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1. 发明专利

TW200843033A 半導體晶片結構及其應用電路 VOLTAGE REGULATOR INTEGRATED WITH SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
简体标题：半导体芯片结构及其应用电路 VOLTAGE REGULATOR INTEGRATED WITH SEMICONDUCTOR CHIP
公开(公告)号：TW200843033A
公开(公告)日：2008-11-01
申请号：TW096149614
申请日：2007-12-24
申请人：米輯電子股份有限公司 MEGICA CORPORATION
发明人：林茂雄 LIN, MOU SHIUNG , 魏古永 GU-YEON WEI
IPC分类号： H01L , G05F
CPC分类号： H01L2224/11 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2924/01014 , H01L2924/014 , H01L2924/15192 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：本發明揭露一種半導體晶片結構及其應用電路,其係將用以調整電壓之元件直接利用半導體製程之方式,以直接組合於一半導體晶片內,使得半導體晶片本身可在一定的輸入電壓範圍內具有電壓調整的能力,因此,在一印刷電路板上裝設有各種不同工作電壓的電子元件時,僅需設置特定數目的半導體晶片,以利用其內建的電壓調整器即可及時地調控至所需的電壓範圍,故,無須藉由改變電源供應之頻率、或是增加各種不同規格之電源供應單元,即可使得具有不同工作電壓的電子元件之驅動與控制變得簡單且同時可加快電子元件的反應時間。
简体摘要：本发明揭露一种半导体芯片结构及其应用电路,其系将用以调整电压之组件直接利用半导体制程之方式,以直接组合于一半导体芯片内,使得半导体芯片本身可在一定的输入电压范围内具有电压调整的能力,因此,在一印刷电路板上装设有各种不同工作电压的电子组件时,仅需设置特定数目的半导体芯片,以利用其内置的电压调整器即可及时地调控至所需的电压范围,故,无须借由改变电源供应之频率、或是增加各种不同规格之电源供应单元,即可使得具有不同工作电压的电子组件之驱动与控制变得简单且同时可加快电子组件的反应时间。

2. 发明专利

TW200826170A 一種製造與測試半導體晶圓的方法 METHOD FOR FABRICATING AND TESTING SEMICONDUCTOR WAFER 审中-公开
简体标题：一种制造与测试半导体晶圆的方法 METHOD FOR FABRICATING AND TESTING SEMICONDUCTOR WAFER
公开(公告)号：TW200826170A
公开(公告)日：2008-06-16
申请号：TW096146006
申请日：2007-12-04
申请人：米輯電子股份有限公司 MEGICA CORPORATION
发明人：林茂雄 LIN, MOU SHIUNG , 林世雄 LIN, SHIH HSIUNG
IPC分类号： H01L , G01R
摘要：本發明係提供一種製造與測試半導體晶圓的方法,其係包括:形成一鈦鎢合金層在保護層上與複數接墊上,形成材質為金的一種子層在鈦鎢合金層上,形成光阻層在種子層上,形成複數金屬層在光阻層內之複數開口所暴露出的種子層上,去除光阻層以及去除未在這些金屬層下的種子層,接著利用含有雙氧水的蝕刻液蝕刻未在這些金屬層下方之鈦鎢合金層,並在蝕刻期間施加超音波到蝕刻液中,或是利用溫度介於35至50℃之間且含有雙氧水的蝕刻液蝕刻未在這些金屬層下方之鈦鎢合金層,再來利用一探針卡的複數探針尖端接觸部份金屬層,並在重複探針尖端接觸部份金屬層的步驟次數達到100次以上之後,才清潔這些探針尖端,而在清潔這些探針尖端之後,繼續利用探針尖端接觸部份金屬層。
简体摘要：本发明系提供一种制造与测试半导体晶圆的方法,其系包括:形成一钛钨合金层在保护层上与复数接垫上,形成材质为金的一种子层在钛钨合金层上,形成光阻层在种子层上,形成复数金属层在光阻层内之复数开口所暴露出的种子层上,去除光阻层以及去除未在这些金属层下的种子层,接着利用含有双氧水的蚀刻液蚀刻未在这些金属层下方之钛钨合金层,并在蚀刻期间施加超音波到蚀刻液中,或是利用温度介于35至50℃之间且含有双氧水的蚀刻液蚀刻未在这些金属层下方之钛钨合金层,再来利用一探针卡的复数探针尖端接触部份金属层,并在重复探针尖端接触部份金属层的步骤次数达到100次以上之后,才清洁这些探针尖端,而在清洁这些探针尖端之后,继续利用探针尖端接触部份金属层。

