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1. 发明专利

TW200737495A 半導體元件及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：半导体组件及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200737495A
公开(公告)日：2007-10-01
申请号：TW095133635
申请日：2006-09-12
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：松木浩久 MATSUKI, HIROHISA , 福田淳 FUKUDA, JUN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/12 , H01L21/563 , H01L23/3128 , H01L23/564 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L27/11502 , H01L28/57 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04073 , H01L2224/05017 , H01L2224/05018 , H01L2224/05073 , H01L2224/05093 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05166 , H01L2224/05557 , H01L2224/05558 , H01L2224/0558 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/1134 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/16 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45164 , H01L2224/4807 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/48453 , H01L2224/48463 , H01L2224/48477 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/48864 , H01L2224/85051 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/15183 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：一種可改良一FeRAM之防水性的半導體元件及其製造方法。在使用一墊進行探針測試之後,一金屬膜會被製成來覆蓋在一保護膜之開孔內的該墊及由該墊至保護膜開孔外緣的區域。在該金屬膜上,一金屬凸體會被製成。該金屬膜係被製成具有第一和第二金屬膜的雙層結構。該上下兩層材料主要係分別考量其對該保護膜和金屬凸體的黏性而來選擇。其薄膜形成條件會被設成能提供該各金屬膜所需的品質和厚度。故,由該墊或其周邊進入一鐵電電容器的水氣滲透將會被阻止,因此由於滲入水氣所發生的電位倒轉異常將能被有效地抑止。
简体摘要：一种可改良一FeRAM之防水性的半导体组件及其制造方法。在使用一垫进行探针测试之后,一金属膜会被制成来覆盖在一保护膜之开孔内的该垫及由该垫至保护膜开孔外缘的区域。在该金属膜上,一金属凸体会被制成。该金属膜系被制成具有第一和第二金属膜的双层结构。该上下两层材料主要系分别考量其对该保护膜和金属凸体的黏性而来选择。其薄膜形成条件会被设成能提供该各金属膜所需的品质和厚度。故,由该垫或其周边进入一铁电电容器的水汽渗透将会被阻止,因此由于渗入水汽所发生的电位倒转异常将能被有效地抑止。

