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1. 发明专利

TW201203460A 填充用基材及使用其之填充方法 FILLING MATERIAL AND FILLING METHOD WITH USING THEREOF 审中-公开
公开(公告)号：TW201203460A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW100113830
申请日：2011-04-21
申请人：納普拉有限公司
发明人：關根重信 , 關根由莉奈 , 桑名良治
IPC分类号： H01L , B22D
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L21/76882 , H01L2924/0002 , Y10T428/12014 , Y10T428/12028 , Y10T428/12493 , Y10T428/12535 , Y10T428/12632 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種填充時的熔融溫度低、凝固後可確保高熔點且作業操作性優良的填充用基材及使用其之填充方法。填充用基材係形成支撐基體的一面上設有包含第1金屬層及第2金屬層之金屬層的構造。第1金屬層係以奈米金屬粒子的聚集體(aggregate)構成，並具有可在低於其熔點的溫度下熔融的膜厚。第2金屬層則是以其熔點低於第1金屬層之熔點的金屬粒子的聚集體構成。將填充用基材的一側面重合於細小空間30開口之基板的一面上，其後對填充用基材進行加熱、加壓，以將金屬層的熔融物填充於細小空間內。
简体摘要：本发明提供一种填充时的熔融温度低、凝固后可确保高熔点且作业操作性优良的填充用基材及使用其之填充方法。填充用基材系形成支撑基体的一面上设有包含第1金属层及第2金属层之金属层的构造。第1金属层系以奈米金属粒子的聚集体(aggregate)构成，并具有可在低于其熔点的温度下熔融的膜厚。第2金属层则是以其熔点低于第1金属层之熔点的金属粒子的聚集体构成。将填充用基材的一侧面重合于细小空间30开口之基板的一面上，其后对填充用基材进行加热、加压，以将金属层的熔融物填充于细小空间内。

2. 发明专利

TW201104820A 電子元件、導電性組成物、金屬填充裝置及電子元件的製造方法 ELECTRONIC DEVICE, CONDUCTIVE COMPOSITION, METAL FILLING APPARATUS, AND ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING METHOD 有权
简体标题：电子组件、导电性组成物、金属填充设备及电子组件的制造方法 ELECTRONIC DEVICE, CONDUCTIVE COMPOSITION, METAL FILLING APPARATUS, AND ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING METHOD
公开(公告)号：TW201104820A
公开(公告)日：2011-02-01
申请号：TW099117562
申请日：2010-06-01
申请人：納普拉有限公司
发明人：關根重信 , 關根由莉奈 , 桑名良治 , 木村龍司
IPC分类号： H01L , H01B
CPC分类号： H05K13/0465 , H01B3/025 , H01B3/10 , H01L21/76898 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L24/12 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2223/6616 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/1131 , H01L2224/13009 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/812 , H01L2224/8181 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01066 , H01L2924/01075 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/30105 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2224/8384
摘要：本發明係關於一種電子元件、金屬填充裝置、導電性組成物及電子元件的製造方法。該電子元件係積層複數片基板者，各自的該基板係包含半導體基板、縱導體與環狀絕緣部。該縱導體係向該半導體基板之厚度方向延伸。該環狀絕緣部係含有以玻璃為主要成分的無機絕緣層，該無機絕緣層係包圍該縱導體而填充於設置在該半導體基板的環狀溝內。
简体摘要：本发明系关于一种电子组件、金属填充设备、导电性组成物及电子组件的制造方法。该电子组件系积层复数片基板者，各自的该基板系包含半导体基板、纵导体与环状绝缘部。该纵导体系向该半导体基板之厚度方向延伸。该环状绝缘部系含有以玻璃为主要成分的无机绝缘层，该无机绝缘层系包围该纵导体而填充于设置在该半导体基板的环状沟内。

