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1. 发明专利

TWI525183B 用於研磨相變合金之化學機械研磨組成物及方法有权
简体标题：用于研磨相变合金之化学机械研磨组成物及方法
公开(公告)号：TWI525183B
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：TW101112579
申请日：2012-04-10
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：李在錫 , LEE, JAESEOK , 郭毅 , GUO, YI , 瑞迪肯查拉阿瑞庫瑪 , REDDY, KANCHARLA-ARUN KUMAR , 張廣雲 , ZHANG, GUANGYUN
IPC分类号： C09K3/14 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC分类号： C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1683

2. 发明专利

TW201326377A 使用可調研磨製劑之研磨方法审中-公开
简体标题：使用可调研磨制剂之研磨方法
公开(公告)号：TW201326377A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW101138190
申请日：2012-10-17
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：郭毅 , GUO, YI , 瑞迪肯查拉阿瑞庫瑪 , REDDY, KANCHARLA-ARUN KUMAR
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304 , B24B37/00
CPC分类号： H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1463
摘要：提供一種具有多晶矽過載物沉積於矽氮化物上方之基板之化學機械研磨方法，該方法係使用多種化學機械研磨組成物濃縮物之稀釋液來研磨該基板，其中，該用以研磨該基板之濃縮物的第一稀釋液係調成具有第一多晶矽去除率及第一多晶矽對矽氮化物之去除率選擇性；及其中，該用以研磨該基板之濃縮物的第二稀釋液係調成具有第二多晶矽去除率及第二多晶矽對矽氮化物之去除率選擇性。
简体摘要：提供一种具有多晶硅重载物沉积于硅氮化物上方之基板之化学机械研磨方法，该方法系使用多种化学机械研磨组成物浓缩物之稀释液来研磨该基板，其中，该用以研磨该基板之浓缩物的第一稀释液系调成具有第一多晶硅去除率及第一多晶硅对硅氮化物之去除率选择性；及其中，该用以研磨该基板之浓缩物的第二稀释液系调成具有第二多晶硅去除率及第二多晶硅对硅氮化物之去除率选择性。

3. 发明专利

TWI629324B 研磨基板之方法有权
公开(公告)号：TWI629324B
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：TW101138191
申请日：2012-10-17
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：郭毅 , GUO, YI , 瑞迪肯查拉阿瑞庫瑪 , REDDY, KANCHARLA-ARUN KUMAR
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/302

4. 发明专利

TWI609073B 使用可調研磨製劑之研磨方法有权
简体标题：使用可调研磨制剂之研磨方法
公开(公告)号：TWI609073B
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：TW101138190
申请日：2012-10-17
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：郭毅 , GUO, YI , 瑞迪肯查拉阿瑞庫瑪 , REDDY, KANCHARLA-ARUN KUMAR
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304 , B24B37/00
CPC分类号： H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1463

5. 发明专利

TWI480368B 安定之化學機械研磨組成物及研磨基材之方法有权
简体标题：安定之化学机械研磨组成物及研磨基材之方法
公开(公告)号：TWI480368B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW100120653
申请日：2011-06-14
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：郭毅 , GUO, YI , 劉振東 , LIU, ZHENDONG , 瑞迪肯查拉阿瑞庫瑪 , REDDY, KANCHARLA-ARUN KUMAR , 張廣云 , ZHANG, GUANGYUN
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463

