闸，其设置于该信道区之一第二部分上方且与该第二部分绝缘。该复数个内存单元之各者经组态来存储对应于该浮闸上之数个电子的权重值。该复数个内存单元经组态来使该等输入乘以所存储的该等权重值，以产生该等输出。

9. 发明专利

TWI550926B 具有可組態接腳之三維快閃ＮＯＲ記憶體系統有权
简体标题：具有可组态接脚之三维快闪ＮＯＲ内存系统
公开(公告)号：TWI550926B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：TW103139403
申请日：2014-11-13
申请人：超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：陳曉萬 , TRAN, HIEU VAN , 阮雄國 , NGUYEN, HUNG QUOC , 萊坦馬克 , REITEN, MARK
IPC分类号： H01L45/00 , G11C13/00
CPC分类号： G11C16/08 , G11C7/1045 , G11C7/1057 , G11C16/04 , G11C2207/105 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1434 , H01L2924/1435 , H01L2924/1438 , H01L2924/15311 , H01L2924/157

10. 发明专利

TWI621122B 用於形成電阻式隨機存取記憶體(RRAM)單元細絲的多階電壓有权
简体标题：用于形成电阻式随机存取内存(RRAM)单元细丝的多阶电压
公开(公告)号：TWI621122B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW106106805
申请日：2017-03-02
申请人：超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC. , 新加坡科技研究局 , AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH
发明人：周峰 , ZHOU, FENG , 呂祥 , LIU, XIAN , 陳曉萬 , TRAN, HIEU VAN , 阮雄國 , NGUYEN, HUNG QUOC , 杜恩漢 , DO, NHAN , 萊坦馬克 , REITEN, MARK , 陳志賢 , CHEN, ZHIXIAN , 王新朋 , WANG, XINPENG , 盧國強 , LO, GUO-QIANG
IPC分类号： G11C13/00 , H01L45/00
CPC分类号： G11C13/0007 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/16

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