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1. 发明专利

TWI583034B 半導體裝置、磁穿隧接面及其製造方法有权
简体标题：半导体设备、磁穿隧接面及其制造方法
公开(公告)号：TWI583034B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW105100413
申请日：2016-01-07
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：西迪克曼札拉 , SIDDIK, MANZAR , 庫拉維托 , KULA, WITOLD , 拉瑪羅傑蘇瑞許 , RAMARAJAN, SURESH
IPC分类号： H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/161 , H01L43/12

2. 发明专利

TW201709580A 形成磁穿隧接面之磁電極之方法及形成磁穿隧接面之方法审中-公开
简体标题：形成磁穿隧接面之磁电极之方法及形成磁穿隧接面之方法
公开(公告)号：TW201709580A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105106927
申请日：2016-03-07
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：西迪克曼札拉 , SIDDIK, MANZAR , 庫拉維托 , KULA, WITOLD , 珊得胡高提傑S , SANDHU, GURTEJ S.
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/12 , G11C11/161 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要：本發明揭示形成磁穿隧接面之磁電極之方法，其包括：使包括MgO之非磁材料形成於所形成之磁電極之導電材料上方。使一非晶質金屬形成於包括MgO之材料上方。使包括Co及Fe之非晶質磁電極材料形成於非晶質金屬上方。非晶質磁電極材料缺乏B。直接抵靠非晶質磁電極材料而形成包括MgO之非磁穿隧絕緣體材料。穿隧絕緣體材料缺乏B。在形成穿隧絕緣體材料後，在至少約250℃之溫度處使包括Co及Fe之非晶質磁電極材料退火以自穿隧絕緣體材料之包括MgO之表面形成包括Co及Fe之結晶磁電極材料。包括Co及Fe之結晶磁電極材料缺乏B。
简体摘要：本发明揭示形成磁穿隧接面之磁电极之方法，其包括：使包括MgO之非磁材料形成于所形成之磁电极之导电材料上方。使一非晶质金属形成于包括MgO之材料上方。使包括Co及Fe之非晶质磁电极材料形成于非晶质金属上方。非晶质磁电极材料缺乏B。直接抵靠非晶质磁电极材料而形成包括MgO之非磁穿隧绝缘体材料。穿隧绝缘体材料缺乏B。在形成穿隧绝缘体材料后，在至少约250℃之温度处使包括Co及Fe之非晶质磁电极材料退火以自穿隧绝缘体材料之包括MgO之表面形成包括Co及Fe之结晶磁电极材料。包括Co及Fe之结晶磁电极材料缺乏B。

3. 发明专利

TW201707247A 磁穿隧接面审中-公开
公开(公告)号：TW201707247A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105111693
申请日：2016-04-14
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：哈瑪斯強納森D , HARMS, JONATHAN D. , 陳偉 , CHEN, WEI , 墨西桑尼爾S , MURTHY, SUNIL S. , 庫拉維托 , KULA, WITOLD
IPC分类号： H01L43/02
CPC分类号： H01L43/08
摘要：本發明揭示一種磁穿隧接面，其具有包括磁性記錄材料之一導電第一磁性電極。一導電第二磁性電極與該第一電極隔開且包括磁性參考材料。一非磁性穿隧絕緣體材料介於該第一電極與該第二電極之間。該第一電極之該磁性記錄材料包括一第一磁性區域、與該第一磁性區域隔開之一第二磁性區域、及與該第一磁性區域及該第二磁性區域隔開之一第三磁性區域。包括金屬氧化物之一第一非磁性絕緣體區域介於該第一磁性區域與該第二磁性區域之間。包括金屬氧化物之一第二非磁性絕緣體區域介於該第二磁性區域與該第三磁性區域之間。本發明亦揭示其他實施例。
简体摘要：本发明揭示一种磁穿隧接面，其具有包括磁性记录材料之一导电第一磁性电极。一导电第二磁性电极与该第一电极隔开且包括磁性参考材料。一非磁性穿隧绝缘体材料介于该第一电极与该第二电极之间。该第一电极之该磁性记录材料包括一第一磁性区域、与该第一磁性区域隔开之一第二磁性区域、及与该第一磁性区域及该第二磁性区域隔开之一第三磁性区域。包括金属氧化物之一第一非磁性绝缘体区域介于该第一磁性区域与该第二磁性区域之间。包括金属氧化物之一第二非磁性绝缘体区域介于该第二磁性区域与该第三磁性区域之间。本发明亦揭示其他实施例。