3. 发明专利

TW200814213A 晶片封裝結構及其製程 CHIP PACKAGE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：芯片封装结构及其制程 CHIP PACKAGE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200814213A
公开(公告)日：2008-03-16
申请号：TW096133091
申请日：2007-09-05
申请人：米輯電子股份有限公司 MEGICA CORPORATION
发明人：林茂雄 LIN, MOU SHIUNG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/97 , H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/00 , H01L2224/85 , H01L2924/00012
摘要：本發明係提供一種晶片封裝結構及其製程,其係包括至少一半導體晶片利用一黏著材料黏著至一基板,其中半導體晶片包括含有黏著/阻障層的一打線接點,且打線接點係透過位在保護層內之一開口連接此開口所暴露出之一接墊,接著形成一打線導線接合打線接點與基板之一接點,繼續形成一聚合物材料在基板上並覆蓋半導體晶片與打線導線,再來形成至少一無鉛錫球(lead-free solder ball)在基板上,最後切割聚合物材料與基板,以形成晶片封裝結構。
简体摘要：本发明系提供一种芯片封装结构及其制程,其系包括至少一半导体芯片利用一黏着材料黏着至一基板,其中半导体芯片包括含有黏着/阻障层的一打线接点,且打线接点系透过位在保护层内之一开口连接此开口所暴露出之一接垫,接着形成一打线导线接合打线接点与基板之一接点,继续形成一聚合物材料在基板上并覆盖半导体芯片与打线导线,再来形成至少一无铅锡球(lead-free solder ball)在基板上,最后切割聚合物材料与基板,以形成芯片封装结构。

4. 发明专利

TW200802645A 保護層上形成有後護層結構的半導體晶片 SEMICONDUCTOR CHIP WITH POST-PASSIVATION SCHEME FORMED OVER PASSIVATION LAYER 审中-公开
简体标题：保护层上形成有后护层结构的半导体芯片 SEMICONDUCTOR CHIP WITH POST-PASSIVATION SCHEME FORMED OVER PASSIVATION LAYER
公开(公告)号：TW200802645A
公开(公告)日：2008-01-01
申请号：TW095140066
申请日：2006-10-30
申请人：米輯電子股份有限公司 MEGICA CORPORATION
发明人：周秋明 CHOU, CHIU MING , 周健康 CHOU, CHIEN KANG , 林世雄 LIN, SHIH HSIUNG , 林茂雄 LIN, MOU SHIUNG , 羅心榮 LO, HSIN JUNG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/73 , H01L23/5329 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04073 , H01L2224/05155 , H01L2224/05173 , H01L2224/05176 , H01L2224/05553 , H01L2224/05572 , H01L2224/05599 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/05673 , H01L2224/05676 , H01L2224/1147 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13169 , H01L2224/13173 , H01L2224/13176 , H01L2224/48463 , H01L2224/48477 , H01L2224/4943 , H01L2224/85051 , H01L2224/85399 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01059 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2224/13099 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2224/4554
摘要：本發明係提供一種保護層上形成有後護層結構的半導體晶片,其包括一圖案化金屬層在保護層上。此圖案化金屬層包括一第一接墊,且第一接墊連接保護層之開口所暴露出的一第二接墊。一金屬凸塊位在第一接墊上以及位在複數半導體元件上方,且此金屬凸塊包括厚度介於8微米至50微米之間的金。
简体摘要：本发明系提供一种保护层上形成有后护层结构的半导体芯片,其包括一图案化金属层在保护层上。此图案化金属层包括一第一接垫,且第一接垫连接保护层之开口所暴露出的一第二接垫。一金属凸块位在第一接垫上以及位在复数半导体组件上方,且此金属凸块包括厚度介于8微米至50微米之间的金。

5. 发明专利

TWI269420B 堆疊型晶片封裝結構及其封裝製程 STACKED CHIP PACKAGE AND PROCESS THEREOF 有权
简体标题：堆栈型芯片封装结构及其封装制程 STACKED CHIP PACKAGE AND PROCESS THEREOF
公开(公告)号：TWI269420B
公开(公告)日：2006-12-21
申请号：TW094114203
申请日：2005-05-03
申请人：米輯電子股份有限公司 MEGICA CORPORATION
发明人：林茂雄 LIN, MOU SHIUNG , 林世雄 LIN, SHIH HSIUNG , 陳盈智 CHEN, YING CHIH , 周秋明 CHOU, CHIU MING
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/3128 , H01L23/525 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/06135 , H01L2224/06136 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/4824 , H01L2224/49 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/92147 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2225/06558 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要：一種堆疊型晶片封裝結構及其封裝製程，其係於晶片上形成一重配置線路，並藉由此重配置線路提供較佳位置之重配置接墊，以便於打線導線之連接。其中，針對具有不同線路佈局之接墊的晶片，此堆疊型晶片封裝結構及其封裝製程可選擇性地形成重配置線路於第一晶片上或第二晶片上。藉由此堆疊型晶片封裝結構及其封裝製程可簡化晶片之製作過程，並可達到降低生產成本、縮減體積、提高生產效率、效能及整體良率之目的。
简体摘要：一种堆栈型芯片封装结构及其封装制程，其系于芯片上形成一重配置线路，并借由此重配置线路提供较佳位置之重配置接垫，以便于打线导线之连接。其中，针对具有不同线路布局之接垫的芯片，此堆栈型芯片封装结构及其封装制程可选择性地形成重配置线路于第一芯片上或第二芯片上。借由此堆栈型芯片封装结构及其封装制程可简化芯片之制作过程，并可达到降低生产成本、缩减体积、提高生产效率、性能及整体良率之目的。