3. 发明专利

TWI422003B 電子裝置及其製造方法有权
简体标题：电子设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI422003B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW100117549
申请日：2011-05-19
申请人：納普拉有限公司 , NAPRA CO., LTD.
发明人：關根重信 , SEKINE, SHIGENOBU , 關根由莉奈 , SEKINE, YURINA , 桑名良治 , KUWANA, YOSHIHARU
IPC分类号： H01L23/52 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/76898 , H01L2224/13 , H01L2224/16146 , H01L2224/81 , H01L2924/09701 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/00

4. 发明专利

TW201145540A 太陽能電池 SOLAR CELL 审中-公开
简体标题：太阳能电池 SOLAR CELL
公开(公告)号：TW201145540A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW100110507
申请日：2011-03-28
申请人：納普拉有限公司
发明人：關根重信 , 關根由莉奈 , 桑名良治
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/02245 , Y02E10/50
摘要： [課題]本發明提供一種高受光效率、高發電效率之大面積的太陽能電池。[解決手段]第1導電型半導體層1的表面構成受光面,第2導電型半導體層2設置於第1導電型半導體層1的背面側,並在與第1導電型半導體層1之間構成pn接合。第1電極3貫穿第2導電型半導體層2並面向第1導電型半導體層1,且前端侵入第1導電型半導體層1並停止在其內部。第2電極4設置於電池背面。
简体摘要： [课题]本发明提供一种高受光效率、高发电效率之大面积的太阳能电池。[解决手段]第1导电型半导体层1的表面构成受光面,第2导电型半导体层2设置于第1导电型半导体层1的背面侧,并在与第1导电型半导体层1之间构成pn接合。第1电极3贯穿第2导电型半导体层2并面向第1导电型半导体层1,且前端侵入第1导电型半导体层1并停止在其内部。第2电极4设置于电池背面。

5. 发明专利

TW201131697A 電子裝置用基板、電子裝置積層體、電子裝置及其等之製造方法 SUBSTRATE FOR ELECTRONIC DEVICE STACKED STRUCTURE FOR ELECTRONIC DEVICE ELECTRONIC DEVICE AND A METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：电子设备用基板、电子设备积层体、电子设备及其等之制造方法 SUBSTRATE FOR ELECTRONIC DEVICE STACKED STRUCTURE FOR ELECTRONIC DEVICE ELECTRONIC DEVICE AND A METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW201131697A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：TW099142915
申请日：2010-12-09
申请人：納普拉有限公司
发明人：關根重信 , 關根由莉奈 , 桑名良治
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/50 , H01L23/481 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/05023 , H01L2224/05025 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/0516 , H01L2224/05568 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/10135 , H01L2224/13025 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/1316 , H01L2224/16146 , H01L2224/81121 , H01L2224/81193 , H01L2224/81801 , H01L2224/81986 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06593 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01066 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/12042 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要：本發明係一種電子裝置之製造方法,包含將複數片基板予以對位並積層的步驟,其中前述複數片基板分別具有複數個縱向導體及磁性膜,前述縱向導體朝板厚方向且相對於基板面排列分布;前述磁性膜相對於前述縱向導體具有預定的位置關係且設置於前述基板面的預定位置,該電子裝置之製造方法包含:當要將前述複數片基板予以對準時,從外部施加磁場,使積層而鄰接之前述基板的前述磁性膜之間產生磁性吸引力,而藉由前述磁性吸引力將前述縱向導體予以對位的步驟。
简体摘要：本发明系一种电子设备之制造方法,包含将复数片基板予以对位并积层的步骤,其中前述复数片基板分别具有复数个纵向导体及磁性膜,前述纵向导体朝板厚方向且相对于基板面排列分布;前述磁性膜相对于前述纵向导体具有预定的位置关系且设置于前述基板面的预定位置,该电子设备之制造方法包含:当要将前述复数片基板予以对准时,从外部施加磁场,使积层而邻接之前述基板的前述磁性膜之间产生磁性吸引力,而借由前述磁性吸引力将前述纵向导体予以对位的步骤。