4. 发明专利

TWI545563B 記憶體單元、製造方法、半導體裝置、記憶體系統及電子系統有权
简体标题：内存单元、制造方法、半导体设备、内存系统及电子系统
公开(公告)号：TWI545563B
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：TW103131227
申请日：2014-09-10
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：珊得胡高提傑S , SANDHU, GURTEJ S. , 庫拉維托 , KULA, WITOLD
IPC分类号： G11C11/16 , H01L43/08
CPC分类号： H01L43/10 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L27/226 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12

5. 发明专利

TW201530540A 記憶體單元、製造方法、半導體裝置、記憶體系統及電子系統审中-公开
简体标题：内存单元、制造方法、半导体设备、内存系统及电子系统
公开(公告)号：TW201530540A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103131227
申请日：2014-09-10
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：珊得胡高提傑S , SANDHU, GURTEJ S. , 庫拉維托 , KULA, WITOLD
IPC分类号： G11C11/16 , H01L43/08
CPC分类号： H01L43/10 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L27/226 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要：磁性單元包含中間氧化物區域(例如，穿隧障壁)與第二氧化物區域之間的自由區域。兩個氧化物區域皆可經組態以誘發與該自由區域之磁各向異性(「MA」)，從而增強該自由區域之MA強度。接近於該第二氧化物區域之吸氣劑材料經配製且經組態以自該第二氧化物區域移除氧以減小該第二氧化物區域之氧濃度且因此減小電阻。因此，該第二氧化物區域僅最小程度地貢獻於單元芯之該電阻。因此，本發明之實施例達成高效磁阻、低電阻面積產品及低程式化電壓以及該增強之MA強度。亦揭示製造方法、記憶體陣列、記憶體系統及電子系統。
简体摘要：磁性单元包含中间氧化物区域(例如，穿隧障壁)与第二氧化物区域之间的自由区域。两个氧化物区域皆可经组态以诱发与该自由区域之磁各向异性(“MA”)，从而增强该自由区域之MA强度。接近于该第二氧化物区域之吸气剂材料经配制且经组态以自该第二氧化物区域移除氧以减小该第二氧化物区域之氧浓度且因此减小电阻。因此，该第二氧化物区域仅最小程度地贡献於单元芯之该电阻。因此，本发明之实施例达成高效磁阻、低电阻面积产品及低进程化电压以及该增强之MA强度。亦揭示制造方法、内存数组、内存系统及电子系统。

6. 发明专利

TW201448170A 記憶體單元、製造方法、半導體裝置結構及記憶體系統审中-公开
简体标题：内存单元、制造方法、半导体设备结构及内存系统
公开(公告)号：TW201448170A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103108820
申请日：2014-03-12
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：陳偉 , CHEN, WEI , 莫西桑尼爾 , MURTHY, SUNIL , 庫拉維托 , KULA, WITOLD
IPC分类号： H01L27/04 , H01L45/00
CPC分类号： H01L43/02 , G11C11/161 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要：本發明揭示磁性記憶體單元、製造方法、半導體裝置結構及記憶體系統。一磁性單元核心包含：至少一磁性區域(例如，一自由區域或一固定區域)，其經組態以展現一垂直磁性定向；至少一基於氧化物之區域，其可以係一穿隧接面區域或一個氧化物頂蓋區域；及至少一磁性介面區域，其可包括鐵(Fe)或由鐵組成。在一些實施例中，該磁性介面區域藉由一磁性區域與至少一基於氧化物之區域隔開。該磁性介面區域之存在增強該磁性單元核心之垂直磁性非等向性(PMA)強度。在一些實施例中，相較於缺少該磁性介面區域之相同磁性單元核心結構之PMA強度，該PMA強度可增強50%以上。
简体摘要：本发明揭示磁性内存单元、制造方法、半导体设备结构及内存系统。一磁性单元内核包含：至少一磁性区域(例如，一自由区域或一固定区域)，其经组态以展现一垂直磁性定向；至少一基于氧化物之区域，其可以系一穿隧接面区域或一个氧化物顶盖区域；及至少一磁性界面区域，其可包括铁(Fe)或由铁组成。在一些实施例中，该磁性界面区域借由一磁性区域与至少一基于氧化物之区域隔开。该磁性界面区域之存在增强该磁性单元内核之垂直磁性非等向性(PMA)强度。在一些实施例中，相较于缺少该磁性界面区域之相同磁性单元内核结构之PMA强度，该PMA强度可增强50%以上。

7. 发明专利

TWI602329B 磁穿隧接面有权
公开(公告)号：TWI602329B
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：TW105111693
申请日：2016-04-14
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：哈瑪斯強納森D , HARMS, JONATHAN D. , 陳偉 , CHEN, WEI , 墨西桑尼爾S , MURTHY, SUNIL S. , 庫拉維托 , KULA, WITOLD
IPC分类号： H01L43/02
CPC分类号： H01L43/08