6. 发明专利

TWI301647B 晶片構裝及其製程 CHIP PACKAGE AND PROCESS FOR THE SAME 有权
简体标题：芯片构装及其制程 CHIP PACKAGE AND PROCESS FOR THE SAME
公开(公告)号：TWI301647B
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：TW093128389
申请日：2004-09-20
申请人：米輯電子股份有限公司 MEGICA CORPORATION
发明人：林茂雄 LIN, MOU SHIUNG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/73204 , H01L2924/014
摘要：本發明之晶片構裝及其製程,係將半導體晶片之厚金屬線路
直接接觸地大面積連接另一電路連接構件之線路,或是透過含有
聚合物及金屬粒子的導電層大面積地連接另一電路連接構件之線
路,藉以降低半導體晶片之厚金屬線路與電路連接構件之線路間
的電阻。若是大面積電性連接之半導體晶片之厚金屬線路與電路
連接構件之線路係作為訊號傳輸之用時,則半導體晶片之厚金屬
線路與電路連接構件之線路可以提供較穩定的訊號傳輸;若是大
面積電性連接之半導體晶片之厚金屬線路與電路連接構件之線路
係作為電源滙流排或接地滙流排之用時,則半導體晶片之厚金屬
線路及/或電路連接構件之線路可以提供較穩定的電源電壓或接地
電壓。
简体摘要：本发明之芯片构装及其制程,系将半导体芯片之厚金属线路直接接触地大面积连接另一电路连接构件之线路,或是透过含有聚合物及金属粒子的导电层大面积地连接另一电路连接构件之线路,借以降低半导体芯片之厚金属线路与电路连接构件之线路间的电阻。若是大面积电性连接之半导体芯片之厚金属线路与电路连接构件之线路系作为信号传输之用时,则半导体芯片之厚金属线路与电路连接构件之线路可以提供较稳定的信号传输;若是大面积电性连接之半导体芯片之厚金属线路与电路连接构件之线路系作为电源汇流排或接地汇流排之用时,则半导体芯片之厚金属线路及/或电路连接构件之线路可以提供较稳定的电源电压或接地电压。

7. 发明专利

TW200816499A 晶片封裝結構及其製程 CHIP-PACKAGE STRUCTURE AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF 审中-公开
简体标题：芯片封装结构及其制程 CHIP-PACKAGE STRUCTURE AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF
公开(公告)号：TW200816499A
公开(公告)日：2008-04-01
申请号：TW095134734
申请日：2006-09-20
申请人：米輯電子股份有限公司 MEGICA CORPORATION
发明人：林茂雄 LIN, MOU SHIUNG , 林世雄 LIN, SHIN HSIUNG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要：一種晶片封裝結構包含一晶片、一環狀凸起、多個凸塊及一透明基板,其中晶片具有一感光區域,其位於晶片之一主動表面上,而環狀凸起與多個凸塊係配置於晶片之主動表面上,且環狀凸起係圍繞著感光區域之外圍。透明基板係與環狀凸起接合,其中晶片、透明基板及環狀凸起係構成一密閉空間。環狀凸起之材質例如包含一黏著性聚合物、環氧樹脂或印刷電路板之一焊罩層所用之材質。透明基板之材質例如包含一玻璃。
简体摘要：一种芯片封装结构包含一芯片、一环状凸起、多个凸块及一透明基板,其中芯片具有一感光区域,其位于芯片之一主动表面上,而环状凸起与多个凸块系配置于芯片之主动表面上,且环状凸起系围绕着感光区域之外围。透明基板系与环状凸起接合,其中芯片、透明基板及环状凸起系构成一密闭空间。环状凸起之材质例如包含一黏着性聚合物、环氧树脂或印刷电路板之一焊罩层所用之材质。透明基板之材质例如包含一玻璃。

