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1. 发明专利

TW201621459A 多重圖案的形成方法审中-公开
简体标题：多重图案的形成方法
公开(公告)号：TW201621459A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104127128
申请日：2015-08-20
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC , 陶氏全球科技責任有限公司 , DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC , 羅門哈斯電子材料韓國公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS KOREA LTD.
发明人：洪昌英 , HONG, CHANG-YOUNG , 徐承柏 , XU, CHENG-BAI , 金昭佑 , KIM, JUNG WOO , 劉琮 , LIU, CONG , 山田信太郎 , YAMADA, SHINTARO , 喬伊史丹羅莉安妮 , JOESTEN, LORI ANNE , 李忠奉 , LEE, CHOONG-BONG , 赫斯塔德菲利普D , HUSTAD, PHILLIP D. , 泰勒詹姆士C , TAYLOR, JAMES C.
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/40 , G03F7/32 , H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/325 , G03F7/405 , H01L21/0273 , H01L21/0337
摘要：本發明提供一多重圖案方法。該方法包括：(a)提供包含一層或多層待圖案化之半導體基板；(b)將第一光阻劑層塗佈於待圖案化之一層或多層層體上，其中，該光阻劑層係由組成物而形成，該組成物包括：一個基質聚合物，包含酸不穩定基團；光酸產生劑；及溶劑；(c)通過圖案化將該光阻劑層曝光於活化輻射；(d)烘烤該曝光的光阻劑層；(e)使烘烤後光阻劑層與第一顯影劑形成第一阻劑圖案；(f)將第一阻劑圖案以塗佈組成物處理，該組成物包含將第一阻劑圖案之側壁區域之溶解度相對於第二顯影劑從可溶轉換成不可溶之適宜手段，該第二顯影劑係不同第一顯影劑；及(g)使用第二顯影劑接觸以除去第一阻劑圖案部分，留下的溶解度經轉換之側壁區域，以形成多圖案。該方法在半導體製造工業中對於精細光微影圖案之形成有特別的應用性。
简体摘要：本发明提供一多重图案方法。该方法包括：(a)提供包含一层或多层待图案化之半导体基板；(b)将第一光阻剂层涂布于待图案化之一层或多层层体上，其中，该光阻剂层系由组成物而形成，该组成物包括：一个基质聚合物，包含酸不稳定基团；光酸产生剂；及溶剂；(c)通过图案化将该光阻剂层曝光于活化辐射；(d)烘烤该曝光的光阻剂层；(e)使烘烤后光阻剂层与第一显影剂形成第一阻剂图案；(f)将第一阻剂图案以涂布组成物处理，该组成物包含将第一阻剂图案之侧壁区域之溶解度相对于第二显影剂从可溶转换成不可溶之适宜手段，该第二显影剂系不同第一显影剂；及(g)使用第二显影剂接触以除去第一阻剂图案部分，留下的溶解度经转换之侧壁区域，以形成多图案。该方法在半导体制造工业中对于精细光微影图案之形成有特别的应用性。

3. 发明专利

TW201536880A 塡隙方法审中-公开
简体标题：填隙方法
公开(公告)号：TW201536880A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW103144924
申请日：2014-12-23
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC , 陶氏全球科技責任有限公司 , DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC , 羅門哈斯電子材料韓國公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS KOREA LTD.
发明人：沈載桓 , SIM, JAE HWAN , 朴璡洪 , PARK, JIN HONG , 林載峰 , LIM, JAE-BONG , 趙廷奎 , JO, JUNG KYU , 徐承柏 , XU, CHENG-BAI , 朴鐘根 , PARK, JONG KEUN , 李銘啓 , LI, MINGQI , 赫斯塔德菲利普D , HUSTAD, PHILLIP D.
IPC分类号： C09D5/00 , C09D125/00 , C09D133/04 , H01L21/76
CPC分类号： H01L21/76224 , H01L21/31058
摘要：係提供一種填隙方法，包含：(a)提供表面上具有浮雕影像之半導體基板，該浮雕影像包含複數個待填充之縫隙；(b)於該浮雕影像上施加填隙組成物，其中該填隙組成物包含未經交聯之可交聯聚合物、酸催化劑、交聯劑、以及溶劑，其中該可交聯聚合物包含具下列通式(I)之第一單元以及具下列通式(II)之第二單元：其中：R1選自氫、氟、C1-C3烷基與C1-C3氟烷基；以及Ar1為不含可交聯基團之視需要經取代之芳基；其中：R3選自氫、氟、C1-C3烷基與C1-C3氟烷基；以及R4選自視需要經取代之C1至C12直鏈、分枝鏈或環狀烷基，以及視需要包含雜原子之視需要經取代之C6至C15芳基，其中至少一個氫原子經官能基取代，該官能基獨立地選自於羥基、羧基、硫醇、胺、環氧基、烷氧基、醯胺，以及乙烯基；以及(c)於使該聚合物進行交聯之溫度加熱該填隙組成物。該方法特別可應用於製造半導體裝置，以填充具高縱橫比之縫隙。
简体摘要：系提供一种填隙方法，包含：(a)提供表面上具有浮雕影像之半导体基板，该浮雕影像包含复数个待填充之缝隙；(b)于该浮雕影像上施加填隙组成物，其中该填隙组成物包含未经交联之可交联聚合物、酸催化剂、交联剂、以及溶剂，其中该可交联聚合物包含具下列通式(I)之第一单元以及具下列通式(II)之第二单元：其中：R1选自氢、氟、C1-C3烷基与C1-C3氟烷基；以及Ar1为不含可交联基团之视需要经取代之芳基；其中：R3选自氢、氟、C1-C3烷基与C1-C3氟烷基；以及R4选自视需要经取代之C1至C12直链、分枝链或环状烷基，以及视需要包含杂原子之视需要经取代之C6至C15芳基，其中至少一个氢原子经官能基取代，该官能基独立地选自于羟基、羧基、硫醇、胺、环氧基、烷氧基、酰胺，以及乙烯基；以及(c)于使该聚合物进行交联之温度加热该填隙组成物。该方法特别可应用于制造半导体设备，以填充具高纵横比之缝隙。