6. 发明专利

TW201333130A 研磨基板之方法审中-公开
公开(公告)号：TW201333130A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101138191
申请日：2012-10-17
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：郭毅 , GUO, YI , 瑞迪肯查拉阿瑞庫瑪 , REDDY, KANCHARLA-ARUN KUMAR
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/302
CPC分类号： C09G1/04 , C09K3/1463 , H01L21/3212
摘要：提供一種具有多晶矽過載沉積物(overburden)於二氧化矽上方之基板之化學機械研磨方法，該方法係使用化學機械研磨組成物濃縮物之多個稀釋液來研磨該基板，其中，該用以研磨該基板之濃縮物的第一稀釋液係經調校而具有第一多晶矽去除率及第一多晶矽對二氧化矽之去除率選擇性；及其中，該用以研磨該基板之濃縮物的第二稀釋液係經調校而具有第二多晶矽去除率及第二多晶矽對二氧化矽之去除率選擇性。
简体摘要：提供一种具有多晶硅重载沉积物(overburden)于二氧化硅上方之基板之化学机械研磨方法，该方法系使用化学机械研磨组成物浓缩物之多个稀释液来研磨该基板，其中，该用以研磨该基板之浓缩物的第一稀释液系经调校而具有第一多晶硅去除率及第一多晶硅对二氧化硅之去除率选择性；及其中，该用以研磨该基板之浓缩物的第二稀释液系经调校而具有第二多晶硅去除率及第二多晶硅对二氧化硅之去除率选择性。

7. 发明专利

TW201204816A 安定之化學機械研磨組成物及研磨基材之方法 A STABILIZED CHEMICAL MECHANICAL POLISHING COMPOSITION AND METHOD OF POLISHING A SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：安定之化学机械研磨组成物及研磨基材之方法 A STABILIZED CHEMICAL MECHANICAL POLISHING COMPOSITION AND METHOD OF POLISHING A SUBSTRATE
公开(公告)号：TW201204816A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：TW100120653
申请日：2011-06-14
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司
发明人：郭毅 , 劉振東 , 瑞迪肯查拉阿瑞庫瑪 , 張廣云
IPC分类号： C09K , H01L
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463
摘要：一種化學機械研磨組成物，係包含下列物作為起始成份：水；0.1至40 wt%之平均粒子尺寸為5至150 nm的研磨劑；0.001至1 wt%之根據式(II)之金剛烷基物質；0至1 wt%之根據式(I)之雙四級物質；以及0至1 wt%之四級銨化合物。又，本發明係提供使用該化學機械研磨組成物之化學機械研磨方法。
简体摘要：一种化学机械研磨组成物，系包含下列物作为起始成份：水；0.1至40 wt%之平均粒子尺寸为5至150 nm的研磨剂；0.001至1 wt%之根据式(II)之金刚烷基物质；0至1 wt%之根据式(I)之双四级物质；以及0至1 wt%之四级铵化合物。又，本发明系提供使用该化学机械研磨组成物之化学机械研磨方法。

8. 发明专利

TW201247856A 用於研磨相變合金之化學機械研磨組成物及方法 CHEMICAL MECHANICAL POLISHING COMPOSITION AND METHOD FOR POLISHING PHASE CHANGE ALLOYS 审中-公开
简体标题：用于研磨相变合金之化学机械研磨组成物及方法 CHEMICAL MECHANICAL POLISHING COMPOSITION AND METHOD FOR POLISHING PHASE CHANGE ALLOYS
公开(公告)号：TW201247856A
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW101112579
申请日：2012-04-10
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司
发明人：李在錫 , 郭毅 , 瑞迪肯查拉阿瑞庫瑪 , 張廣雲
IPC分类号： C09K , B24B , H01L
CPC分类号： C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1683
摘要：本發明係一種用於化學機械研磨包含鍺-銻-碲(GST)硫屬化合物相變合金之基板的方法，係使用主要由作為起始成分之下列者組成之化學機械研磨組成物：水；研磨劑；酞酸、酞酸酐、酞酸酯化合物及酞酸衍生物之至少一者；螯合劑；聚(丙烯酸-共-馬來酸)；以及氧化劑；其中，該化學機械研磨組成物促成高GST移除速率及低缺陷性。
简体摘要：本发明系一种用于化学机械研磨包含锗-锑-碲(GST)硫属化合物相变合金之基板的方法，系使用主要由作为起始成分之下列者组成之化学机械研磨组成物：水；研磨剂；酞酸、酞酸酐、酞酸酯化合物及酞酸衍生物之至少一者；螯合剂；聚(丙烯酸-共-马来酸)；以及氧化剂；其中，该化学机械研磨组成物促成高GST移除速率及低缺陷性。

