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1. 发明专利

TWI646568B 高解析度高量子效率之電子轟擊之電荷耦合裝置或互補金氧半導體成像感測器有权
简体标题：高分辨率高量子效率之电子轰击之电荷耦合设备或互补金属氧化物半导体成像传感器
公开(公告)号：TWI646568B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW104123752
申请日：2015-07-22
申请人：美商克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：江錫滿 , JIANG, XIMAN , 比耶雅克史帝芬 , BIELLAK, STEPHEN , 費爾登約翰 , FIELDEN, JOHN
IPC分类号： H01J31/26 , H01L27/146

2. 发明专利

TWI670508B 用於降低檢測系統中由輻射誘導的假計數之系統及方法有权
简体标题：用于降低检测系统中由辐射诱导的假计数之系统及方法
公开(公告)号：TWI670508B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW105114960
申请日：2016-05-13
申请人：美商克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：江錫滿 , JIANG, XIMAN , 羅曼諾夫斯基阿那托利 , ROMANOVSKY, ANATOLY , 渥特斯克里斯堤安 , WOLTERS, CHRISTIAN , 比耶雅克史帝芬 , BIELLAK, STEPHEN
IPC分类号： G01T1/208 , G01T1/24

3. 发明专利

TW201611072A 高解析度高量子效率之電子轟擊之電荷耦合裝置或互補金氧半導體成像感測器审中-公开
简体标题：高分辨率高量子效率之电子轰击之电荷耦合设备或互补金属氧化物半导体成像传感器
公开(公告)号：TW201611072A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104123752
申请日：2015-07-22
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：江錫滿 , JIANG, XIMAN , 比耶雅克史帝芬 , BIELLAK, STEPHEN , 費爾登約翰 , FIELDEN, JOHN
IPC分类号： H01J31/26 , H01L27/146
CPC分类号： H01J31/26 , G01N21/88 , H01J29/46
摘要：本發明揭示一種用於偵測低光信號之電子轟擊偵測器，其包含：一真空管結構，其界定一圓柱形真空管腔室；一光電陰極，其被安置在該真空管腔室之一第一端處；一感測器，其被安置在該真空管腔室之一第二端處；環電極，其等被安置在該真空管腔室中用於產生使所發射光電子加速朝向該感測器之一電場；及一磁場產生器，其經組態以產生施加一聚焦透鏡效應於該等光電子上之一對稱磁場。該等環電極及該磁場產生器係使用一縮短距離聚焦方法及一加速/減速方法之一者而操作，使得該等光電子具有低於2keV之一著靶能量。反射模式光電陰極之使用係使用多極偏轉器線圈或由分段圓形電極結構形成之環電極而實現。大角度偏轉係使用磁偏轉器或靜電偏轉器而達成。
简体摘要：本发明揭示一种用于侦测低光信号之电子轰击侦测器，其包含：一真空管结构，其界定一圆柱形真空管腔室；一光电阴极，其被安置在该真空管腔室之一第一端处；一传感器，其被安置在该真空管腔室之一第二端处；环电极，其等被安置在该真空管腔室中用于产生使所发射光电子加速朝向该传感器之一电场；及一磁场产生器，其经组态以产生施加一聚焦透镜效应于该等光电子上之一对称磁场。该等环电极及该磁场产生器系使用一缩短距离聚焦方法及一加速/减速方法之一者而操作，使得该等光电子具有低于2keV之一着靶能量。反射模式光电阴极之使用系使用多极偏转器线圈或由分段圆形电极结构形成之环电极而实现。大角度偏转系使用磁偏转器或静电偏转器而达成。

4. 发明专利

TWI582416B 用於偵測埋藏缺陷之方法及裝置有权
简体标题：用于侦测埋藏缺陷之方法及设备
公开(公告)号：TWI582416B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW102110984
申请日：2013-03-27
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：蕭宏 , XIAO, HONG , 江錫滿 , JIANG, XIMAN
IPC分类号： G01N23/225
CPC分类号： G01N23/2251 , H01J37/26 , H01J37/28 , H01J2237/24475 , H01J2237/2804 , H01J2237/2817

