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1. 发明专利

TW201621459A 多重圖案的形成方法审中-公开
简体标题：多重图案的形成方法
公开(公告)号：TW201621459A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104127128
申请日：2015-08-20
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC , 陶氏全球科技責任有限公司 , DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC , 羅門哈斯電子材料韓國公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS KOREA LTD.
发明人：洪昌英 , HONG, CHANG-YOUNG , 徐承柏 , XU, CHENG-BAI , 金昭佑 , KIM, JUNG WOO , 劉琮 , LIU, CONG , 山田信太郎 , YAMADA, SHINTARO , 喬伊史丹羅莉安妮 , JOESTEN, LORI ANNE , 李忠奉 , LEE, CHOONG-BONG , 赫斯塔德菲利普D , HUSTAD, PHILLIP D. , 泰勒詹姆士C , TAYLOR, JAMES C.
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/40 , G03F7/32 , H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/325 , G03F7/405 , H01L21/0273 , H01L21/0337
摘要：本發明提供一多重圖案方法。該方法包括：(a)提供包含一層或多層待圖案化之半導體基板；(b)將第一光阻劑層塗佈於待圖案化之一層或多層層體上，其中，該光阻劑層係由組成物而形成，該組成物包括：一個基質聚合物，包含酸不穩定基團；光酸產生劑；及溶劑；(c)通過圖案化將該光阻劑層曝光於活化輻射；(d)烘烤該曝光的光阻劑層；(e)使烘烤後光阻劑層與第一顯影劑形成第一阻劑圖案；(f)將第一阻劑圖案以塗佈組成物處理，該組成物包含將第一阻劑圖案之側壁區域之溶解度相對於第二顯影劑從可溶轉換成不可溶之適宜手段，該第二顯影劑係不同第一顯影劑；及(g)使用第二顯影劑接觸以除去第一阻劑圖案部分，留下的溶解度經轉換之側壁區域，以形成多圖案。該方法在半導體製造工業中對於精細光微影圖案之形成有特別的應用性。
简体摘要：本发明提供一多重图案方法。该方法包括：(a)提供包含一层或多层待图案化之半导体基板；(b)将第一光阻剂层涂布于待图案化之一层或多层层体上，其中，该光阻剂层系由组成物而形成，该组成物包括：一个基质聚合物，包含酸不稳定基团；光酸产生剂；及溶剂；(c)通过图案化将该光阻剂层曝光于活化辐射；(d)烘烤该曝光的光阻剂层；(e)使烘烤后光阻剂层与第一显影剂形成第一阻剂图案；(f)将第一阻剂图案以涂布组成物处理，该组成物包含将第一阻剂图案之侧壁区域之溶解度相对于第二显影剂从可溶转换成不可溶之适宜手段，该第二显影剂系不同第一显影剂；及(g)使用第二显影剂接触以除去第一阻剂图案部分，留下的溶解度经转换之侧壁区域，以形成多图案。该方法在半导体制造工业中对于精细光微影图案之形成有特别的应用性。

3. 发明专利

TWI578109B 光阻之上塗組成物有权
简体标题：光阻之上涂组成物
公开(公告)号：TWI578109B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW103146519
申请日：2014-12-31
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：朴鐘根 , PARK, JONG KEUN , 李南昇 , LEE, CHRISTOPHER NAM , 安德斯西西里 , ANDES, CECILY , 李忠奉 , LEE, CHOONG-BONG
IPC分类号： G03F7/11 , C08L33/04 , C08L33/24 , C08L39/02 , C08L39/04 , C08L45/00
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/091

4. 发明专利

TWI609243B 光微影方法有权
公开(公告)号：TWI609243B
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：TW103146520
申请日：2014-12-31
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：朴鐘根 , PARK, JONG KEUN , 李南昇 , LEE, CHRISTOPHER NAM , 安德斯西西里 , ANDES, CECILY , 李忠奉 , LEE, CHOONG-BONG
IPC分类号： G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/38
CPC分类号： G03F7/38 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/30