2. 发明专利

TWI318002B 半導體元件及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 有权
简体标题：半导体组件及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI318002B
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW095133635
申请日：2006-09-12
申请人：富士通微電子股份有限公司
发明人：松木浩久 , 福田淳
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/12 , H01L21/563 , H01L23/3128 , H01L23/564 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L27/11502 , H01L28/57 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04073 , H01L2224/05017 , H01L2224/05018 , H01L2224/05073 , H01L2224/05093 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05166 , H01L2224/05557 , H01L2224/05558 , H01L2224/0558 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/1134 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/16 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45164 , H01L2224/4807 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/48453 , H01L2224/48463 , H01L2224/48477 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/48864 , H01L2224/85051 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/15183 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：一種可改良一FeRAM之防水性的半導體元件及其製造方法。在使用一墊進行探針測試之後，一金屬膜會被製成來覆蓋在一保護膜之開孔內的該墊及由該墊至保護膜開孔外緣的區域。在該金屬膜上，一金屬凸體會被製成。該金屬膜係被製成具有第一和第二金屬膜的雙層結構。該上下兩層材料主要係分別考量其對該保護膜和金屬凸體的黏性而來選擇。其薄膜形成條件會被設成能提供該各金屬膜所需的品質和厚度。故，由該墊或其周邊進入一鐵電電容器的水氣滲透將會被阻止，因此由於滲入水氣所發生的電位倒轉異常將能被有效地抑止。 A semiconductor device and manufacturing method thereof improving moisture resistance of a FeRAM. After a probe test using a pad, a metal film is formed to cover the pad in an opening of a protective film and a region from the pad to an opening outer periphery of the protective film. On the metal film, a metal bump is formed. The metal film is formed to have a two－layer structure of the first and second metal films. Materials of the lower and upper layers are selected mainly in consideration of adhesion to the protective film and adhesion to the metal bump, respectively. Film formation conditions thereof are set to provide metal films with a desired quality and thickness. Thus, penetration of moisture from the pad or the periphery into a ferroelectric capacitor can be prevented and therefore, occurrence of potential inversion abnormalities due to penetrated moisture can be effectively suppressed. 【創作特點】發明概要
有見於上述情形，故本發明之一目的係在提供一種具有高防水性和可靠性的半導體元件。本發明的另一目的則在提供一種製造該半導體元件的方法。
為達到上述目的，依據本發明之一態樣，所提供的半導體元件包含：半導體基材；一電極墊透過一絕緣膜設在該半導體基材上方，該墊具有一機械傷害；一導電膜可覆蓋該電極墊；及一外接端子連接於該導電膜。
依據本發明的另一態樣，係在提供一種製造半導體元件的方法，包含以下步驟：在一半導體基材上製成一電極墊；令一探針接觸該電極墊；覆蓋該電極墊來形成一導電膜；及連接一外接端子至該導電膜。
本發明之上述及其它目的、特徵和優點將可由以下說明配合所附圖式而更清楚地瞭解，該等圖式係舉例示出本發明的較佳實施例。
圖式簡單說明
第1圖為一截面示意圖，示出第一實施例之FeRAM元件的主要部份。
第2圖為第一實施例之FeRAM元件的製造流程圖。
第3圖為一截面示意圖，示出第二實施例之FeRAM元件的主要部份。
第4圖為一截面示意圖，示出第三實施例之FeRAM元件的主要部份。
第5圖為一截面示意圖，示出第四實施例之FeRAM元件的主要部份。
第6圖為一截面示意圖，示出第五實施例之FeRAM元件的主要部份。
第7圖為一截面示意圖，示出第六實施例之FeRAM元件的主要部份。
第8圖為一截面示意圖，示出第七實施例之封裝結構的主要部份。
第9圖為一截面示意圖，示出第八實施例之封裝結構的主要部份。
第10圖為一截面示意圖，示出第九實施例之封裝結構的主要部份。
第11圖為一截面示意圖，示出第十實施例之封裝結構的主要部份。
第12圖為一截面示意圖，示出第十一實施例之封裝結構的主要部份。
第13圖為一截面示意圖，示出第十二實施例之封裝結構的主要部份。
第14圖係示出一FeRAM元件中有一金屬導線在探針測試後連接於一電極墊的狀態。
简体摘要：一种可改良一FeRAM之防水性的半导体组件及其制造方法。在使用一垫进行探针测试之后，一金属膜会被制成来覆盖在一保护膜之开孔内的该垫及由该垫至保护膜开孔外缘的区域。在该金属膜上，一金属凸体会被制成。该金属膜系被制成具有第一和第二金属膜的双层结构。该上下两层材料主要系分别考量其对该保护膜和金属凸体的黏性而来选择。其薄膜形成条件会被设成能提供该各金属膜所需的品质和厚度。故，由该垫或其周边进入一铁电电容器的水汽渗透将会被阻止，因此由于渗入水汽所发生的电位倒转异常将能被有效地抑止。 A semiconductor device and manufacturing method thereof improving moisture resistance of a FeRAM. After a probe test using a pad, a metal film is formed to cover the pad in an opening of a protective film and a region from the pad to an opening outer periphery of the protective film. On the metal film, a metal bump is formed. The metal film is formed to have a two－layer structure of the first and second metal films. Materials of the lower and upper layers are selected mainly in consideration of adhesion to the protective film and adhesion to the metal bump, respectively. Film formation conditions thereof are set to provide metal films with a desired quality and thickness. Thus, penetration of moisture from the pad or the periphery into a ferroelectric capacitor can be prevented and therefore, occurrence of potential inversion abnormalities due to penetrated moisture can be effectively suppressed. 【创作特点】发明概要有见于上述情形，故本发明之一目的系在提供一种具有高防水性和可靠性的半导体组件。本发明的另一目的则在提供一种制造该半导体组件的方法。为达到上述目的，依据本发明之一态样，所提供的半导体组件包含：半导体基材；一电极垫透过一绝缘膜设在该半导体基材上方，该垫具有一机械伤害；一导电膜可覆盖该电极垫；及一外置端子连接于该导电膜。依据本发明的另一态样，系在提供一种制造半导体组件的方法，包含以下步骤：在一半导体基材上制成一电极垫；令一探针接触该电极垫；覆盖该电极垫来形成一导电膜；及连接一外置端子至该导电膜。本发明之上述及其它目的、特征和优点将可由以下说明配合所附图式而更清楚地了解，该等图式系举例示出本发明的较佳实施例。图式简单说明第1图为一截面示意图，示出第一实施例之FeRAM组件的主要部份。第2图为第一实施例之FeRAM组件的制造流程图。第3图为一截面示意图，示出第二实施例之FeRAM组件的主要部份。第4图为一截面示意图，示出第三实施例之FeRAM组件的主要部份。第5图为一截面示意图，示出第四实施例之FeRAM组件的主要部份。第6图为一截面示意图，示出第五实施例之FeRAM组件的主要部份。第7图为一截面示意图，示出第六实施例之FeRAM组件的主要部份。第8图为一截面示意图，示出第七实施例之封装结构的主要部份。第9图为一截面示意图，示出第八实施例之封装结构的主要部份。第10图为一截面示意图，示出第九实施例之封装结构的主要部份。第11图为一截面示意图，示出第十实施例之封装结构的主要部份。第12图为一截面示意图，示出第十一实施例之封装结构的主要部份。第13图为一截面示意图，示出第十二实施例之封装结构的主要部份。第14图系示出一FeRAM组件中有一金属导线在探针测试后连接于一电极垫的状态。

