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1. 发明专利

TWI685932B 用於干擾屏蔽的引線接合線有权
简体标题：用于干扰屏蔽的引线接合线
公开(公告)号：TWI685932B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：TW105132857
申请日：2016-10-12
申请人：美商英帆薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人：奧佐拉阿比歐拉 , AWUJOOLA, ABIOLA , 孫卓文 , SUN, ZHUOWEN , 佐尼惠爾 , ZOHNI, WAEL , 普拉布阿修克S , PRABHU, ASHOK S. , 蘇比杜威爾瑪 , SUBIDO, WILLMAR
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/552

2. 发明专利

TW201705133A 減少負載的記憶體模組审中-公开
简体标题：减少负载的内存模块
公开(公告)号：TW201705133A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105107285
申请日：2016-03-10
申请人：英帆薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人：孫卓文 , SUN, ZHUOWEN , 陳勇 , CHEN, YONG
IPC分类号： G11C8/12 , G11C8/10 , G11C5/02 , G11C5/06 , G11C8/06
CPC分类号： G06F13/1673 , G06F12/00 , G06F12/0623 , G06F13/1694 , G11C5/04 , G11C5/06 , G11C8/06 , G11C8/12 , H01L2224/4824 , H01L2924/15311
摘要：本發明提供一種設備，其大體上和減少負載的記憶體模組有關。於此設備中有一電路平台，其具有被耦合至該電路平台的複數個記憶體晶片。該複數個記憶體晶片中的每一個記憶體晶片各具有複數個記憶體晶粒。至少一控制器會被耦合至該電路平台並且進一步被耦合至該複數個記憶體晶片，用以和其複數個記憶體晶粒進行通信。該至少一控制器係用以接收晶片選擇信號，以便提供超過該些晶片選擇信號的複數個排選擇信號(rank select signal)。該複數個記憶體晶粒會在減少的負載中和該複數個記憶體晶片裡面的多條焊線耦和，以便耦合該電路平台，用以透過一記憶體通道進行通信。該負載減少充分，以使該記憶體模組中的至少兩個實例共用該記憶體通道。
简体摘要：本发明提供一种设备，其大体上和减少负载的内存模块有关。于此设备中有一电路平台，其具有被耦合至该电路平台的复数个内存芯片。该复数个内存芯片中的每一个内存芯片各具有复数个内存晶粒。至少一控制器会被耦合至该电路平台并且进一步被耦合至该复数个内存芯片，用以和其复数个内存晶粒进行通信。该至少一控制器系用以接收芯片选择信号，以便提供超过该些芯片选择信号的复数个排选择信号(rank select signal)。该复数个内存晶粒会在减少的负载中和该复数个内存芯片里面的多条焊线耦和，以便耦合该电路平台，用以透过一内存信道进行通信。该负载减少充分，以使该内存模块中的至少两个实例共享该内存信道。

3. 发明专利

TWI626864B 超高性能的中介層有权
简体标题：超高性能的中介层
公开(公告)号：TWI626864B
公开(公告)日：2018-06-11
申请号：TW105121540
申请日：2014-08-07
申请人：英凡薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人：烏若席普倫亞梅卡 , UZOH, CYPRIAN EMEKA , 孫卓文 , SUN, ZHUOWEN
IPC分类号： H05K1/11 , H05K3/42

4. 发明专利

TWI607525B 用於訊號等化的通孔結構有权
简体标题：用于信号等化的通孔结构
公开(公告)号：TWI607525B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW104108032
申请日：2015-03-12
申请人：英凡薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人：孫卓文 , SUN, ZHUOWEN , 烏若席普倫亞梅卡 , UZOH, CYPRIAN EMEKA , 陳容 , CHEN, YONG
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/49827 , H01L21/486 , H01L23/3675 , H01L23/481 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L23/5384 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L2224/02372 , H01L2224/11 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/00

5. 发明专利

TW201714263A 用於干擾屏蔽的引線接合線审中-公开
简体标题：用于干扰屏蔽的引线接合线
公开(公告)号：TW201714263A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW105132857
申请日：2016-10-12
申请人：英帆薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人：奧佐拉阿比歐拉 , AWUJOOLA, ABIOLA , 孫卓文 , SUN, ZHUOWEN , 佐尼惠爾 , ZOHNI, WAEL , 普拉布阿修克S , PRABHU, ASHOK S. , 蘇比杜威爾瑪 , SUBIDO, WILLMAR
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/552
CPC分类号： H01L23/552 , H01L23/49811 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/03 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/04042 , H01L2224/1134 , H01L2224/12105 , H01L2224/13076 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16265 , H01L2224/17051 , H01L2224/17181 , H01L2224/215 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/48105 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/4942 , H01L2224/73204 , H01L2224/73207 , H01L2224/73227 , H01L2224/73253 , H01L2224/73259 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/85444 , H01L2224/85455 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/1023 , H01L2225/1052 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1205 , H01L2924/1206 , H01L2924/1207 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/3025 , H01L2224/45099 , H01L2924/2075 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
摘要：大致有關於一具有免於干擾的保護的微電子封裝之設備係被揭示。在本發明之一設備中，一基板係具有一上表面以及一與該上表面相對的下表面，並且具有一接地面。一第一微電子裝置係耦接至該基板的該上表面。引線接合線係耦接至該接地面以用於傳導該干擾至其，並且從該基板的該上表面延伸離開。該些引線接合線的一第一部分係被設置以提供一用於該第一微電子裝置的相關該干擾的屏蔽區域。該些引線接合線的一第二部分並未被設置以提供該屏蔽區域。一第二微電子裝置係耦接至該基板，並且位在該屏蔽區域之外。一導電的表面係在該些引線接合線的該第一部分之上，以用於覆蓋該屏蔽區域。
简体摘要：大致有关于一具有免于干扰的保护的微电子封装之设备系被揭示。在本发明之一设备中，一基板系具有一上表面以及一与该上表面相对的下表面，并且具有一接地面。一第一微电子设备系耦接至该基板的该上表面。引线接合线系耦接至该接地面以用于传导该干扰至其，并且从该基板的该上表面延伸离开。该些引线接合线的一第一部分系被设置以提供一用于该第一微电子设备的相关该干扰的屏蔽区域。该些引线接合线的一第二部分并未被设置以提供该屏蔽区域。一第二微电子设备系耦接至该基板，并且位在该屏蔽区域之外。一导电的表面系在该些引线接合线的该第一部分之上，以用于覆盖该屏蔽区域。