5. 发明专利

TW201609891A 塡隙方法审中-公开
简体标题：填隙方法
公开(公告)号：TW201609891A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104121452
申请日：2015-07-02
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC , 羅門哈斯電子材料韓國公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS KOREA LTD.
发明人：沈載桓 , SIM, JAE HWAN , 林載峰 , LIM, JAE-BONG , 趙廷奎 , JO, JUNG KYU , 具本奇 , KU, BON-KI , 徐承柏 , XU, CHENG-BAI
IPC分类号： C08J7/04 , C08J3/24 , G03F7/16 , G03F7/09 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/76224 , H01L21/0276 , H01L21/31058
摘要：所提供者係填隙方法。該方法係包含：(a)提供半導體基板，該基板之表面上係具有浮雕圖像，該浮雕圖像係包含複數個待填充之隙，其中，該隙之寬度為50nm或更小；(b)將填隙組成物施加於該浮雕圖像上，其中，該填隙組成物係含有包含具可交聯基之第一聚合物、包含發色團之第二聚合物、交聯劑、酸催化劑及溶劑，其中，該第一聚合物與第二聚合物不同，其中，該填隙組成物係置於該等隙內；(c)於使該第一聚合物自交聯及/或與該第二聚合物交聯之溫度加熱該填隙組成物，以形成經交聯之聚合物；(d)於包含以該經交聯之聚合物填充之隙的基板上方形成光阻層；(e)將該光阻層圖案化曝光於活化輻射；以及，(f)顯影該光阻層以形成光阻圖案。該方法於半導體裝置之製造中尤其具有應用性，用於以抗反射塗覆材料填充高深寬比之隙。
简体摘要：所提供者系填隙方法。该方法系包含：(a)提供半导体基板，该基板之表面上系具有浮雕图像，该浮雕图像系包含复数个待填充之隙，其中，该隙之宽度为50nm或更小；(b)将填隙组成物施加于该浮雕图像上，其中，该填隙组成物系含有包含具可交联基之第一聚合物、包含发色团之第二聚合物、交联剂、酸催化剂及溶剂，其中，该第一聚合物与第二聚合物不同，其中，该填隙组成物系置于该等隙内；(c)于使该第一聚合物自交联及/或与该第二聚合物交联之温度加热该填隙组成物，以形成经交联之聚合物；(d)于包含以该经交联之聚合物填充之隙的基板上方形成光阻层；(e)将该光阻层图案化曝光于活化辐射；以及，(f)显影该光阻层以形成光阻图案。该方法于半导体设备之制造中尤其具有应用性，用于以抗反射涂覆材料填充高深宽比之隙。

6. 发明专利

TWI565741B 塡隙方法有权
简体标题：填隙方法
公开(公告)号：TWI565741B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：TW104121452
申请日：2015-07-02
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC , 羅門哈斯電子材料韓國公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS KOREA LTD.
发明人：沈載桓 , SIM, JAE HWAN , 林載峰 , LIM, JAE-BONG , 趙廷奎 , JO, JUNG KYU , 具本奇 , KU, BON-KI , 徐承柏 , XU, CHENG-BAI
IPC分类号： C08J7/04 , C08J3/24 , G03F7/16 , G03F7/09 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/76224 , H01L21/0276 , H01L21/31058

7. 发明专利

TWI541592B 用於光微影之包含鹼反應性組分之組成物及過程有权
简体标题：用于光微影之包含碱反应性组分之组成物及过程
公开(公告)号：TWI541592B
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：TW100141553
申请日：2011-11-15
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC , 陶氏全球科技責任有限公司 , DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC
发明人：王大洋 , WANG, DEYAN , 劉琮 , LIU, CONG , 李銘啟 , LI, MINGQI , 吳俊析 , OH, JOON SEOK , 徐承柏 , XU, CHENG-BAI , 康多瑞姿H , KANG, DORIS H. , 柯敏斯克拉克H , CUMMINS, CLARK H. , 歐柏馬提亞S , OBER, MATTHIAS S.
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/2041 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397

