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    • 2. 发明专利
    • 用於單層摻雜的摻雜劑前驅物
    • 用於单层掺杂的掺杂剂前驱物
    • TW201546881A
    • 2015-12-16
    • TW103141038
    • 2014-11-26
    • 安特格利斯公司ENTEGRIS, INC.
    • 卡麥容湯瑪仕MCAMERON, THOMAS M.古柏艾曼紐ICOOPER, EMANUEL I.韓松HAN, SUNG
    • H01L21/265
    • H01L21/2225H01L21/2254H01L21/228
    • 本文描述一種摻雜製程,該摻雜製程包含以下步驟:將摻雜劑材料膜塗覆至基板,該摻雜劑材料膜藉由氫鍵與共價鍵中之至少一者鍵結至基板;用囊封材料將膜囊封在基板上;及使囊封膜經受快速熱處理以使得摻雜劑從摻雜劑材料遷移至基板內。自選自以下各者中之摻雜劑組成物塗覆摻雜劑材料膜:(i)包含水溶液或二醇溶液之摻雜劑組成物,該溶液包含無機摻雜劑化合物;(ii)包含砷、磷、硼,或銻化合物之摻雜劑組成物,其中經配位至砷、磷、硼,或銻中心原子的配位基或部分具有配位鍵能,該等能低於該中心原子與氧或碳的配位鍵之關連之配位鍵能;(iii)包含選擇性地及共價鍵結至基板之配位部分的摻雜劑組成物;(iv)包含一化合物之摻雜劑組成物,該化合物經受水解及醇解以將摻雜劑官能基共價鍵結至基板的該摻雜劑材料膜中;(v)包含有機摻雜劑化合物之前驅物蒸氣的摻雜劑組成物;(vi)與基板之表面官能基互動以將摻雜劑組成物結合至基板的摻雜劑組成物, 其中基板包含矽表面,該矽表面包含該表面官能基;(vii)可與基板互動以與基板之預處理及/或已改質矽表面共價鍵結的摻雜劑組成物;及(viii)與基板互動以在基板之矽表面上與基板鍵結的摻雜劑組成物,該矽表面已藉由包含以下各者中至少一者之處理而經改質:(A)使矽表面接觸化學溶液;(B)將矽表面曝露於電漿;及(C)將矽表面曝露於紫外線輻射。
    • 本文描述一种掺杂制程,该掺杂制程包含以下步骤:将掺杂剂材料膜涂覆至基板,该掺杂剂材料膜借由氢键与共价键中之至少一者键结至基板;用囊封材料将膜囊封在基板上;及使囊封膜经受快速热处理以使得掺杂剂从掺杂剂材料迁移至基板内。自选自以下各者中之掺杂剂组成物涂覆掺杂剂材料膜:(i)包含水溶液或二醇溶液之掺杂剂组成物,该溶液包含无机掺杂剂化合物;(ii)包含砷、磷、硼,或锑化合物之掺杂剂组成物,其中经配位至砷、磷、硼,或锑中心原子的配位基或部分具有配位键能,该等能低于该中心原子与氧或碳的配位键之关连之配位键能;(iii)包含选择性地及共价键结至基板之配位部分的掺杂剂组成物;(iv)包含一化合物之掺杂剂组成物,该化合物经受水解及醇解以将掺杂剂官能基共价键结至基板的该掺杂剂材料膜中;(v)包含有机掺杂剂化合物之前驱物蒸气的掺杂剂组成物;(vi)与基板之表面官能基交互以将掺杂剂组成物结合至基板的掺杂剂组成物, 其中基板包含硅表面,该硅表面包含该表面官能基;(vii)可与基板交互以与基板之预处理及/或已改质硅表面共价键结的掺杂剂组成物;及(viii)与基板交互以在基板之硅表面上与基板键结的掺杂剂组成物,该硅表面已借由包含以下各者中至少一者之处理而经改质:(A)使硅表面接触化学溶液;(B)将硅表面曝露于等离子;及(C)将硅表面曝露于紫外线辐射。