5. 发明专利

TWI584073B 光阻外塗層組合物有权
简体标题：光阻外涂层组合物
公开(公告)号：TWI584073B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW104135277
申请日：2015-10-27
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：李忠奉 , LEE, CHOONG-BONG , 卡波里爾史帝芬 J , CAPORALE, STEFAN J. , 帝濟斯托傑森 A , DESISTO, JASON A. , 朴鍾根 , PARK, JONG KEUN , 劉聰 , LIU, CONG , 徐承柏 , XU, CHENG-BAI , 安迪斯西西利 , ANDES, CECILY
IPC分类号： G03F7/11 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F220/38 , C08F220/22 , G03F7/038 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , C09D4/06 , C09D133/06 , G03F7/0046 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/2041 , C08F220/18

6. 发明专利

TW201616243A 光阻外塗層組合物审中-公开
简体标题：光阻外涂层组合物
公开(公告)号：TW201616243A
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW104135277
申请日：2015-10-27
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：李忠奉 , LEE, CHOONG-BONG , 卡波里爾史帝芬 J , CAPORALE, STEFAN J. , 帝濟斯托傑森 A , DESISTO, JASON A. , 朴鍾根 , PARK, JONG KEUN , 劉聰 , LIU, CONG , 徐承柏 , XU, CHENG-BAI , 安迪斯西西利 , ANDES, CECILY
IPC分类号： G03F7/11 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F220/38 , C08F220/22 , G03F7/038 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , C09D4/06 , C09D133/06 , G03F7/0046 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/2041 , C08F220/18
摘要：本發明提供光阻外塗層組合物。所述組合物包括：基質聚合物、添加劑聚合物、鹼性抑止劑及有機溶劑。所述添加劑聚合物的表面能低於所述基質聚合物的表面能，且所述添加劑聚合物以按所述外塗層組合物之總固體計，1wt%至20wt%的量存在於所述外塗層組合物中。所述組合物在半導體製造業中對於用於負型顯影方法具有特定適用性。
简体摘要：本发明提供光阻外涂层组合物。所述组合物包括：基质聚合物、添加剂聚合物、碱性抑止剂及有机溶剂。所述添加剂聚合物的表面能低于所述基质聚合物的表面能，且所述添加剂聚合物以按所述外涂层组合物之总固体计，1wt%至20wt%的量存在于所述外涂层组合物中。所述组合物在半导体制造业中对于用于负型显影方法具有特定适用性。

7. 发明专利

TW201616240A 圖案形成方法审中-公开
简体标题：图案形成方法
公开(公告)号：TW201616240A
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW104133418
申请日：2015-10-12
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：李忠奉 , LEE, CHOONG-BONG , 卡波里爾史帝芬 J , CAPORALE, STEFAN J. , 帝濟斯托傑森 A , DESISTO, JASON A. , 朴鍾根 , PARK, JONG KEUN , 劉聰 , LIU, CONG , 徐承柏 , XU, CHENG-BAI , 安迪斯西西利 , ANDES, CECILY
IPC分类号： G03F7/075 , G03F7/038 , G03F7/20 , G03F7/38 , G03F7/32 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/2041 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/0752 , G03F7/11 , G03F7/325 , G03F7/38
摘要：形成電子裝置的方法，其包括：(a)提供包括一個或多個待圖案化的層的半導體基板；(b)在所述一個或多個待圖案化的層上形成光致抗蝕劑層，其中所述光致抗蝕劑層由包括以下的組成物形成：包括具有酸不穩定基團的單元的基質聚合物；光酸產生劑；以及有機溶劑；(c)在所述光致抗蝕劑層上塗佈光致抗蝕劑外塗層組成物，其中所述外塗層組成物包括：基質聚合物；添加劑聚合物；鹼性淬滅劑；以及有機溶劑；其中所述添加劑聚合物的表面能低於所述基質聚合物的表面能，且其中所述添加劑聚合物以按所述外塗層組成物的總固體計1重量%至20重量%之量存在於所述外塗層組成物中；(d)使所述光致抗蝕劑層曝光於活化輻射；(e)在曝光後烘烤加工中加熱所述基板；以及(f)使用有機溶劑顯影劑使所述經曝光膜顯影。所述方法在半導體製造業具有特殊適用性。
简体摘要：形成电子设备的方法，其包括：(a)提供包括一个或多个待图案化的层的半导体基板；(b)在所述一个或多个待图案化的层上形成光致抗蚀剂层，其中所述光致抗蚀剂层由包括以下的组成物形成：包括具有酸不稳定基团的单元的基质聚合物；光酸产生剂；以及有机溶剂；(c)在所述光致抗蚀剂层上涂布光致抗蚀剂外涂层组成物，其中所述外涂层组成物包括：基质聚合物；添加剂聚合物；碱性淬灭剂；以及有机溶剂；其中所述添加剂聚合物的表面能低于所述基质聚合物的表面能，且其中所述添加剂聚合物以按所述外涂层组成物的总固体计1重量%至20重量%之量存在于所述外涂层组成物中；(d)使所述光致抗蚀剂层曝光于活化辐射；(e)在曝光后烘烤加工中加热所述基板；以及(f)使用有机溶剂显影剂使所述经曝光膜显影。所述方法在半导体制造业具有特殊适用性。

