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1. 发明专利

TWI626864B 超高性能的中介層有权
简体标题：超高性能的中介层
公开(公告)号：TWI626864B
公开(公告)日：2018-06-11
申请号：TW105121540
申请日：2014-08-07
申请人：英凡薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人：烏若席普倫亞梅卡 , UZOH, CYPRIAN EMEKA , 孫卓文 , SUN, ZHUOWEN
IPC分类号： H05K1/11 , H05K3/42

2. 发明专利

TWI607525B 用於訊號等化的通孔結構有权
简体标题：用于信号等化的通孔结构
公开(公告)号：TWI607525B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW104108032
申请日：2015-03-12
申请人：英凡薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人：孫卓文 , SUN, ZHUOWEN , 烏若席普倫亞梅卡 , UZOH, CYPRIAN EMEKA , 陳容 , CHEN, YONG
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/49827 , H01L21/486 , H01L23/3675 , H01L23/481 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L23/5384 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L2224/02372 , H01L2224/11 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/00

4. 发明专利

TW201637530A 超高性能的中介層审中-公开
简体标题：超高性能的中介层
公开(公告)号：TW201637530A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW105121540
申请日：2014-08-07
申请人：英凡薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人：烏若席普倫亞梅卡 , UZOH, CYPRIAN EMEKA , 孫卓文 , SUN, ZHUOWEN
IPC分类号： H05K1/11 , H05K3/42
CPC分类号： H01L23/5226 , H01L21/486 , H01L21/76802 , H01L21/7682 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本案為一種互連元件包含：一半導體材料層，該半導體材料層具有一第一表面與相對於該第一表面的一第二表面，該第二表面在一第一方向中與該第一表面間隔；至少二金屬通孔延伸通過該半導體材料層；一第一對金屬通孔，至少由二金屬通孔構成，係在一第二方向中彼此間隔，該第二方向垂直於該第一方向；在該半導體層中的一第一絕緣通孔從該第一表面延伸朝向該第二表面；該絕緣通孔之設置，使得該絕緣通孔的一幾何中心位於垂直於該第二方向的二平面之間，且該等二平面通過該第一對的該等至少二金屬通孔的每一者。一介電材料至少部分充填該第一絕緣通孔或至少部分圍繞該絕緣通孔中的一空隙。
简体摘要：本案为一种互连组件包含：一半导体材料层，该半导体材料层具有一第一表面与相对于该第一表面的一第二表面，该第二表面在一第一方向中与该第一表面间隔；至少二金属通孔延伸通过该半导体材料层；一第一对金属通孔，至少由二金属通孔构成，系在一第二方向中彼此间隔，该第二方向垂直于该第一方向；在该半导体层中的一第一绝缘通孔从该第一表面延伸朝向该第二表面；该绝缘通孔之设置，使得该绝缘通孔的一几何中心位于垂直于该第二方向的二平面之间，且该等二平面通过该第一对的该等至少二金属通孔的每一者。一介电材料至少部分充填该第一绝缘通孔或至少部分围绕该绝缘通孔中的一空隙。

5. 发明专利

TWI552651B 超高性能的中介層有权
简体标题：超高性能的中介层
公开(公告)号：TWI552651B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW103127158
申请日：2014-08-07
申请人：英凡薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人：烏若席普倫亞梅卡 , UZOH, CYPRIAN EMEKA , 孫卓文 , SUN, ZHUOWEN
IPC分类号： H05K1/11 , H05K3/42
CPC分类号： H01L23/5226 , H01L21/486 , H01L21/76802 , H01L21/7682 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

6. 发明专利

TW201635375A 多重中介層基板電路組件以及其製造方法审中-公开
简体标题：多重中介层基板电路组件以及其制造方法
公开(公告)号：TW201635375A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW105119064
申请日：2015-05-12
申请人：英凡薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人：沈宏 , SHEN, HONG , 孫卓文 , SUN, ZHUOWEN , 渥奇克查爾斯G , WOYCHIK, CHARLES G. , 斯塔拉姆阿爾卡爾古德R , SITARAM, ARKALGUD R.
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/768 , H01L23/528
CPC分类号： H01L23/49833 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L23/498 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/538 , H01L23/5381 , H01L23/5383 , H01L23/5385 , H01L23/5389 , H01L23/562 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06562 , H01L2225/06589 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/15174 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/1615 , H01L2924/16153 , H01L2924/16251 , H01L2924/181 , H05K1/0271 , H05K1/111 , H05K1/141 , H05K1/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/85 , H01L2924/014 , H01L2224/83 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要：本發明揭露一種結合式中介層(120)包含複數個子中介層(120.i)，每一組成中介層係具有一基板(120.iS)以及具有位於此基板之頂部上及/或底部上的一電路層(例如重分配層)。頂部電路層可以為一共用電路層(120R.T)之一部分，並可與不同的中介層互連。同樣地，底部電路層可以為一共用電路層(120R.B)之一部分。組成中介層基板(120.iS)係為一共用晶圓之初始部分，共用頂部電路層係在組成中介層基板與晶圓分離之前製造。相較於使用一單一大基板，使用相分離的基板可減少應力。本發明更揭露其他實施例。
简体摘要：本发明揭露一种结合式中介层(120)包含复数个子中介层(120.i)，每一组成中介层系具有一基板(120.iS)以及具有位于此基板之顶部上及/或底部上的一电路层(例如重分配层)。顶部电路层可以为一共享电路层(120R.T)之一部分，并可与不同的中介层互连。同样地，底部电路层可以为一共享电路层(120R.B)之一部分。组成中介层基板(120.iS)系为一共享晶圆之初始部分，共享顶部电路层系在组成中介层基板与晶圆分离之前制造。相较于使用一单一大基板，使用相分离的基板可减少应力。本发明更揭露其他实施例。