3. 发明专利

TW200802645A 保護層上形成有後護層結構的半導體晶片 SEMICONDUCTOR CHIP WITH POST-PASSIVATION SCHEME FORMED OVER PASSIVATION LAYER 审中-公开
简体标题：保护层上形成有后护层结构的半导体芯片 SEMICONDUCTOR CHIP WITH POST-PASSIVATION SCHEME FORMED OVER PASSIVATION LAYER
公开(公告)号：TW200802645A
公开(公告)日：2008-01-01
申请号：TW095140066
申请日：2006-10-30
申请人：米輯電子股份有限公司 MEGICA CORPORATION
发明人：周秋明 CHOU, CHIU MING , 周健康 CHOU, CHIEN KANG , 林世雄 LIN, SHIH HSIUNG , 林茂雄 LIN, MOU SHIUNG , 羅心榮 LO, HSIN JUNG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/73 , H01L23/5329 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04073 , H01L2224/05155 , H01L2224/05173 , H01L2224/05176 , H01L2224/05553 , H01L2224/05572 , H01L2224/05599 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/05673 , H01L2224/05676 , H01L2224/1147 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13169 , H01L2224/13173 , H01L2224/13176 , H01L2224/48463 , H01L2224/48477 , H01L2224/4943 , H01L2224/85051 , H01L2224/85399 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01059 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2224/13099 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2224/4554
摘要：本發明係提供一種保護層上形成有後護層結構的半導體晶片,其包括一圖案化金屬層在保護層上。此圖案化金屬層包括一第一接墊,且第一接墊連接保護層之開口所暴露出的一第二接墊。一金屬凸塊位在第一接墊上以及位在複數半導體元件上方,且此金屬凸塊包括厚度介於8微米至50微米之間的金。
简体摘要：本发明系提供一种保护层上形成有后护层结构的半导体芯片,其包括一图案化金属层在保护层上。此图案化金属层包括一第一接垫,且第一接垫连接保护层之开口所暴露出的一第二接垫。一金属凸块位在第一接垫上以及位在复数半导体组件上方,且此金属凸块包括厚度介于8微米至50微米之间的金。

4. 发明专利

TWI483323B 用於導線鍵合機的自動線尾調節系統有权
简体标题：用于导线键合机的自动线尾调节系统
公开(公告)号：TWI483323B
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW101138987
申请日：2012-10-23
申请人：先進科技新加坡有限公司 , ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD
发明人：宋景耀 , SONG, KENG YEW , 李衛華 , LEE, WAI WAH , 王屹濱 , WANG, YI BIN , 郭文華 , GUO, WEN HUA , 張鑫偉 , ZHANG, XIN WEI
IPC分类号： H01L21/603
CPC分类号： H01L24/78 , B23K20/007 , B23K35/0261 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48477 , H01L2224/78301 , H01L2224/78611 , H01L2224/78621 , H01L2224/85045 , H01L2224/85051 , H01L2224/85205 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

