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1. 发明专利

TWI640110B 磁穿隧接面有权
公开(公告)号：TWI640110B
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW106110795
申请日：2017-03-30
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：陳偉 , CHEN, WEI , 庫拉維托 , KULA, WITOLD , 西迪克曼札拉 , SIDDIK, MANZAR , 拉瑪羅傑蘇瑞許 , RAMARAJAN, SURESH , 哈瑪斯強納森 D , HARMS, JONATHAN D.
IPC分类号： H01L43/12 , H01L43/10

2. 发明专利

TW201740582A 磁穿隧接面审中-公开
公开(公告)号：TW201740582A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW106110795
申请日：2017-03-30
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：陳偉 , CHEN, WEI , 庫拉維托 , KULA, WITOLD , 西迪克曼札拉 , SIDDIK, MANZAR , 拉瑪羅傑蘇瑞許 , RAMARAJAN, SURESH , 哈瑪斯強納森 D , HARMS, JONATHAN D.
IPC分类号： H01L43/12 , H01L43/10
CPC分类号： H01L43/02 , G11C11/161 , H01L27/224 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要：一種磁穿隧接面包括：一導電第一磁性電極，其包括磁性記錄材料；一導電第二磁性電極，其與該第一電極隔開且包括磁性參考材料；及一非磁性穿隧絕緣體材料，其在該第一電極與該第二電極之間。該第二電極之該磁性參考材料包括一合成反鐵磁性構造，該合成反鐵磁性構造包括兩個隔開的磁性區域，該等磁性區域之一者比另一者更靠近該穿隧絕緣體材料。一個磁性區域包括一極化器區域，該極化器區域包括CoxFeyBz，其中「x」為0至90，「y」為10至90且「z」為10至50。該CoxFeyBz直接抵靠該穿隧絕緣體。包括一含Os材料之一非磁性區域在該兩個隔開的磁性區域之間。該另一磁性區域包括一磁性含Co材料。本發明揭示其他實施例。
简体摘要：一种磁穿隧接面包括：一导电第一磁性电极，其包括磁性记录材料；一导电第二磁性电极，其与该第一电极隔开且包括磁性参考材料；及一非磁性穿隧绝缘体材料，其在该第一电极与该第二电极之间。该第二电极之该磁性参考材料包括一合成反铁磁性构造，该合成反铁磁性构造包括两个隔开的磁性区域，该等磁性区域之一者比另一者更靠近该穿隧绝缘体材料。一个磁性区域包括一极化器区域，该极化器区域包括CoxFeyBz，其中“x”为0至90，“y”为10至90且“z”为10至50。该CoxFeyBz直接抵靠该穿隧绝缘体。包括一含Os材料之一非磁性区域在该两个隔开的磁性区域之间。该另一磁性区域包括一磁性含Co材料。本发明揭示其他实施例。

3. 发明专利

TWI605451B 磁穿隧接面有权
公开(公告)号：TWI605451B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW105121920
申请日：2016-07-12
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：哈瑪斯強納森D , HARMS, JONATHAN D. , 陳偉 , CHEN, WEI , 墨西桑尼爾S , MURTHY, SUNIL S.
IPC分类号： G11C11/16 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10
CPC分类号： H01L43/10 , G11C11/161 , H01L43/02 , H01L43/08