9. 发明专利

TW201209147A 研磨硫屬化物合金之方法 METHOD OF POLISHING CHALCOGENIDE ALLOY 审中-公开
简体标题：研磨硫属化物合金之方法 METHOD OF POLISHING CHALCOGENIDE ALLOY
公开(公告)号：TW201209147A
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：TW100123049
申请日：2011-06-30
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司
发明人：柯傑厚 , 劉振東 , 索瓦特卡夫瑞 , 瑞迪肯查拉阿瑞庫瑪
IPC分类号： C09K , H01L
CPC分类号： C09G1/02 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1683
摘要：本發明係提供一種化學機械研磨基板之方法。本發明係包括：提供基板，其中，該基板係包含硫屬化物相變合金；以及提供化學機械研磨組成物，其中，該組成物係包含：水，0.1至30重量%之研磨劑，選自0.05至5重量%之鹵素化合物、0.05至5重量%之鄰苯二甲酸、0.05至5重量%之鄰苯二甲酸酐、及其鹽、衍生物及混合物的至少一種研磨試劑，其中，該化學機械研磨組成物係具有2至低於7之pH。化學機械研磨墊使用該化學機械研磨墊以及該化學機械研磨組成物研磨該基板以選擇性地或非選擇性地自該基板移除該硫屬化物相變合金。
简体摘要：本发明系提供一种化学机械研磨基板之方法。本发明系包括：提供基板，其中，该基板系包含硫属化物相变合金；以及提供化学机械研磨组成物，其中，该组成物系包含：水，0.1至30重量%之研磨剂，选自0.05至5重量%之卤素化合物、0.05至5重量%之邻苯二甲酸、0.05至5重量%之邻苯二甲酸酐、及其盐、衍生物及混合物的至少一种研磨试剂，其中，该化学机械研磨组成物系具有2至低于7之pH。化学机械研磨垫使用该化学机械研磨垫以及该化学机械研磨组成物研磨该基板以选择性地或非选择性地自该基板移除该硫属化物相变合金。

10. 发明专利

TW201213468A 用於硫屬化物合金之研磨漿 POLISHING SLURRY FOR CHALCOGENIDE ALLOY 审中-公开
简体标题：用于硫属化物合金之研磨浆 POLISHING SLURRY FOR CHALCOGENIDE ALLOY
公开(公告)号：TW201213468A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100123052
申请日：2011-06-30
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司
发明人：柯傑厚 , 劉振東 , 索瓦特卡夫瑞 , 瑞迪肯查拉阿瑞庫瑪
IPC分类号： C09G , C09K , H01L , B24B , B24D
CPC分类号： C09G1/02 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1683
摘要：本發明係提供一種用於硫屬化物相變合金基板之化學機械研磨的化學機械研磨組成物。該組成物係包含：水，0.1至30重量%之膠體氧化矽研磨劑，選自0.05至5重量%之鹵素化合物、0.05至5重量%之鄰苯二甲酸、0.05至5重量%之鄰苯二甲酸酐及其鹽、衍生物及混合物的至少一種研磨試劑。該化學機械研磨組成物係具有2至低於7之pH。
简体摘要：本发明系提供一种用于硫属化物相变合金基板之化学机械研磨的化学机械研磨组成物。该组成物系包含：水，0.1至30重量%之胶体氧化硅研磨剂，选自0.05至5重量%之卤素化合物、0.05至5重量%之邻苯二甲酸、0.05至5重量%之邻苯二甲酸酐及其盐、衍生物及混合物的至少一种研磨试剂。该化学机械研磨组成物系具有2至低于7之pH。

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