5. 发明专利

TW201140765A 具有包含經降低電感之接合黏結元件之微電子總成 MICROELECTRONIC ASSEMBLY WITH JOINED BOND ELEMENTS HAVING LOWERED INDUCTANCE 失效
简体标题：具有包含经降低电感之接合黏结组件之微电子总成 MICROELECTRONIC ASSEMBLY WITH JOINED BOND ELEMENTS HAVING LOWERED INDUCTANCE
公开(公告)号：TW201140765A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW099145382
申请日：2010-12-22
申请人：泰斯拉研究有限公司
发明人：哈巴貝勒卡塞姆 , 丹姆伯格菲利普 , 奧斯本飛利浦R
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/49816 , H01L21/50 , H01L23/13 , H01L23/49861 , H01L24/01 , H01L24/36 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L24/91 , H01L2224/05554 , H01L2224/40091 , H01L2224/40225 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/4809 , H01L2224/48091 , H01L2224/48096 , H01L2224/4813 , H01L2224/4824 , H01L2224/4846 , H01L2224/48465 , H01L2224/48477 , H01L2224/48599 , H01L2224/4911 , H01L2224/49112 , H01L2224/4942 , H01L2224/49427 , H01L2224/49429 , H01L2224/4945 , H01L2224/85051 , H01L2224/85191 , H01L2224/85205 , H01L2924/00014 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/19107 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2224/48095 , H01L2224/37099 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
摘要：本發明揭示一種微電子總成(100)，其包含：一半導體晶片(110、1110)，其具有暴露在一第一表面處之晶片接觸件(112)；及一基板(130、1130)，其與該晶片(110、1110)之一表面(128、129)並列。一導電黏結元件(144)可電連接一第一晶片接觸件(112)與該基板之一第一基板接觸件(132、1132)，且一第二導電黏結元件(146)可電連接該第一晶片接觸件(112、132)與一第二基板接觸件。該第一黏結元件(144)可具有冶金接合至該第一晶片接觸件(112、212A)之一第一端部(244A、344A)及冶金接合至該第一基板接觸件之一第二端部(244B、344B)。該第二黏結元件之一第一端部(246A、346A)可冶金接合至該第一黏結元件(144)。該第二黏結元件可觸碰或不觸碰該第一晶片接觸件(112、212A、1212)或該基板接觸件(132、1132)。一第三黏結元件(948)可接合至第一黏結元件及第二黏結元件之端部，該第一黏結元件及該第二黏結元件接合至基板接觸件或晶片接觸件。在一實施例中，一黏結元件(740)可具有一環形連接，該環形連接具有接合至一第一接觸件(732A)之第一及第二端部(742、746)及接合至一第二接觸件(712A)之一中間部分(744)。
简体摘要：本发明揭示一种微电子总成(100)，其包含：一半导体芯片(110、1110)，其具有暴露在一第一表面处之芯片接触件(112)；及一基板(130、1130)，其与该芯片(110、1110)之一表面(128、129)并列。一导电黏结组件(144)可电连接一第一芯片接触件(112)与该基板之一第一基板接触件(132、1132)，且一第二导电黏结组件(146)可电连接该第一芯片接触件(112、132)与一第二基板接触件。该第一黏结组件(144)可具有冶金接合至该第一芯片接触件(112、212A)之一第一端部(244A、344A)及冶金接合至该第一基板接触件之一第二端部(244B、344B)。该第二黏结组件之一第一端部(246A、346A)可冶金接合至该第一黏结组件(144)。该第二黏结组件可触碰或不触碰该第一芯片接触件(112、212A、1212)或该基板接触件(132、1132)。一第三黏结组件(948)可接合至第一黏结组件及第二黏结组件之端部，该第一黏结组件及该第二黏结组件接合至基板接触件或芯片接触件。在一实施例中，一黏结组件(740)可具有一环形连接，该环形连接具有接合至一第一接触件(732A)之第一及第二端部(742、746)及接合至一第二接触件(712A)之一中间部分(744)。

