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1. 发明专利

TW201843771A 用於特徵部之由下而上間隙填充的溼式金屬晶種沉積方法审中-公开
简体标题：用于特征部之由下而上间隙填充的湿式金属晶种沉积方法
公开(公告)号：TW201843771A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW107107191
申请日：2018-03-05
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：陳暹華 , TAN, SAMANTHA , 佛洛斯基博里斯 , VOLOSSKIY, BORIS , 金台昇 , KIM, TAESEUNG , 那拉普文 , NALLA, PRAVEEN , 裘寇諾維 , TJOKRO, NOVY , 寇力克斯亞圖 , KOLICS, ARTUR
IPC分类号： H01L21/768
摘要：一種用以執行基板之特徵部之由下而上間隙填充的金屬晶種沉積方法包含：提供包含複數特徵部的基板；使稀釋金屬前驅物溶液流入至特徵部中，其中該稀釋金屬前驅物溶液包含金屬前驅物及稀釋液體；使稀釋液體蒸發，以使金屬前驅物定位於複數特徵部的底部處；將基板曝露至電漿處理，以將金屬前驅物還原成金屬或金屬合金其中至少一者，並且形成晶種層；在基板上執行熱處理；以及使用選擇性間隙填充製程，以利用接觸晶種層的過渡金屬填充特徵部。
简体摘要：一种用以运行基板之特征部之由下而上间隙填充的金属晶种沉积方法包含：提供包含复数特征部的基板；使稀释金属前驱物溶液流入至特征部中，其中该稀释金属前驱物溶液包含金属前驱物及稀释液体；使稀释液体蒸发，以使金属前驱物定位于复数特征部的底部处；将基板曝露至等离子处理，以将金属前驱物还原成金属或金属合金其中至少一者，并且形成晶种层；在基板上运行热处理；以及使用选择性间隙填充制程，以利用接触晶种层的过渡金属填充特征部。

2. 发明专利

TW201812903A 為強化由下而上的特徵部填充而施行的原子層蝕刻审中-公开
简体标题：为强化由下而上的特征部填充而施行的原子层蚀刻
公开(公告)号：TW201812903A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106123745
申请日：2017-07-17
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：陳暹華 , TAN, SAMANTHA , 金台昇 , KIM, TAESEUNG , 游正義 , YU, JENGYI , 那拉普文 , NALLA, PRAVEEN , 裘寇諾維 , TJOKRO, NOVY , 寇力克斯亞圖 , KOLICS, ARTUR , 凱那瑞克凱倫賈考柏思 , KANARIK, KEREN JACOBS
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/316 , G03F1/80
CPC分类号： H01L21/76879 , C23C18/1628 , C23C18/1632 , C23C18/1676 , C23C18/32 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J37/32889 , H01J37/32899 , H01J37/32926 , H01J2237/334 , H01J2237/3347 , H01L21/3065 , H01L21/32136
摘要：原子層蝕刻（ALE）允許藉由由下而上的填充在半導體及其他基板上之小特徵部結構（諸如接觸窗及介層窗）的有效填充，例如鈷的無電沉積（ELD）。
简体摘要：原子层蚀刻（ALE）允许借由由下而上的填充在半导体及其他基板上之小特征部结构（诸如接触窗及介层窗）的有效填充，例如钴的无电沉积（ELD）。