8. 发明专利

TW201232822A 發光裝置及其製造方法 LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：发光设备及其制造方法 LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW201232822A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW100137620
申请日：2011-10-18
申请人：納普拉有限公司
发明人：關根重信 , 關根由莉奈 , 桑名良治 , 上林和利
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/62 , H01L25/0753 , H01L27/153 , H01L33/486 , H01L2924/0002 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
摘要：提供一種可靠性高且容易製造的發光裝置及其製造方法。透明結晶基板2的一面是光射出面21,且發光元件1係積層在與透明結晶基板2的光射出面21為相反側的另一面22上。位於透明結晶基板側之N型半導體層31具有與P型半導體層32不重疊的部份33。N型半導體層31的第1半導體面電極51設置在不重疊的部份33的表面,P型半導體層32的第2半導體面電極52設置在與第1半導體面電極51同側的面上。發光元件1藉由絕緣層6覆蓋,絕緣層6上積層有支持基板9。通過絕緣層6而連接於第1及第2半導體面電極51、52之第1及第2縱導體71、72是與貫通支持基板9之第1及第2貫通電極94、95相連接。
简体摘要：提供一种可靠性高且容易制造的发光设备及其制造方法。透明结晶基板2的一面是光射出面21,且发光组件1系积层在与透明结晶基板2的光射出面21为相反侧的另一面22上。位于透明结晶基板侧之N型半导体层31具有与P型半导体层32不重叠的部份33。N型半导体层31的第1半导体面电极51设置在不重叠的部份33的表面,P型半导体层32的第2半导体面电极52设置在与第1半导体面电极51同侧的面上。发光组件1借由绝缘层6覆盖,绝缘层6上积层有支持基板9。通过绝缘层6而连接于第1及第2半导体面电极51、52之第1及第2纵导体71、72是与贯通支持基板9之第1及第2贯通电极94、95相连接。

9. 发明专利

TW201214646A 電子裝置及其製造方法 ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：电子设备及其制造方法 ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW201214646A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100117549
申请日：2011-05-19
申请人：納普拉有限公司
发明人：關根重信 , 關根由莉奈 , 桑名良治
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/76898 , H01L2224/13 , H01L2224/16146 , H01L2224/81 , H01L2924/09701 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/00
摘要： [課題]提供一種電子裝置及其製造方法，該電子裝置係具有高性能與高功能、在高頻特性優異、及對降低成本有效的絕緣構造。[解決手段]半導體基板1具有在其厚度方向延伸的縱孔30。絕緣物填充層3係以於縱孔30內覆蓋其內周面的方式填充而成的環狀層。縱導體2係由在利用絕緣物填充層3所包圍之區域20內所填充的凝固金屬體所構成。絕緣物填充層3係具有有機絕緣物或以玻璃為主成分的無機絕緣物、及奈米複合構造之陶瓷的層。奈米複合構造的陶瓷係常溫電阻係數超過10 14 Ω‧cm，比介電常數位於4~9之範圍。
简体摘要： [课题]提供一种电子设备及其制造方法，该电子设备系具有高性能与高功能、在高频特性优异、及对降低成本有效的绝缘构造。[解决手段]半导体基板1具有在其厚度方向延伸的纵孔30。绝缘物填充层3系以于纵孔30内覆盖其内周面的方式填充而成的环状层。纵导体2系由在利用绝缘物填充层3所包围之区域20内所填充的凝固金属体所构成。绝缘物填充层3系具有有机绝缘物或以玻璃为主成分的无机绝缘物、及奈米复合构造之陶瓷的层。奈米复合构造的陶瓷系常温电阻系数超过10 14 Ω‧cm，比介电常数码于4~9之范围。

10. 发明专利

TWI463605B 填充用基材及使用其之填充方法有权
公开(公告)号：TWI463605B
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW100113830
申请日：2011-04-21
申请人：納普拉有限公司 , NAPRA CO., LTD.
发明人：關根重信 , SEKINE, SHIGENOBU , 關根由莉奈 , SEKINE, YURINA , 桑名良治 , KUWANA, YOSHIHARU
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/52 , B22D19/00
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L21/76882 , H01L2924/0002 , Y10T428/12014 , Y10T428/12028 , Y10T428/12493 , Y10T428/12535 , Y10T428/12632 , H01L2924/00

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