6. 发明专利

TW200605981A 低環狀線接合之系統及方法 SYSTEM AND METHOD FOR LOW LOOP WIRE BONDING 审中-公开
简体标题：低环状线接合之系统及方法 SYSTEM AND METHOD FOR LOW LOOP WIRE BONDING
公开(公告)号：TW200605981A
公开(公告)日：2006-02-16
申请号：TW094113768
申请日：2005-04-28
申请人：德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
发明人：矢薰 YAJIMA, KAORU
IPC分类号： B23K
CPC分类号： H01L24/85 , B23K20/004 , B23K2201/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/78 , H01L2224/05554 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48477 , H01L2224/48599 , H01L2224/48992 , H01L2224/49175 , H01L2224/78301 , H01L2224/85043 , H01L2224/85045 , H01L2224/85051 , H01L2224/85181 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85951 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01058 , H01L2924/01061 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/20752 , H01L2924/00 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
摘要：本發明提供一種低環狀線接合之方法。該方法包含形成一第一接合於置放在一第一線(120)之一端的一第一焊球(122)與耦合至具有一或多個導線(114)之一導線架(110)的一晶粒(20)之一焊墊(22)之間。該方法還包含形成一第二接合(124)於該線之一部分與該導線架之一導線(114)之間。該第一接合與該第二接合之間的線長度在該線中形成具有一第一環狀高度(190)的一環。該方法進一步包含置放一第二焊球(162)於該第一焊球(122)之頂部上，該環之一部分係壓縮在該第一焊球(122)與該第二焊球(162)之間。該壓縮的環具有其小於該第一環狀高度(190)之一第二環狀高度(195)。該方法還包含形成一第三接合於該第二焊球(162)、該線(120)與該第一焊球(122)之間。
简体摘要：本发明提供一种低环状线接合之方法。该方法包含形成一第一接合于置放在一第一线(120)之一端的一第一焊球(122)与耦合至具有一或多个导线(114)之一导线架(110)的一晶粒(20)之一焊垫(22)之间。该方法还包含形成一第二接合(124)于该线之一部分与该导线架之一导线(114)之间。该第一接合与该第二接合之间的线长度在该线中形成具有一第一环状高度(190)的一环。该方法进一步包含置放一第二焊球(162)于该第一焊球(122)之顶部上，该环之一部分系压缩在该第一焊球(122)与该第二焊球(162)之间。该压缩的环具有其小于该第一环状高度(190)之一第二环状高度(195)。该方法还包含形成一第三接合于该第二焊球(162)、该线(120)与该第一焊球(122)之间。

7. 发明专利

TW451371B 晶片單一正常方形銲墊連接引線之方法有权
简体标题：芯片单一正常方形焊垫连接引线之方法
公开(公告)号：TW451371B
公开(公告)日：2001-08-21
申请号：TW089107605
申请日：2000-04-21
申请人：日月光半導體製造股份有限公司
发明人：趙特宗 , 方惠卿
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/48477 , H01L2224/49 , H01L2224/49429 , H01L2224/78 , H01L2224/78301 , H01L2224/85 , H01L2224/85051 , H01L2224/85181 , H01L2224/85186 , H01L2224/85191 , H01L2224/85947 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：本發明係有關於一種晶片單一正常方形銲墊連接引線之方法，其係以饋線器之銲嘴先於晶片之正常方形銲墊上成形一銲球，並延伸引出一導線，同時，該銲嘴的打線路徑係先往上移動一第一距離，再朝手指方向水平移動一第二距離，並令該第一距離與第二距離之間形成第一轉折，而後往上移動一第三距離，並令該第二距離與第三距離之間形成第二轉折，最後往手指以一圓弧距離移動，並令該第三距離與圓弧距離之間形成第三轉折，而使該導線之末端移動並以熱壓方式銲接至手指上;俾使該銲球上方之導線呈傾斜狀態，以形成一容納銲嘴銲接的空間，使其可於先前成形之銲球上銲接另一導線，而使該原先之導線可不受銲嘴的壓壞或壓歪，達到於晶片單一正常方形銲墊上連接複數導線之功效者。
简体摘要：本发明系有关于一种芯片单一正常方形焊垫连接引线之方法，其系以馈线器之焊嘴先于芯片之正常方形焊垫上成形一焊球，并延伸引出一导线，同时，该焊嘴的打线路径系先往上移动一第一距离，再朝手指方向水平移动一第二距离，并令该第一距离与第二距离之间形成第一转折，而后往上移动一第三距离，并令该第二距离与第三距离之间形成第二转折，最后往手指以一圆弧距离移动，并令该第三距离与圆弧距离之间形成第三转折，而使该导线之末端移动并以热压方式焊接至手指上;俾使该焊球上方之导线呈倾斜状态，以形成一容纳焊嘴焊接的空间，使其可于先前成形之焊球上焊接另一导线，而使该原先之导线可不受焊嘴的压坏或压歪，达到于芯片单一正常方形焊垫上连接复数导线之功效者。