8. 发明专利

TW200816373A 線路元件及其製程 CIRCUIT COMPONENT AND PROCESS FOR FORMING THE SAME 审中-公开
简体标题：线路组件及其制程 CIRCUIT COMPONENT AND PROCESS FOR FORMING THE SAME
公开(公告)号：TW200816373A
公开(公告)日：2008-04-01
申请号：TW095136114
申请日：2006-09-29
申请人：米輯電子股份有限公司 MEGICA CORPORATION
发明人：林茂雄 LIN, MOU SHIUNG , 李進源 LEE, JIN YUAN , 周健康 CHOU, CHIEN KANG
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係提供一種線路元件及其製程,其係透過保護層上方的金屬線路或平面,使保護層下方的內部電路將訊號傳送至同一晶片上的數個元件或電路單元,或是透過保護層上方的金屬線路或平面將電源電壓或接地參考電壓分配至同一晶片上的數個元件或電路單元。
简体摘要：本发明系提供一种线路组件及其制程,其系透过保护层上方的金属线路或平面,使保护层下方的内部电路将信号发送至同一芯片上的数个组件或电路单元,或是透过保护层上方的金属线路或平面将电源电压或接地参考电压分配至同一芯片上的数个组件或电路单元。

9. 发明专利

TW200814212A 半導體晶片結構及其製程 SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：半导体芯片结构及其制程 SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200814212A
公开(公告)日：2008-03-16
申请号：TW096133089
申请日：2007-09-05
申请人：米輯電子股份有限公司 MEGICA CORPORATION
发明人：林茂雄 LIN, MOU SHIUNG , 周秋明 CHOU, CHIU MING
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/11 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/12044 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：半導體晶片元件結構包括一半導體基底,此半導體基底上包括至少一主動元件;一細連線結構,位在此半導體基底及此主動元件上,此細連線結構包括複數個介電層及複數個細線路層位於此半導體基底上,且此些介電層具有多數個通道孔,此些細線路層係位於此些介電層其中之一上,其中此些細線路層藉由此些通道孔彼此電性連接,此些細線路層包括至少一金屬接墊;一保護層,位在此半導體基底上,此保護層具有至少一開口曝露出此金屬接墊;一聚合物凸塊,位在此保護層及此金屬接墊上,並暴露出此金屬接墊表面之一導電區域;一黏著阻障層,位在此保護層、此聚合物凸塊及此導電區域上,此黏著阻障層包覆此聚合物凸塊之至少二表面;一種子層,位在此黏著阻障層上;一金屬層,位在此種子層上,此金屬層與此種子層相同材質,且經由位在此聚合物凸塊頂面上之此金屬層可連接至一外界電路。
简体摘要：半导体芯片组件结构包括一半导体基底,此半导体基底上包括至少一主动组件;一细连接结构,位在此半导体基底及此主动组件上,此细连接结构包括复数个介电层及复数个细线路层位于此半导体基底上,且此些介电层具有多数个信道孔,此些细线路层系位于此些介电层其中之一上,其中此些细线路层借由此些信道孔彼此电性连接,此些细线路层包括至少一金属接垫;一保护层,位在此半导体基底上,此保护层具有至少一开口曝露出此金属接垫;一聚合物凸块,位在此保护层及此金属接垫上,并暴露出此金属接垫表面之一导电区域;一黏着阻障层,位在此保护层、此聚合物凸块及此导电区域上,此黏着阻障层包覆此聚合物凸块之至少二表面;一种子层,位在此黏着阻障层上;一金属层,位在此种子层上,此金属层与此种子层相同材质,且经由位在此聚合物凸块顶面上之此金属层可连接至一外界电路。

10. 发明专利

TW200802714A 積體電路結構及其製程 INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：集成电路结构及其制程 INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200802714A
公开(公告)日：2008-01-01
申请号：TW096122418
申请日：2007-06-22
申请人：米輯電子股份有限公司 MEGICA CORPORATION
发明人：林茂雄 LIN, MOU SHIUNG , 李進源 LEE, JIN YUAN
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係提供一種積體電路結構及其製程,其係在一半導體基底上方形成厚度介於5微米至27微米之間的一金屬線路,以及形成一保護層在此金屬線路上,其中此保護層至少包括一氮矽化合物層在金屬線路上以及一氧矽化合物層位在此氮矽化合物層上,或是至少包括一氮氧矽化合物層在金屬線路上以及一氧矽化合物層位在此氮氧矽化合物層上。
简体摘要：本发明系提供一种集成电路结构及其制程,其系在一半导体基底上方形成厚度介于5微米至27微米之间的一金属线路,以及形成一保护层在此金属线路上,其中此保护层至少包括一氮硅化合物层在金属线路上以及一氧硅化合物层位在此氮硅化合物层上,或是至少包括一氮氧硅化合物层在金属线路上以及一氧硅化合物层位在此氮氧硅化合物层上。

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