8. 发明专利

TW201624566A 形成電子裝置之方法审中-公开
简体标题：形成电子设备之方法
公开(公告)号：TW201624566A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104142731
申请日：2015-12-18
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC , 陶氏全球科技責任有限公司 , DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC
发明人：朴鍾根 , PARK, JONG KEUN , 胡斯塔德飛利浦 D , HUSTAD, PHILLIP D. , 阿克德伊馬德 , AQAD, EMAD , 李明琦 , LI, MINGQI , 徐承柏 , XU, CHENG-BAI , 特萊弗納斯彼得 III , TREFONAS, PETER, III , 薩克雷詹姆士 W , THACKERAY, JAMES W.
IPC分类号： H01L21/312 , H01L21/321
CPC分类号： H01L21/02359 , H01L21/02118 , H01L21/0212 , H01L21/02203 , H01L21/02343 , H01L21/3105 , H01L21/76826
摘要：形成電子裝置之方法包括：(a)提供半導體襯底，所述半導體襯底在其表面上包括多孔特徵；(b)在所述多孔特徵上施用組合物，其中所述組合物包括聚合物及溶劑，其中所述聚合物包括以下通式(I)重複單元：其中：Ar1、Ar2、Ar3及Ar4獨立地表示視情況經取代之二價芳族基；X1及X2獨立地表示單鍵、-O-、-C(O)-、-C(O)O-、-OC(O)-、-C(O)NR1-、-NR2C(O)-、-S-、-S(O)-、-SO2-或視情況經取代之C1-20二價烴基，其中R1及R2獨立地表示H或C1-20烴基；m為0或1；n為0或1；且o為0或1；以及(c)加熱所述組合物；其中所述聚合物安置在所述多孔特徵的孔隙中。所述方法在半導體裝置製造中發現特定可應用性，用於形成低k及超低k介電材料。
简体摘要：形成电子设备之方法包括：(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底在其表面上包括多孔特征；(b)在所述多孔特征上施用组合物，其中所述组合物包括聚合物及溶剂，其中所述聚合物包括以下通式(I)重复单元：其中：Ar1、Ar2、Ar3及Ar4独立地表示视情况经取代之二价芳族基；X1及X2独立地表示单键、-O-、-C(O)-、-C(O)O-、-OC(O)-、-C(O)NR1-、-NR2C(O)-、-S-、-S(O)-、-SO2-或视情况经取代之C1-20二价烃基，其中R1及R2独立地表示H或C1-20烃基；m为0或1；n为0或1；且o为0或1；以及(c)加热所述组合物；其中所述聚合物安置在所述多孔特征的孔隙中。所述方法在半导体设备制造中发现特定可应用性，用于形成低k及超低k介电材料。

9. 发明专利

TW201730272A 孔隙填充組合物审中-公开
简体标题：孔隙填充组合物
公开(公告)号：TW201730272A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW106113931
申请日：2015-12-18
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC , 陶氏全球科技責任有限公司 , DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC
发明人：阿克德伊馬德 , AQAD, EMAD , 朴鍾根 , PARK, JONG KEUN , 胡斯塔德飛利浦 D , HUSTAD, PHILLIP D. , 李明琦 , LI, MINGQI , 徐承柏 , XU, CHENG-BAI , 特萊弗納斯彼得 III , TREFONAS, PETER, III , 薩克雷詹姆士 W , THACKERAY, JAMES W.
IPC分类号： C08L71/08 , C08G65/34 , C08G65/48 , H01L21/312 , H01L21/321
CPC分类号： C09D5/34 , C08G65/4012 , C08G65/4043 , C08G65/485 , C09D161/16 , C09D171/00 , C09D171/12 , H01B3/307 , H01L21/02205
摘要：本發明係關於一種組合物，其包括聚合物及溶劑，其中所述聚合物包括：以下通式(I)重複單元：其中：Ar1、Ar2、Ar3及Ar4獨立地表示視情況經取代之二價芳族基；X1及X2獨立地表示單鍵、-O-、-C(O)-、-C(O)O-、-OC(O)-、-C(O)NR1-、-NR2C(O)-、-S-、-S(O)-、-SO2-或視情況經取代之C1-20二價烴基，其中R1及R2獨立地表示H或C1-20烴基；m為0或1；n為0或1；且o為0或1；及不含可聚合乙烯基及羥基之封端基團。所述組合物在半導體裝置製造中發現特定可應用性，用於形成低k及超低k介電材料。
简体摘要：本发明系关于一种组合物，其包括聚合物及溶剂，其中所述聚合物包括：以下通式(I)重复单元：其中：Ar1、Ar2、Ar3及Ar4独立地表示视情况经取代之二价芳族基；X1及X2独立地表示单键、-O-、-C(O)-、-C(O)O-、-OC(O)-、-C(O)NR1-、-NR2C(O)-、-S-、-S(O)-、-SO2-或视情况经取代之C1-20二价烃基，其中R1及R2独立地表示H或C1-20烃基；m为0或1；n为0或1；且o为0或1；及不含可聚合乙烯基及羟基之封端基团。所述组合物在半导体设备制造中发现特定可应用性，用于形成低k及超低k介电材料。

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