6. 发明专利

TW201727638A 具有受控制的阻抗負載的高頻寬記憶體應用审中-公开
简体标题：具有受控制的阻抗负载的高带宽内存应用
公开(公告)号：TW201727638A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105136428
申请日：2016-11-09
申请人：英帆薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人：孫卓文 , SUN, ZHUOWEN , 陳勇 , CHEN, YONG , 房炅模 , BANG, KYONG-MO
IPC分类号： G11C11/408 , G11C11/409 , H01L23/02 , H01L23/64 , H01L25/065 , H01L25/18
CPC分类号： G11C11/4087 , G11C5/063 , G11C8/18 , G11C11/409 , H01L23/02 , H01L23/3128 , H01L23/64 , H01L25/0652 , H01L25/18 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05548 , H01L2224/06135 , H01L2224/06136 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/4824 , H01L2224/73204 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要：一種微電子組件可包括一個定址匯流排，該定址匯流排包括複數個信號導體，其每一者係循序地透過第一連結區域、第二連結區域、第三連結區域、和第四連結區域進行傳遞，以及第一微電子封裝和第二微電子封裝。該第一微電子封裝可包括第一微電子元件和第二微電子元件，並且該第二微電子封裝可包括第三微電子元件和第四微電子元件。每一個微電子元件可以經由各自的連結區域而電性耦合到該定址匯流排。在該第一連結區域和該第二連結區域之間的電性特徵可以是在該第二連結區域和該第三連結區域之間的電性特徵之相同的公差範圍內。
简体摘要：一种微电子组件可包括一个寻址总线，该寻址总线包括复数个信号导体，其每一者系循序地透过第一链接区域、第二链接区域、第三链接区域、和第四链接区域进行传递，以及第一微电子封装和第二微电子封装。该第一微电子封装可包括第一微电子组件和第二微电子组件，并且该第二微电子封装可包括第三微电子组件和第四微电子组件。每一个微电子组件可以经由各自的链接区域而电性耦合到该寻址总线。在该第一链接区域和该第二链接区域之间的电性特征可以是在该第二链接区域和该第三链接区域之间的电性特征之相同的公差范围内。

9. 发明专利

TW201543627A 多重中介層基板電路組件以及其製造方法审中-公开
简体标题：多重中介层基板电路组件以及其制造方法
公开(公告)号：TW201543627A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW104115147
申请日：2015-05-12
申请人：英凡薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人：沈宏 , SHEN, HONG , 孫卓文 , SUN, ZHUOWEN , 渥奇克查爾斯G , WOYCHIK, CHARLES G. , 斯塔拉姆阿爾卡爾古德R , SITARAM, ARKALGUD R.
IPC分类号： H01L23/31 , H01L21/768 , H01L23/528
CPC分类号： H01L23/49833 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L23/498 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/538 , H01L23/5381 , H01L23/5383 , H01L23/5385 , H01L23/5389 , H01L23/562 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06562 , H01L2225/06589 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/15174 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/1615 , H01L2924/16153 , H01L2924/16251 , H01L2924/181 , H05K1/0271 , H05K1/111 , H05K1/141 , H05K1/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/85 , H01L2924/014 , H01L2224/83 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要：本發明揭露一種結合式中介層(120)包含複數個子中介層(120.i)，每一組成中介層係具有一基板(120.iS)以及具有位於此基板之頂部上及/或底部上的一電路層(例如重分配層)。頂部電路層可以為一共用電路層(120R.T)之一部分，並可與不同的中介層互連。同樣地，底部電路層可以為一共用電路層(120R.B)之一部分。組成中介層基板(120.iS)係為一共用晶圓之初始部分，共用頂部電路層係在組成中介層基板與晶圓分離之前製造。相較於使用一單一大基板，使用相分離的基板可減少應力。本發明更揭露其他實施例。
简体摘要：本发明揭露一种结合式中介层(120)包含复数个子中介层(120.i)，每一组成中介层系具有一基板(120.iS)以及具有位于此基板之顶部上及/或底部上的一电路层(例如重分配层)。顶部电路层可以为一共享电路层(120R.T)之一部分，并可与不同的中介层互连。同样地，底部电路层可以为一共享电路层(120R.B)之一部分。组成中介层基板(120.iS)系为一共享晶圆之初始部分，共享顶部电路层系在组成中介层基板与晶圆分离之前制造。相较于使用一单一大基板，使用相分离的基板可减少应力。本发明更揭露其他实施例。

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