4. 发明专利

TW201717199A 磁穿隧接面审中-公开
公开(公告)号：TW201717199A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105121920
申请日：2016-07-12
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：哈瑪斯強納森D , HARMS, JONATHAN D. , 陳偉 , CHEN, WEI , 墨西桑尼爾S , MURTHY, SUNIL S.
IPC分类号： G11C11/16 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10
CPC分类号： H01L43/10 , G11C11/161 , H01L43/02 , H01L43/08
摘要：某些實施例包含一種磁穿隧接面，其包括磁參考材料，該磁參考材料具有位於一多層堆疊與一極化器區之間的一含銥區。某些實施例包含一種磁穿隧接面，其具有：一導電第一磁電極，其含有磁記錄材料；一導電第二磁電極，其與該第一電極間隔開且含有磁參考材料；及一非磁絕緣體材料，其位於該第一電極與該第二電極之間。該第二電極之該磁參考材料：包含含有與鉑、鈀及鎳中之一或多者交替之鈷之一堆疊的一第一區；包含位於該第一區上方之一含銥第二區；且包含位於該第二區上方之一含鈷第三區。該第三區直接抵靠該非磁絕緣體材料。
简体摘要：某些实施例包含一种磁穿隧接面，其包括磁参考材料，该磁参考材料具有位于一多层堆栈与一极化器区之间的一含铱区。某些实施例包含一种磁穿隧接面，其具有：一导电第一磁电极，其含有磁记录材料；一导电第二磁电极，其与该第一电极间隔开且含有磁参考材料；及一非磁绝缘体材料，其位于该第一电极与该第二电极之间。该第二电极之该磁参考材料：包含含有与铂、钯及镍中之一或多者交替之钴之一堆栈的一第一区；包含位于该第一区上方之一含铱第二区；且包含位于该第二区上方之一含钴第三区。该第三区直接抵靠该非磁绝缘体材料。

5. 发明专利

TW201707247A 磁穿隧接面审中-公开
公开(公告)号：TW201707247A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105111693
申请日：2016-04-14
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：哈瑪斯強納森D , HARMS, JONATHAN D. , 陳偉 , CHEN, WEI , 墨西桑尼爾S , MURTHY, SUNIL S. , 庫拉維托 , KULA, WITOLD
IPC分类号： H01L43/02
CPC分类号： H01L43/08
摘要：本發明揭示一種磁穿隧接面，其具有包括磁性記錄材料之一導電第一磁性電極。一導電第二磁性電極與該第一電極隔開且包括磁性參考材料。一非磁性穿隧絕緣體材料介於該第一電極與該第二電極之間。該第一電極之該磁性記錄材料包括一第一磁性區域、與該第一磁性區域隔開之一第二磁性區域、及與該第一磁性區域及該第二磁性區域隔開之一第三磁性區域。包括金屬氧化物之一第一非磁性絕緣體區域介於該第一磁性區域與該第二磁性區域之間。包括金屬氧化物之一第二非磁性絕緣體區域介於該第二磁性區域與該第三磁性區域之間。本發明亦揭示其他實施例。
简体摘要：本发明揭示一种磁穿隧接面，其具有包括磁性记录材料之一导电第一磁性电极。一导电第二磁性电极与该第一电极隔开且包括磁性参考材料。一非磁性穿隧绝缘体材料介于该第一电极与该第二电极之间。该第一电极之该磁性记录材料包括一第一磁性区域、与该第一磁性区域隔开之一第二磁性区域、及与该第一磁性区域及该第二磁性区域隔开之一第三磁性区域。包括金属氧化物之一第一非磁性绝缘体区域介于该第一磁性区域与该第二磁性区域之间。包括金属氧化物之一第二非磁性绝缘体区域介于该第二磁性区域与该第三磁性区域之间。本发明亦揭示其他实施例。

6. 发明专利

TW201631814A 磁單元結構及其製造方法审中-公开
简体标题：磁单元结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201631814A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW104139568
申请日：2015-11-26
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：陳偉 , CHEN, WEI , 哈瑪斯強納森D , HARMS, JONATHAN D. , 墨西桑尼爾 , MURTHY, SUNIL
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/02 , H01L27/22 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/228 , H01L43/12
摘要：本發明揭示一種磁單元結構，其包括包含鉭、鉑及釕之一晶種材料。該晶種材料包括上覆一鉭部分之一鉑部分及上覆該鉑部分之一釕部分。該磁單元結構包括上覆該晶種材料之一磁區、上覆該磁區之一絕緣材料及上覆該絕緣材料之另一磁區。本發明亦揭示包含該磁單元結構之半導體裝置、形成該磁單元結構及該等半導體裝置之方法。
简体摘要：本发明揭示一种磁单元结构，其包括包含钽、铂及钌之一晶种材料。该晶种材料包括上覆一钽部分之一铂部分及上覆该铂部分之一钌部分。该磁单元结构包括上覆该晶种材料之一磁区、上覆该磁区之一绝缘材料及上覆该绝缘材料之另一磁区。本发明亦揭示包含该磁单元结构之半导体设备、形成该磁单元结构及该等半导体设备之方法。