5. 发明专利

TW201706624A 用於降低檢測系統中由輻射誘導的假計數之系統及方法审中-公开
简体标题：用于降低检测系统中由辐射诱导的假计数之系统及方法
公开(公告)号：TW201706624A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105114960
申请日：2016-05-13
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：江錫滿 , JIANG, XIMAN , 羅曼諾夫斯基阿那托利 , ROMANOVSKY, ANATOLY , 渥特斯克里斯堤安 , WOLTERS, CHRISTIAN , 比耶雅克史帝芬 , BIELLAK, STEPHEN
IPC分类号： G01T1/208 , G01T1/24
CPC分类号： G01T1/24 , G01N21/9501
摘要：本發明提供一種具有由輻射誘導的假計數緩解之檢測系統，其包含：一照明源，其經組態以照明一樣本；一偵測器總成，其包括經組態以偵測來自該樣本之照明之一照明感測器及經組態以偵測粒子輻射之一或多個輻射感測器；及控制電路，其通信地耦合至該偵測器。該控制電路經組態以執行以下步驟：基於從該等輻射感測器接收之一或多個輻射信號判定一輻射偵測事件集合；基於從該照明感測器接收之照明信號判定一成像事件集合；比較該輻射偵測事件集合與該成像事件集合以產生一重合事件集合，其中該重合事件集合包括同時成像事件及輻射偵測事件；及從該成像事件集合排除該重合事件集合以產生一經識別缺陷位點集合。
简体摘要：本发明提供一种具有由辐射诱导的假计数缓解之检测系统，其包含：一照明源，其经组态以照明一样本；一侦测器总成，其包括经组态以侦测来自该样本之照明之一照明传感器及经组态以侦测粒子辐射之一或多个辐射传感器；及控制电路，其通信地耦合至该侦测器。该控制电路经组态以运行以下步骤：基于从该等辐射传感器接收之一或多个辐射信号判定一辐射侦测事件集合；基于从该照明传感器接收之照明信号判定一成像事件集合；比较该辐射侦测事件集合与该成像事件集合以产生一重合事件集合，其中该重合事件集合包括同时成像事件及辐射侦测事件；及从该成像事件集合排除该重合事件集合以产生一经识别缺陷位点集合。

6. 发明专利

TW201346254A 用於偵測埋藏缺陷之方法及裝置审中-公开
简体标题：用于侦测埋藏缺陷之方法及设备
公开(公告)号：TW201346254A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW102110984
申请日：2013-03-27
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：蕭宏 , XIAO, HONG , 江錫滿 , JIANG, XIMAN
IPC分类号： G01N23/225
CPC分类号： G01N23/2251 , H01J37/26 , H01J37/28 , H01J2237/24475 , H01J2237/2804 , H01J2237/2817
摘要：一實施例係關於一種在一目標微觀金屬特徵中偵測一埋藏缺陷之方法。一成像裝置經組態以用一著靶能量撞擊帶電粒子使得該等帶電粒子平均上到達該目標微觀金屬特徵內之一深度。此外，該成像裝置經組態以濾出二次電子且偵測背向散射電子。接著，操作該成像裝置以收集歸因於該等帶電粒子之撞擊而自該目標微觀金屬特徵發射之該等背向散射電子。比較該目標微觀金屬特徵之一背向散射電子(BSE)影像與一參考微觀金屬特徵之BSE影像，以偵測該埋藏缺陷並對該埋藏缺陷進行分類。本發明亦揭示其他實施例、態樣及特徵。
简体摘要：一实施例系关于一种在一目标微观金属特征中侦测一埋藏缺陷之方法。一成像设备经组态以用一着靶能量撞击带电粒子使得该等带电粒子平均上到达该目标微观金属特征内之一深度。此外，该成像设备经组态以滤出二次电子且侦测背向散射电子。接着，操作该成像设备以收集归因于该等带电粒子之撞击而自该目标微观金属特征发射之该等背向散射电子。比较该目标微观金属特征之一背向散射电子(BSE)影像与一参考微观金属特征之BSE影像，以侦测该埋藏缺陷并对该埋藏缺陷进行分类。本发明亦揭示其他实施例、态样及特征。

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