7. 发明专利

TW201618238A 適用於小佔用空間CPU及記憶體主機板設計的BGA記憶體封裝中之晶粒堆疊技術审中-公开
简体标题：适用于小占用空间CPU及内存主板设计的BGA内存封装中之晶粒堆栈技术
公开(公告)号：TW201618238A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104124627
申请日：2015-07-29
申请人：英凡薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人：孫卓文 , SUN, ZHUOWEN , 陳容 , CHEN, YONG , 方慶模 , BANG, KYONG-MO
IPC分类号： H01L23/00 , H01L23/498 , H01L25/065
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/49816 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/16227 , H01L2224/2919 , H01L2224/32014 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/481 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/43 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099 , H01L2924/00015
摘要：本發明揭露一種微電子封裝，包含一基板，此基板包含一介電元件以及一微電子元件，此介電元件係具有相對的第一表面以及第二表面，微電子元件係具有平行於第一表面延伸的一表面。基板可更包含在第一表面以及第二表面之間延伸的複數個邊緣，這些邊緣係定義基板之常見的矩形或正方形周圍。基板可更包含位於第一表面上的接觸部以及位於第一表面或第二表面上的端部。微電子元件可具有複數個邊緣以及複數個元件接觸部，這些邊緣係與表面相接合，元件接觸部係在表面上透過基板之接觸部以電性耦接端部。微電子元件之各邊緣可相對於基板之邊緣呈一斜角定向。
简体摘要：本发明揭露一种微电子封装，包含一基板，此基板包含一介电组件以及一微电子组件，此介电组件系具有相对的第一表面以及第二表面，微电子组件系具有平行于第一表面延伸的一表面。基板可更包含在第一表面以及第二表面之间延伸的复数个边缘，这些边缘系定义基板之常见的矩形或正方形周围。基板可更包含位于第一表面上的接触部以及位于第一表面或第二表面上的端部。微电子组件可具有复数个边缘以及复数个组件接触部，这些边缘系与表面相接合，组件接触部系在表面上透过基板之接触部以电性耦接端部。微电子组件之各边缘可相对于基板之边缘呈一斜角定向。

8. 发明专利

TW201543627A 多重中介層基板電路組件以及其製造方法审中-公开
简体标题：多重中介层基板电路组件以及其制造方法
公开(公告)号：TW201543627A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW104115147
申请日：2015-05-12
申请人：英凡薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人：沈宏 , SHEN, HONG , 孫卓文 , SUN, ZHUOWEN , 渥奇克查爾斯G , WOYCHIK, CHARLES G. , 斯塔拉姆阿爾卡爾古德R , SITARAM, ARKALGUD R.
IPC分类号： H01L23/31 , H01L21/768 , H01L23/528
CPC分类号： H01L23/49833 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L23/498 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/538 , H01L23/5381 , H01L23/5383 , H01L23/5385 , H01L23/5389 , H01L23/562 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06562 , H01L2225/06589 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/15174 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/1615 , H01L2924/16153 , H01L2924/16251 , H01L2924/181 , H05K1/0271 , H05K1/111 , H05K1/141 , H05K1/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/85 , H01L2924/014 , H01L2224/83 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要：本發明揭露一種結合式中介層(120)包含複數個子中介層(120.i)，每一組成中介層係具有一基板(120.iS)以及具有位於此基板之頂部上及/或底部上的一電路層(例如重分配層)。頂部電路層可以為一共用電路層(120R.T)之一部分，並可與不同的中介層互連。同樣地，底部電路層可以為一共用電路層(120R.B)之一部分。組成中介層基板(120.iS)係為一共用晶圓之初始部分，共用頂部電路層係在組成中介層基板與晶圓分離之前製造。相較於使用一單一大基板，使用相分離的基板可減少應力。本發明更揭露其他實施例。
简体摘要：本发明揭露一种结合式中介层(120)包含复数个子中介层(120.i)，每一组成中介层系具有一基板(120.iS)以及具有位于此基板之顶部上及/或底部上的一电路层(例如重分配层)。顶部电路层可以为一共享电路层(120R.T)之一部分，并可与不同的中介层互连。同样地，底部电路层可以为一共享电路层(120R.B)之一部分。组成中介层基板(120.iS)系为一共享晶圆之初始部分，共享顶部电路层系在组成中介层基板与晶圆分离之前制造。相较于使用一单一大基板，使用相分离的基板可减少应力。本发明更揭露其他实施例。

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