3. 发明专利

TW201810467A 雙重鑲嵌填充审中-公开
简体标题：双重镶嵌填充
公开(公告)号：TW201810467A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106121193
申请日：2017-06-26
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：寇力克斯亞圖 , KOLICS, ARTUR , 那拉普文 , NALLA, PRAVEEN , 趙烈 , ZHAO, LIE
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/76 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/76883 , H01L21/76814 , H01L21/76843 , H01L21/7685 , H01L21/76879 , H01L23/481
摘要：提供一種使用金屬或金屬合金填充在一介電層中形成之貫孔的方法，該金屬或金屬合金對含銅互連線上的銅具有低溶解度，其中該貫孔係具有溝槽及貫孔之一雙重鑲嵌結構的一部分。具有低銅溶解度之一第一金屬或金屬合金的一密封層係在該貫孔的底部在該含銅互連線之正上方選擇性地加以沉積，其中形成該貫孔之該介電層的側壁係曝露於該沉積密封層的操作，且其中具有低銅溶解度的該第一金屬或金屬合金係選擇性地加以沉積，以僅在該含銅互連線上形成一層。具有低銅溶解度之一第二金屬或金屬合金的一貫孔填充物係在該密封層上無電沉積，該貫孔填充物填充該貫孔。
简体摘要：提供一种使用金属或金属合金填充在一介电层中形成之贯孔的方法，该金属或金属合金对含铜互连接上的铜具有低溶解度，其中该贯孔系具有沟槽及贯孔之一双重镶嵌结构的一部分。具有低铜溶解度之一第一金属或金属合金的一密封层系在该贯孔的底部在该含铜互连接之正上方选择性地加以沉积，其中形成该贯孔之该介电层的侧壁系曝露于该沉积密封层的操作，且其中具有低铜溶解度的该第一金属或金属合金系选择性地加以沉积，以仅在该含铜互连接上形成一层。具有低铜溶解度之一第二金属或金属合金的一贯孔填充物系在该密封层上无电沉积，该贯孔填充物填充该贯孔。

4. 发明专利

TW201610227A 具有至少兩個硼烷還原劑之無電式電鍍审中-公开
简体标题：具有至少两个硼烷还原剂之无电式电镀
公开(公告)号：TW201610227A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104117903
申请日：2015-06-03
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：寇力克斯亞圖 , KOLICS, ARTUR , 那拉普文 , NALLA, PRAVEEN , 賓小敏 , BIN, XIAOMIN , 李南海 , LI, NANHAI , 王亞新 , WANG, YAXIN , 利特爾派崔克 , LITTLE, PATRICK , 保揚斯卡亞瑪瑞娜 , POLYANSKAYA, MARINA
IPC分类号： C23C18/31
CPC分类号： H01L21/288 , C23C18/1637 , C23C18/1655 , C23C18/34 , C23C18/40 , C23C18/44 , C23C18/50 , C23C18/52
摘要：一種在基板上進行金屬層之無電鍍沉積的溶液。提供溶劑。金屬前驅物係提供至該溶劑。第一含硼烷還原劑係提供至該溶劑。第二含硼烷還原劑係提供至該溶劑，其中該第一含硼烷還原劑具有至少五倍於該第二含硼烷還原劑之沉積速率的沉積速率，及其中該溶液係無非硼烷類還原劑。
简体摘要：一种在基板上进行金属层之无电镀沉积的溶液。提供溶剂。金属前驱物系提供至该溶剂。第一含硼烷还原剂系提供至该溶剂。第二含硼烷还原剂系提供至该溶剂，其中该第一含硼烷还原剂具有至少五倍于该第二含硼烷还原剂之沉积速率的沉积速率，及其中该溶液系无非硼烷类还原剂。