7. 发明专利

TW201539440A 具有自動對準極化器之記憶體單元审中-公开
简体标题：具有自动对准极化器之内存单元
公开(公告)号：TW201539440A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104108834
申请日：2015-03-19
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：哈瑪斯強納森D , HARMS, JONATHAN D. , 陳偉 , CHEN, WEI , 墨西桑尼爾S , MURTHY, SUNIL S.
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： H04L43/08 , G11C11/161 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12 , H04L43/02
摘要：本文中闡述自旋轉矩轉移記憶體單元及其形成方法。作為一實例，自旋轉矩轉移記憶體單元可包含一自動對準極化器、一經釘紮極化器，及形成於該自動對準極化器與該經釘紮極化器之間之一儲存材料。
简体摘要：本文中阐述自旋转矩转移内存单元及其形成方法。作为一实例，自旋转矩转移内存单元可包含一自动对准极化器、一经钉扎极化器，及形成于该自动对准极化器与该经钉扎极化器之间之一存储材料。

8. 发明专利

TW201448170A 記憶體單元、製造方法、半導體裝置結構及記憶體系統审中-公开
简体标题：内存单元、制造方法、半导体设备结构及内存系统
公开(公告)号：TW201448170A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103108820
申请日：2014-03-12
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：陳偉 , CHEN, WEI , 莫西桑尼爾 , MURTHY, SUNIL , 庫拉維托 , KULA, WITOLD
IPC分类号： H01L27/04 , H01L45/00
CPC分类号： H01L43/02 , G11C11/161 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要：本發明揭示磁性記憶體單元、製造方法、半導體裝置結構及記憶體系統。一磁性單元核心包含：至少一磁性區域(例如，一自由區域或一固定區域)，其經組態以展現一垂直磁性定向；至少一基於氧化物之區域，其可以係一穿隧接面區域或一個氧化物頂蓋區域；及至少一磁性介面區域，其可包括鐵(Fe)或由鐵組成。在一些實施例中，該磁性介面區域藉由一磁性區域與至少一基於氧化物之區域隔開。該磁性介面區域之存在增強該磁性單元核心之垂直磁性非等向性(PMA)強度。在一些實施例中，相較於缺少該磁性介面區域之相同磁性單元核心結構之PMA強度，該PMA強度可增強50%以上。
简体摘要：本发明揭示磁性内存单元、制造方法、半导体设备结构及内存系统。一磁性单元内核包含：至少一磁性区域(例如，一自由区域或一固定区域)，其经组态以展现一垂直磁性定向；至少一基于氧化物之区域，其可以系一穿隧接面区域或一个氧化物顶盖区域；及至少一磁性界面区域，其可包括铁(Fe)或由铁组成。在一些实施例中，该磁性界面区域借由一磁性区域与至少一基于氧化物之区域隔开。该磁性界面区域之存在增强该磁性单元内核之垂直磁性非等向性(PMA)强度。在一些实施例中，相较于缺少该磁性界面区域之相同磁性单元内核结构之PMA强度，该PMA强度可增强50%以上。

9. 发明专利

TWI602329B 磁穿隧接面有权
公开(公告)号：TWI602329B
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：TW105111693
申请日：2016-04-14
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：哈瑪斯強納森D , HARMS, JONATHAN D. , 陳偉 , CHEN, WEI , 墨西桑尼爾S , MURTHY, SUNIL S. , 庫拉維托 , KULA, WITOLD
IPC分类号： H01L43/02
CPC分类号： H01L43/08

10. 发明专利

TWI596808B 磁單元結構及其製造方法有权
简体标题：磁单元结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI596808B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW104139568
申请日：2015-11-26
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：陳偉 , CHEN, WEI , 哈瑪斯強納森D , HARMS, JONATHAN D. , 墨西桑尼爾 , MURTHY, SUNIL
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/02 , H01L27/22 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/228 , H01L43/12

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