8. 发明专利

TW201709581A 磁穿隧接面审中-公开
公开(公告)号：TW201709581A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105107669
申请日：2016-03-11
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：西迪克曼札拉 , SIDDIK, MANZAR , 庫拉維托 , KULA, WITOLD , 珊得胡高提傑S , SANDHU, GURTEJ S.
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/10
CPC分类号： H01L43/10 , H01L43/08
摘要：本發明揭示形成磁穿隧接面之磁電極之方法，其包括：使包括MgO之非磁材料形成於所形成之磁電極之導電材料上方。使一非晶質金屬形成於包括MgO之材料上方。使包括Co及Fe之非晶質磁電極材料形成於非晶質金屬上方。非晶質磁電極材料缺乏B。直接抵靠非晶質磁電極材料而形成包括MgO之非磁穿隧絕緣體材料。穿隧絕緣體材料缺乏B。在形成穿隧絕緣體材料後，在至少約250℃之溫度處使包括Co及Fe之非晶質磁電極材料退火以自穿隧絕緣體材料之包括MgO之表面形成包括Co及Fe之結晶磁電極材料。包括Co及Fe之結晶磁電極材料缺乏B。
简体摘要：本发明揭示形成磁穿隧接面之磁电极之方法，其包括：使包括MgO之非磁材料形成于所形成之磁电极之导电材料上方。使一非晶质金属形成于包括MgO之材料上方。使包括Co及Fe之非晶质磁电极材料形成于非晶质金属上方。非晶质磁电极材料缺乏B。直接抵靠非晶质磁电极材料而形成包括MgO之非磁穿隧绝缘体材料。穿隧绝缘体材料缺乏B。在形成穿隧绝缘体材料后，在至少约250℃之温度处使包括Co及Fe之非晶质磁电极材料退火以自穿隧绝缘体材料之包括MgO之表面形成包括Co及Fe之结晶磁电极材料。包括Co及Fe之结晶磁电极材料缺乏B。

9. 发明专利

TWI555173B 記憶體單元、製造方法、半導體裝置結構及記憶體系統有权
简体标题：内存单元、制造方法、半导体设备结构及内存系统
公开(公告)号：TWI555173B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW103108820
申请日：2014-03-12
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：陳偉 , CHEN, WEI , 莫西桑尼爾 , MURTHY, SUNIL , 庫拉維托 , KULA, WITOLD
IPC分类号： H01L27/04 , H01L45/00
CPC分类号： H01L43/02 , G11C11/161 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12

10. 发明专利

TW201637254A 半導體裝置、磁穿隧接面及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备、磁穿隧接面及其制造方法
公开(公告)号：TW201637254A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW105100413
申请日：2016-01-07
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：西迪克曼札拉 , SIDDIK, MANZAR , 庫拉維托 , KULA, WITOLD , 拉瑪羅傑蘇瑞許 , RAMARAJAN, SURESH
IPC分类号： H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/161 , H01L43/12
摘要：一種半導體裝置，其包括一磁性單元結構陣列，各磁性單元結構包括一基板上之一電極上方之一磁穿隧接面。各磁穿隧接面包含基板上方之一磁性材料、磁性材料上方之一第一穿隧障壁材料、經退火第一穿隧障壁材料上方之一第二穿隧障壁材料，及在第二穿隧障壁材料上方之另一磁性材料。各磁穿隧接面經組態以在小於約8歐姆μm2之一電阻面積乘積下展現大於或等於約180%之一穿隧磁阻。半導體裝置亦包含另一磁性材料上方之另一電極。本發明揭示包含磁穿隧接面之半導體裝置、形成磁穿隧接面之方法，及形成包含磁穿隧接面之半導體裝置之方法。
简体摘要：一种半导体设备，其包括一磁性单元结构数组，各磁性单元结构包括一基板上之一电极上方之一磁穿隧接面。各磁穿隧接面包含基板上方之一磁性材料、磁性材料上方之一第一穿隧障壁材料、经退火第一穿隧障壁材料上方之一第二穿隧障壁材料，及在第二穿隧障壁材料上方之另一磁性材料。各磁穿隧接面经组态以在小于约8欧姆μm2之一电阻面积乘积下展现大于或等于约180%之一穿隧磁阻。半导体设备亦包含另一磁性材料上方之另一电极。本发明揭示包含磁穿隧接面之半导体设备、形成磁穿隧接面之方法，及形成包含磁穿隧接面之半导体设备之方法。

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