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1. 发明专利

TWI518157B 具有可調介電質研磨選擇性之漿液組成物及研磨基板之方法有权
简体标题：具有可调介电质研磨选择性之浆液组成物及研磨基板之方法
公开(公告)号：TWI518157B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW100135705
申请日：2011-10-03
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：劉振東 , LIU, ZHENDONG , 郭毅 , GUO, YI , 瑞迪阿路恩 , REDDY, ARUN , 張廣雲 , ZHANG, GUANGYUN
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/3213

2. 发明专利

TWI506105B 經安定之可濃縮化學機械研磨組成物及研磨基板之方法有权
简体标题：经安定之可浓缩化学机械研磨组成物及研磨基板之方法
公开(公告)号：TWI506105B
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW100133718
申请日：2011-09-20
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：劉振東 , LIU, ZHENDONG , 郭毅 , GUO, YI , 瑞迪阿路恩 , REDDY, ARUN , 張廣雲 , ZHANG, GUANGYUN
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/3213
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02

3. 发明专利

TW201315784A 具有可調介電質研磨選擇性之漿液組成物及研磨基板之方法审中-公开
简体标题：具有可调介电质研磨选择性之浆液组成物及研磨基板之方法
公开(公告)号：TW201315784A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：TW100135705
申请日：2011-10-03
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：劉振東 , LIU, ZHENDONG , 郭毅 , GUO, YI , 瑞迪阿路恩 , REDDY, ARUN , 張廣雲 , ZHANG, GUANGYUN
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/3213
摘要：本發明提供一種化學機械研磨漿液組成物，其包含下述初始成分：水；研磨劑；根據式(I)之經鹵化之四級銨化合物，式中R8係選自C1-10烷基與C1-10羥烷基，X1係選自氯化物、溴化物、碘化物與氟化物之鹵化物，R9、R10與R11各自獨立地選自飽和或不飽和C1-10烷基、C1-10鹵烷基、C6-15芳基、C6-15鹵芳基、C6-15芳烷基與C6-15鹵芳烷基，且式(I)中之陰離子為平衡式(I)中陽離子+電荷之任何陰離子；及，視需要之根據式(II)之雙四級(diquaternary)物質，式中各A獨立地選自N與P，R1係選自飽和或不飽和C1-C15烷基、C6-C15芳基與C6-C15芳烷基，R2、R3、R4、R5、R6與R7各自獨立地選自氫、飽和或不飽和C1-C15烷基、C6-C15芳基、C6-C15芳烷基與C6-C15烷芳基，且式(II)中之陰離子為平衡式(II)中陽離子2+電荷之任何陰離子或陰離子之組合。本發明又提供製造化學機械研磨漿液組成物之方法及使用該化學機械研磨組成物研磨基板之方法。
简体摘要：本发明提供一种化学机械研磨浆液组成物，其包含下述初始成分：水；研磨剂；根据式(I)之经卤化之四级铵化合物，式中R8系选自C1-10烷基与C1-10羟烷基，X1系选自氯化物、溴化物、碘化物与氟化物之卤化物，R9、R10与R11各自独立地选自饱和或不饱和C1-10烷基、C1-10卤烷基、C6-15芳基、C6-15卤芳基、C6-15芳烷基与C6-15卤芳烷基，且式(I)中之阴离子为平衡式(I)中阳离子+电荷之任何阴离子；及，视需要之根据式(II)之双四级(diquaternary)物质，式中各A独立地选自N与P，R1系选自饱和或不饱和C1-C15烷基、C6-C15芳基与C6-C15芳烷基，R2、R3、R4、R5、R6与R7各自独立地选自氢、饱和或不饱和C1-C15烷基、C6-C15芳基、C6-C15芳烷基与C6-C15烷芳基，且式(II)中之阴离子为平衡式(II)中阳离子2+电荷之任何阴离子或阴离子之组合。本发明又提供制造化学机械研磨浆液组成物之方法及使用该化学机械研磨组成物研磨基板之方法。

4. 发明专利

TW201224089A 經安定之可濃縮化學機械研磨組成物及研磨基板之方法 A STABILIZED, CONCENTRATABLE CHEMICAL MECHANICAL POLISHING COMPOSITION AND METHOD OF POLISHING A SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：经安定之可浓缩化学机械研磨组成物及研磨基板之方法 A STABILIZED, CONCENTRATABLE CHEMICAL MECHANICAL POLISHING COMPOSITION AND METHOD OF POLISHING A SUBSTRATE
公开(公告)号：TW201224089A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW100133718
申请日：2011-09-20
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司
发明人：劉振東 , 郭毅 , 瑞迪阿路恩 , 張廣雲
IPC分类号： C09G , C09K , B24B , H01L
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02
摘要：本發明提供一種化學機械研磨組成物，其包含為初始成分之下述成分：水；研磨劑；根據式(I)之雙四級(diquaternary)物質，式中各X獨立地選自N與P，R 1 係選自飽和或不飽和C1-C15烷基、C6-C15芳基與C6-C15芳烷基，R 2 、R 3 、R 4 、R 5 、R 6 與R 7 各自獨立地選自氫、飽和或不飽和C1-C15烷基、C6-C15芳基、C6-C15芳烷基與C6-C15烷芳基，及，式(I)中之陰離子可為平衡式(I)中陽離子2+電荷之任何陰離子或陰離子組合；根據式(II)之胍衍生物，式中R 8 係選自氫、飽和或不飽和C1-C15烷基、C6-C15芳基、C6-C15芳烷基與C6-C15烷芳基，R 9 、R 10 、R 11 與R 12 各自獨立地選自氫、飽和或不飽和C1-C15烷基、C6-C15芳基、C6-C15芳烷基與C6-C15烷芳基；及，視需要之四級銨鹽。本發明又提供一種化學機械研磨基板之方法，該方法包括：提供基板，其中該基板包含二氧化矽；提供本發明之化學機械研磨組成物；提供化學機械研磨墊；於化學機械研磨墊與基板間之界面產生動態接觸；及將該化學機械研磨組成物分配於化學機械研磨墊上之化學機械研磨墊與基板間之界面或其附近；其中該化學機械研磨組成物具有2至6之pH。
简体摘要：本发明提供一种化学机械研磨组成物，其包含为初始成分之下述成分：水；研磨剂；根据式(I)之双四级(diquaternary)物质，式中各X独立地选自N与P，R 1 系选自饱和或不饱和C1-C15烷基、C6-C15芳基与C6-C15芳烷基，R 2 、R 3 、R 4 、R 5 、R 6 与R 7 各自独立地选自氢、饱和或不饱和C1-C15烷基、C6-C15芳基、C6-C15芳烷基与C6-C15烷芳基，及，式(I)中之阴离子可为平衡式(I)中阳离子2+电荷之任何阴离子或阴离子组合；根据式(II)之胍衍生物，式中R 8 系选自氢、饱和或不饱和C1-C15烷基、C6-C15芳基、C6-C15芳烷基与C6-C15烷芳基，R 9 、R 10 、R 11 与R 12 各自独立地选自氢、饱和或不饱和C1-C15烷基、C6-C15芳基、C6-C15芳烷基与C6-C15烷芳基；及，视需要之四级铵盐。本发明又提供一种化学机械研磨基板之方法，该方法包括：提供基板，其中该基板包含二氧化硅；提供本发明之化学机械研磨组成物；提供化学机械研磨垫；于化学机械研磨垫与基板间之界面产生动态接触；及将该化学机械研磨组成物分配于化学机械研磨垫上之化学机械研磨垫与基板间之界面或其附近；其中该化学机械研磨组成物具有2至6之pH。

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