5. 发明专利

TW201630038A 製造半導體裝置之方法审中-公开
简体标题：制造半导体设备之方法
公开(公告)号：TW201630038A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104135013
申请日：2015-10-26
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：寇力克斯亞圖 , KOLICS, ARTUR , 李威廉 T , LEE, WILLIAM T. , 趙賴瑞 , ZHAO, LARRY , 王德瑞克 , WONG, DEREK , 那拉普文 , NALLA, PRAVEEN , 艾許地安尼凱翰 , ASHTIANI, KAIHAN , 凡克林帕派崔克 A , VAN CLEEMPUT, PATRICK A. , 多迪葉斯帝 , DORDI, YEZDI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/288 , H01L21/768 , H01L23/532
CPC分类号： H01L23/53238 , C23C16/26 , H01L21/02063 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/28568 , H01L21/288 , H01L21/2885 , H01L21/76807 , H01L21/76829 , H01L21/76831 , H01L21/7684 , H01L21/76844 , H01L21/76846 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/53204 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：提供一基板，其具有形成在該基板上方的一介電材料中的雙重鑲嵌結構。該雙重鑲嵌結構包括一溝槽以及一開口，該開口的形成係自該溝槽之一底部延伸至一下層導電材料，其中該下層導電材料暴露到該開口之一底部，將該雙重鑲嵌結構暴露到一密封處理，而在該開口中的該介電材料之暴露表面透過該密封處理而被密封，但不覆蓋暴露於該開口之底部的下層導電材料。該密封處理可為下列中之一或更多者:沉積可流動性薄膜、沉積非晶碳阻障物、以及形成胺基基團的自組裝單層。在該密封處理之後，執行無電沉積處理以由下往上的方式使用金屬材料來填充該開口，直到該溝槽之底部。
简体摘要：提供一基板，其具有形成在该基板上方的一介电材料中的双重镶嵌结构。该双重镶嵌结构包括一沟槽以及一开口，该开口的形成系自该沟槽之一底部延伸至一下层导电材料，其中该下层导电材料暴露到该开口之一底部，将该双重镶嵌结构暴露到一密封处理，而在该开口中的该介电材料之暴露表面透过该密封处理而被密封，但不覆盖暴露于该开口之底部的下层导电材料。该密封处理可为下列中之一或更多者:沉积可流动性薄膜、沉积非晶碳阻障物、以及形成胺基基团的自组装单层。在该密封处理之后，运行无电沉积处理以由下往上的方式使用金属材料来填充该开口，直到该沟槽之底部。

6. 发明专利

TWI587367B 用於金屬化之方法及層有权
简体标题：用于金属化之方法及层
公开(公告)号：TWI587367B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW102108083
申请日：2013-03-07
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：寇力克斯亞圖 , KOLICS, ARTUR , 那拉普文 , NALLA, PRAVEEN
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/225

7. 发明专利

TW201435978A 用於金屬化之方法及層审中-公开
简体标题：用于金属化之方法及层
公开(公告)号：TW201435978A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102108083
申请日：2013-03-07
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：寇力克斯亞圖 , KOLICS, ARTUR , 那拉普文 , NALLA, PRAVEEN
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/225
摘要：本發明之一態樣係一種製造一電子裝置的方法。根據一實施例，該方法包含沉積包含有至少一摻雜物之一覆蓋層到溝填金屬上，以及退火使上述至少一摻雜物遷移到溝填金屬的晶粒邊界和/或界面。本發明之另一態樣係一電子裝置。
简体摘要：本发明之一态样系一种制造一电子设备的方法。根据一实施例，该方法包含沉积包含有至少一掺杂物之一覆盖层到沟填金属上，以及退火使上述至少一掺杂物迁移到沟填金属的晶粒边界和/或界面。本发明之另一态样系一电子设备。

