基本信息:
- 专利标题： 用於基於非揮發性記憶體單元陣列熵產生隨機數之系統及方法
- 专利标题（英）：SYSTEM AND METHOD FOR GENERATING RANDOM NUMBERS BASED ON NON-VOLATILE MEMORY CELL ARRAY ENTROPY
- 专利标题（中）：用于基于非挥发性内存单元数组熵产生随机数之系统及方法
- 申请号：TW107109424 申请日：2018-03-20
- 公开(公告)号：TW201903419A 公开(公告)日：2019-01-16
- 发明人： 蒂瓦里 維平 , TIWARI, VIPIN , 萊坦 馬克 , REITEN, MARK
- 申请人： 美商超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
- 专利权人： 美商超捷公司,SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
- 当前专利权人： 美商超捷公司,SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
- 代理人： 劉法正; 尹重君
- 优先权： 62/479,193 20170330;15/905,720 20180226;PCT/US18/20628 20180302
- 主分类号： G01R19/00
- IPC分类号： G01R19/00 ; G06F1/02 ; G06F17/10 ; G06F17/11 ; G06N5/02 ; H01L27/115
摘要：
一種記憶體裝置，其產生唯一識別符，並包括複數個記憶體單元及控制器。該等記憶體單元之各者包括第一區、第二區、浮閘、及選擇閘，第一區及第二區形成在半導體基材中，其中基材之通道區在第一區與第二區之間延伸，浮閘設置在通道區之第一部份上方並與其絕緣，選擇閘設置在通道區之第二部份上方並與其絕緣。該控制器經組態以：施加一或多個正電壓至該等記憶體單元之第一區，同時該等記憶體單元係於一次臨限狀態，以供產生通過通道區之各者的漏電流；測量漏電流；及基於測量之漏電流產生一數字。
摘要（中）：
一种内存设备，其产生唯一识别符，并包括复数个内存单元及控制器。该等内存单元之各者包括第一区、第二区、浮闸、及选择闸，第一区及第二区形成在半导体基材中，其中基材之信道区在第一区与第二区之间延伸，浮闸设置在信道区之第一部份上方并与其绝缘，选择闸设置在信道区之第二部份上方并与其绝缘。该控制器经组态以：施加一或多个正电压至该等内存单元之第一区，同时该等内存单元系于一次临限状态，以供产生通过信道区之各者的漏电流；测量漏电流；及基于测量之漏电流产生一数字。
公开/授权文献:
- TWI683110B 用於基於非揮發性記憶體單元陣列熵產生隨機數之系統及方法 公开/授权日：2020-01-21
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G01 | 测量；测试 |
| ----G01R | 测量电变量；测量磁变量（通过转换成电变量对任何种类的物理变量进行测量参见G01类名下的 |
| ------G01R19/00 | 用于测量电流或电压或者用于指示其存在或符号的装置 |