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1. 发明专利

TW202004833A 高傳導處理套組审中-公开
简体标题：高传导处理套组
公开(公告)号：TW202004833A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108136378
申请日：2015-12-04
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：賈波妮T , CHIA, BONNIE T. , 蔡振雄 , TSAI, CHENG-HSIUNG
IPC分类号： H01J37/32
摘要：用於電漿處理半導體基板的設備。該設備的態樣包括上屏蔽，上屏蔽具有排列於上屏蔽中心的氣體擴散器。氣體擴散器與上屏蔽允許處理氣體以層流的方式進入處理腔室。上屏蔽剖面促進處理氣體的徑向擴散以及來自基板表面蝕刻來的材料之徑向移動。上屏蔽的曲率引導蝕刻的材料至下屏蔽，以及減少蝕刻的材料沈積於上屏蔽上。下屏蔽亦包括將蝕刻的材料引導往溝槽的彎曲表面，而使蝕刻的材料能夠自處理腔室離開，以及減少蝕刻的材料沈積於下屏蔽上。
简体摘要：用于等离子处理半导体基板的设备。该设备的态样包括上屏蔽，上屏蔽具有排列于上屏蔽中心的气体扩散器。气体扩散器与上屏蔽允许处理气体以层流的方式进入处理腔室。上屏蔽剖面促进处理气体的径向扩散以及来自基板表面蚀刻来的材料之径向移动。上屏蔽的曲率引导蚀刻的材料至下屏蔽，以及减少蚀刻的材料沉积于上屏蔽上。下屏蔽亦包括将蚀刻的材料引导往沟槽的弯曲表面，而使蚀刻的材料能够自处理腔室离开，以及减少蚀刻的材料沉积于下屏蔽上。

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