8. 发明专利

TW201705221A 使用無電沉積做為度量衡工具以強調污染物、殘留物及不完全的介層窗蝕刻审中-公开
简体标题：使用无电沉积做为度量衡工具以强调污染物、残留物及不完全的介层窗蚀刻
公开(公告)号：TW201705221A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105109627
申请日：2016-03-28
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：趙賴瑞 , ZHAO, LARRY , 寇力克斯亞圖 , KOLICS, ARTUR , 那拉普文 , NALLA, PRAVEEN
IPC分类号： H01L21/208 , H01L21/368
CPC分类号： H01L22/12 , H01L21/0206 , H01L21/02063 , H01L21/02068 , H01L21/288 , H01L21/76814 , H01L21/76831 , H01L21/76843 , H01L21/76879 , H01L22/24
摘要：一種用於偵測圖案化的基板上之污染物的方法包含：在基板上執行介層窗蝕刻操作，其中該介層窗蝕刻操作係安排以在該基板上界定介層窗特徵部並使該介層窗特徵部底部的蝕刻停止層暴露；在該基板上執行蝕刻停止移除操作，其中該蝕刻停止移除操作係安排以移除該介層窗特徵部底部的該蝕刻停止層，以使該蝕刻停止層下方之金屬特徵部暴露；施加無電沉積溶液至該基板，所施加之無電沉積溶液係配置以在所暴露之金屬特徵部之上以及在該基板之暴露表面上的金屬污染物上選擇性地沉積金屬材料，該金屬污染物係在該蝕刻停止移除操作期間自該金屬特徵部所產生；在該基板上執行檢測操作以識別已沉積有該金屬材料的該金屬污染物。
简体摘要：一种用于侦测图案化的基板上之污染物的方法包含：在基板上运行介层窗蚀刻操作，其中该介层窗蚀刻操作系安排以在该基板上界定介层窗特征部并使该介层窗特征部底部的蚀刻停止层暴露；在该基板上运行蚀刻停止移除操作，其中该蚀刻停止移除操作系安排以移除该介层窗特征部底部的该蚀刻停止层，以使该蚀刻停止层下方之金属特征部暴露；施加无电沉积溶液至该基板，所施加之无电沉积溶液系配置以在所暴露之金属特征部之上以及在该基板之暴露表面上的金属污染物上选择性地沉积金属材料，该金属污染物系在该蚀刻停止移除操作期间自该金属特征部所产生；在该基板上运行检测操作以识别已沉积有该金属材料的该金属污染物。

9. 发明专利

TW201602406A 具有改良選擇性的二步驟沉積审中-公开
简体标题：具有改良选择性的二步骤沉积
公开(公告)号：TW201602406A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104109286
申请日：2015-03-24
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：寇力克斯亞圖 , KOLICS, ARTUR , 那拉普文 , NALLA, PRAVEEN , 凡拉德拉真瑟沙撒依 , VARADARAJAN, SESHASAYEE
IPC分类号： C23C18/16 , C23C18/38
CPC分类号： C23C18/38 , C23C18/165 , C23C18/1651 , C23C18/1653 , C23C18/1831 , C23C18/1872 , C23C18/31 , C23C18/32 , C23C18/36 , C23C18/42 , C23C18/44 , C23C18/50 , C23C18/54 , H01L21/288 , H01L21/76849 , H01L21/76871 , H01L21/76874 , H01L21/76879 , H01L21/76885
摘要：一種在至少一含銅層上進行無電式電鍍的方法。藉由選擇性地沉積具催化活性金屬的密封層於至少一含銅層上，密封該至少一含銅層的表面。此密封層係曝露於無電鍍沉積槽液，其對該具催化活性金屬比對該至少一含銅層係更有反應性，以在該密封層上進行無電鍍沉積。
简体摘要：一种在至少一含铜层上进行无电式电镀的方法。借由选择性地沉积具催化活性金属的密封层于至少一含铜层上，密封该至少一含铜层的表面。此密封层系曝露于无电镀沉积槽液，其对该具催化活性金属比对该至少一含铜层系更有反应性，以在该密封层上进行无电镀沉积。

10. 发明专利

TWI462178B 用以改善銅與阻隔層間之黏接的自組裝單層膜有权
简体标题：用以改善铜与阻隔层间之黏接的自组装单层膜
公开(公告)号：TWI462178B
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：TW096131991
申请日：2007-08-29
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：普文那拉 , NALLA, PRAVEEN , 威廉尤 , THIE, WILLIAM , 約翰柏依 , BOYD, JOHN , 第瑞區若巴里阿瑞那吉拉 , ARUNAGIRI, TIRUCHIRAPALLI , 楊格蘇克亞歷山得優 , YOON, HYUNGSUK ALEXANDER , 佛禮茲C 瑞德克 , REDEKER, FRITZ C. , 葉斯帝多迪 , DORDI, YEZDI
IPC分类号： H01L21/312 , H01L21/3205
CPC分类号： C23C16/45525 , C23C16/18 , H01L21/288 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L21/76856 , H01L21/76861

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