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1. 发明专利

TWI590501B 磁穿隧接面有权
公开(公告)号：TWI590501B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105103841
申请日：2016-02-04
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：西迪克曼札拉 , SIDDIK, MANZAR
IPC分类号： H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10
CPC分类号： H01L43/10 , G11B5/127 , G11C11/161 , H01L43/02 , H01L43/08

2. 发明专利

TW201709580A 形成磁穿隧接面之磁電極之方法及形成磁穿隧接面之方法审中-公开
简体标题：形成磁穿隧接面之磁电极之方法及形成磁穿隧接面之方法
公开(公告)号：TW201709580A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105106927
申请日：2016-03-07
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：西迪克曼札拉 , SIDDIK, MANZAR , 庫拉維托 , KULA, WITOLD , 珊得胡高提傑S , SANDHU, GURTEJ S.
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/12 , G11C11/161 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要：本發明揭示形成磁穿隧接面之磁電極之方法，其包括：使包括MgO之非磁材料形成於所形成之磁電極之導電材料上方。使一非晶質金屬形成於包括MgO之材料上方。使包括Co及Fe之非晶質磁電極材料形成於非晶質金屬上方。非晶質磁電極材料缺乏B。直接抵靠非晶質磁電極材料而形成包括MgO之非磁穿隧絕緣體材料。穿隧絕緣體材料缺乏B。在形成穿隧絕緣體材料後，在至少約250℃之溫度處使包括Co及Fe之非晶質磁電極材料退火以自穿隧絕緣體材料之包括MgO之表面形成包括Co及Fe之結晶磁電極材料。包括Co及Fe之結晶磁電極材料缺乏B。
简体摘要：本发明揭示形成磁穿隧接面之磁电极之方法，其包括：使包括MgO之非磁材料形成于所形成之磁电极之导电材料上方。使一非晶质金属形成于包括MgO之材料上方。使包括Co及Fe之非晶质磁电极材料形成于非晶质金属上方。非晶质磁电极材料缺乏B。直接抵靠非晶质磁电极材料而形成包括MgO之非磁穿隧绝缘体材料。穿隧绝缘体材料缺乏B。在形成穿隧绝缘体材料后，在至少约250℃之温度处使包括Co及Fe之非晶质磁电极材料退火以自穿隧绝缘体材料之包括MgO之表面形成包括Co及Fe之结晶磁电极材料。包括Co及Fe之结晶磁电极材料缺乏B。

3. 发明专利

TWI640110B 磁穿隧接面有权
公开(公告)号：TWI640110B
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW106110795
申请日：2017-03-30
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：陳偉 , CHEN, WEI , 庫拉維托 , KULA, WITOLD , 西迪克曼札拉 , SIDDIK, MANZAR , 拉瑪羅傑蘇瑞許 , RAMARAJAN, SURESH , 哈瑪斯強納森 D , HARMS, JONATHAN D.
IPC分类号： H01L43/12 , H01L43/10

4. 发明专利

TWI627769B 記憶體單元、製造方法及半導體裝置有权
简体标题：内存单元、制造方法及半导体设备
公开(公告)号：TWI627769B
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：TW103132306
申请日：2014-09-18
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：西迪克曼札拉 , SIDDIK, MANZAR , 萊爾安迪 , LYLE, ANDY , 庫拉維托 , KULA, WITOLD
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/12

5. 发明专利

TW201740582A 磁穿隧接面审中-公开
公开(公告)号：TW201740582A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW106110795
申请日：2017-03-30
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：陳偉 , CHEN, WEI , 庫拉維托 , KULA, WITOLD , 西迪克曼札拉 , SIDDIK, MANZAR , 拉瑪羅傑蘇瑞許 , RAMARAJAN, SURESH , 哈瑪斯強納森 D , HARMS, JONATHAN D.
IPC分类号： H01L43/12 , H01L43/10
CPC分类号： H01L43/02 , G11C11/161 , H01L27/224 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要：一種磁穿隧接面包括：一導電第一磁性電極，其包括磁性記錄材料；一導電第二磁性電極，其與該第一電極隔開且包括磁性參考材料；及一非磁性穿隧絕緣體材料，其在該第一電極與該第二電極之間。該第二電極之該磁性參考材料包括一合成反鐵磁性構造，該合成反鐵磁性構造包括兩個隔開的磁性區域，該等磁性區域之一者比另一者更靠近該穿隧絕緣體材料。一個磁性區域包括一極化器區域，該極化器區域包括CoxFeyBz，其中「x」為0至90，「y」為10至90且「z」為10至50。該CoxFeyBz直接抵靠該穿隧絕緣體。包括一含Os材料之一非磁性區域在該兩個隔開的磁性區域之間。該另一磁性區域包括一磁性含Co材料。本發明揭示其他實施例。
简体摘要：一种磁穿隧接面包括：一导电第一磁性电极，其包括磁性记录材料；一导电第二磁性电极，其与该第一电极隔开且包括磁性参考材料；及一非磁性穿隧绝缘体材料，其在该第一电极与该第二电极之间。该第二电极之该磁性参考材料包括一合成反铁磁性构造，该合成反铁磁性构造包括两个隔开的磁性区域，该等磁性区域之一者比另一者更靠近该穿隧绝缘体材料。一个磁性区域包括一极化器区域，该极化器区域包括CoxFeyBz，其中“x”为0至90，“y”为10至90且“z”为10至50。该CoxFeyBz直接抵靠该穿隧绝缘体。包括一含Os材料之一非磁性区域在该两个隔开的磁性区域之间。该另一磁性区域包括一磁性含Co材料。本发明揭示其他实施例。