8. 发明专利

TW201539143A 光微影方法审中-公开
公开(公告)号：TW201539143A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103146520
申请日：2014-12-31
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：朴鐘根 , PARK, JONG KEUN , 李南昇 , LEE, CHRISTOPHER NAM , 安德斯西西里 , ANDES, CECILY , 李忠奉 , LEE, CHOONG-BONG
IPC分类号： G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/38
CPC分类号： G03F7/38 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/30
摘要：一種形成電子裝置之方法，其係依序包含：(a)提供包含一層或多層待圖案化之層的基板；(b)於該一層或多層待圖案化之層上形成光阻層，其中，該光阻層係自包含下列者之組成物所形成：包含具有酸不穩定基之單元之基質聚合物；光酸產生劑；以及有機溶劑；(c)將光阻之上塗組成物塗覆於該光阻層上，其中，該上塗組成物係包含淬滅聚合物及有機溶劑，其中，該淬滅聚合物係包含具有鹼性部分之單元，該鹼性部分係有效中和在光阻層之表面區域中之該光酸產生劑所產生之酸；(d)將該光阻層曝光於活化輻射；(e)於曝光後烘烤製程中加熱該基板；以及，(f)使用有機溶劑顯影劑將經曝光之膜顯影。該方法於半導體製造工業中尤其具有應用性。
简体摘要：一种形成电子设备之方法，其系依序包含：(a)提供包含一层或多层待图案化之层的基板；(b)于该一层或多层待图案化之层上形成光阻层，其中，该光阻层系自包含下列者之组成物所形成：包含具有酸不稳定基之单元之基质聚合物；光酸产生剂；以及有机溶剂；(c)将光阻之上涂组成物涂覆于该光阻层上，其中，该上涂组成物系包含淬灭聚合物及有机溶剂，其中，该淬灭聚合物系包含具有碱性部分之单元，该碱性部分系有效中和在光阻层之表面区域中之该光酸产生剂所产生之酸；(d)将该光阻层曝光于活化辐射；(e)于曝光后烘烤制程中加热该基板；以及，(f)使用有机溶剂显影剂将经曝光之膜显影。该方法于半导体制造工业中尤其具有应用性。

10. 发明专利

TWI582536B 圖案形成方法有权
简体标题：图案形成方法
公开(公告)号：TWI582536B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW104133418
申请日：2015-10-12
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：李忠奉 , LEE, CHOONG-BONG , 卡波里爾史帝芬 J , CAPORALE, STEFAN J. , 帝濟斯托傑森 A , DESISTO, JASON A. , 朴鍾根 , PARK, JONG KEUN , 劉聰 , LIU, CONG , 徐承柏 , XU, CHENG-BAI , 安迪斯西西利 , ANDES, CECILY
IPC分类号： G03F7/075 , G03F7/038 , G03F7/20 , G03F7/38 , G03F7/32 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/2041 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/0752 , G03F7/11 , G03F7/325 , G03F7/38

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