6. 发明专利

TWI700714B 鐵電組件及形成鐵電組件之方法有权
简体标题：铁电组件及形成铁电组件之方法
公开(公告)号：TWI700714B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW107144920
申请日：2018-12-13
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：廖艾爾伯 , LIAO, ALBERT , 西迪克曼札拉 , SIDDIK, MANZAR
IPC分类号： H01G4/008 , H01G4/018 , G11C11/22

7. 发明专利

TW201709581A 磁穿隧接面审中-公开
公开(公告)号：TW201709581A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105107669
申请日：2016-03-11
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：西迪克曼札拉 , SIDDIK, MANZAR , 庫拉維托 , KULA, WITOLD , 珊得胡高提傑S , SANDHU, GURTEJ S.
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/10
CPC分类号： H01L43/10 , H01L43/08
摘要：本發明揭示形成磁穿隧接面之磁電極之方法，其包括：使包括MgO之非磁材料形成於所形成之磁電極之導電材料上方。使一非晶質金屬形成於包括MgO之材料上方。使包括Co及Fe之非晶質磁電極材料形成於非晶質金屬上方。非晶質磁電極材料缺乏B。直接抵靠非晶質磁電極材料而形成包括MgO之非磁穿隧絕緣體材料。穿隧絕緣體材料缺乏B。在形成穿隧絕緣體材料後，在至少約250℃之溫度處使包括Co及Fe之非晶質磁電極材料退火以自穿隧絕緣體材料之包括MgO之表面形成包括Co及Fe之結晶磁電極材料。包括Co及Fe之結晶磁電極材料缺乏B。
简体摘要：本发明揭示形成磁穿隧接面之磁电极之方法，其包括：使包括MgO之非磁材料形成于所形成之磁电极之导电材料上方。使一非晶质金属形成于包括MgO之材料上方。使包括Co及Fe之非晶质磁电极材料形成于非晶质金属上方。非晶质磁电极材料缺乏B。直接抵靠非晶质磁电极材料而形成包括MgO之非磁穿隧绝缘体材料。穿隧绝缘体材料缺乏B。在形成穿隧绝缘体材料后，在至少约250℃之温度处使包括Co及Fe之非晶质磁电极材料退火以自穿隧绝缘体材料之包括MgO之表面形成包括Co及Fe之结晶磁电极材料。包括Co及Fe之结晶磁电极材料缺乏B。

8. 发明专利

TW201637254A 半導體裝置、磁穿隧接面及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备、磁穿隧接面及其制造方法
公开(公告)号：TW201637254A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW105100413
申请日：2016-01-07
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：西迪克曼札拉 , SIDDIK, MANZAR , 庫拉維托 , KULA, WITOLD , 拉瑪羅傑蘇瑞許 , RAMARAJAN, SURESH
IPC分类号： H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/161 , H01L43/12
摘要：一種半導體裝置，其包括一磁性單元結構陣列，各磁性單元結構包括一基板上之一電極上方之一磁穿隧接面。各磁穿隧接面包含基板上方之一磁性材料、磁性材料上方之一第一穿隧障壁材料、經退火第一穿隧障壁材料上方之一第二穿隧障壁材料，及在第二穿隧障壁材料上方之另一磁性材料。各磁穿隧接面經組態以在小於約8歐姆μm2之一電阻面積乘積下展現大於或等於約180%之一穿隧磁阻。半導體裝置亦包含另一磁性材料上方之另一電極。本發明揭示包含磁穿隧接面之半導體裝置、形成磁穿隧接面之方法，及形成包含磁穿隧接面之半導體裝置之方法。
简体摘要：一种半导体设备，其包括一磁性单元结构数组，各磁性单元结构包括一基板上之一电极上方之一磁穿隧接面。各磁穿隧接面包含基板上方之一磁性材料、磁性材料上方之一第一穿隧障壁材料、经退火第一穿隧障壁材料上方之一第二穿隧障壁材料，及在第二穿隧障壁材料上方之另一磁性材料。各磁穿隧接面经组态以在小于约8欧姆μm2之一电阻面积乘积下展现大于或等于约180%之一穿隧磁阻。半导体设备亦包含另一磁性材料上方之另一电极。本发明揭示包含磁穿隧接面之半导体设备、形成磁穿隧接面之方法，及形成包含磁穿隧接面之半导体设备之方法。

9. 发明专利

TWI666800B 半導體結構，記憶體單元及裝置，包含上述之系統及其相關聯方法有权
简体标题：半导体结构，内存单元及设备，包含上述之系统及其相关联方法
公开(公告)号：TWI666800B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW107115512
申请日：2018-05-08
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：廖艾爾伯 , LIAO, ALBERT , 肯尼韋恩 I , KINNEY, WAYNE I. , 李宜芳 , LEE, YI FENG , 西迪克曼札拉 , SIDDIK, MANZAR
IPC分类号： H01L43/12 , H01L43/10

10. 发明专利

TWI583034B 半導體裝置、磁穿隧接面及其製造方法有权
简体标题：半导体设备、磁穿隧接面及其制造方法
公开(公告)号：TWI583034B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW105100413
申请日：2016-01-07
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：西迪克曼札拉 , SIDDIK, MANZAR , 庫拉維托 , KULA, WITOLD , 拉瑪羅傑蘇瑞許 , RAMARAJAN, SURESH
IPC分类号： H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/161 , H01L43/12

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