8. 发明专利

TW201448132A 具有包含經降低電感之接合黏結元件之微電子總成审中-公开
简体标题：具有包含经降低电感之接合黏结组件之微电子总成
公开(公告)号：TW201448132A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103125988
申请日：2010-12-22
申请人：泰斯拉公司 , TESSERA, INC.
发明人：哈巴貝勒卡塞姆 , HABA, BELGACEM , 丹姆伯格菲利普 , DAMBERG, PHILIP , 奧斯本飛利浦R , OSBORN, PHILIP R.
IPC分类号： H01L23/12 , H01L21/58
CPC分类号： H01L23/49816 , H01L21/50 , H01L23/13 , H01L23/49861 , H01L24/01 , H01L24/36 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L24/91 , H01L2224/05554 , H01L2224/40091 , H01L2224/40225 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/4809 , H01L2224/48091 , H01L2224/48096 , H01L2224/4813 , H01L2224/4824 , H01L2224/4846 , H01L2224/48465 , H01L2224/48477 , H01L2224/48599 , H01L2224/4911 , H01L2224/49112 , H01L2224/4942 , H01L2224/49427 , H01L2224/49429 , H01L2224/4945 , H01L2224/85051 , H01L2224/85191 , H01L2224/85205 , H01L2924/00014 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/19107 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2224/48095 , H01L2224/37099 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
摘要：本發明揭示一種微電子總成(100)，其包含：一半導體晶片(110、1110)，其具有暴露在一第一表面處之晶片接觸件(112)；及一基板(130、1130)，其與該晶片(110、1110)之一表面(128、129)並列。一導電黏結元件(144)可電連接一第一晶片接觸件(112)與該基板之一第一基板接觸件(132、1132)，且一第二導電黏結元件(146)可電連接該第一晶片接觸件(112、132)與一第二基板接觸件。該第一黏結元件(144)可具有冶金接合至該第一晶片接觸件(112、212A)之一第一端部(244A、344A)及冶金接合至該第一基板接觸件之一第二端部(244B、344B)。該第二黏結元件之一第一端部(246A、346A)可冶金接合至該第一黏結元件(144)。該第二黏結元件可觸碰或不觸碰該第一晶片接觸件(112、212A、1212)或該基板接觸件(132、1132)。一第三黏結元件(948)可接合至第一黏結元件及第二黏結元件之端部，該第一黏結元件及該第二黏結元件接合至基板接觸件或晶片接觸件。在一實施例中，一黏結元件(740)可具有一環形連接，該環形連接具有接合至一第一接觸件(732A)之第一及第二端部(742、746)及接合至一第二接觸件(712A)之一中間部分(744)。
简体摘要：本发明揭示一种微电子总成(100)，其包含：一半导体芯片(110、1110)，其具有暴露在一第一表面处之芯片接触件(112)；及一基板(130、1130)，其与该芯片(110、1110)之一表面(128、129)并列。一导电黏结组件(144)可电连接一第一芯片接触件(112)与该基板之一第一基板接触件(132、1132)，且一第二导电黏结组件(146)可电连接该第一芯片接触件(112、132)与一第二基板接触件。该第一黏结组件(144)可具有冶金接合至该第一芯片接触件(112、212A)之一第一端部(244A、344A)及冶金接合至该第一基板接触件之一第二端部(244B、344B)。该第二黏结组件之一第一端部(246A、346A)可冶金接合至该第一黏结组件(144)。该第二黏结组件可触碰或不触碰该第一芯片接触件(112、212A、1212)或该基板接触件(132、1132)。一第三黏结组件(948)可接合至第一黏结组件及第二黏结组件之端部，该第一黏结组件及该第二黏结组件接合至基板接触件或芯片接触件。在一实施例中，一黏结组件(740)可具有一环形连接，该环形连接具有接合至一第一接触件(732A)之第一及第二端部(742、746)及接合至一第二接触件(712A)之一中间部分(744)。

9. 发明专利

TWI328264B 保護層上形成有後護層結構的半導體晶片 SEMICONDUCTOR CHIP WITH POST-PASSIVATION SCHEME FORMED OVER PASSIVATION LAYER 有权
简体标题：保护层上形成有后护层结构的半导体芯片 SEMICONDUCTOR CHIP WITH POST-PASSIVATION SCHEME FORMED OVER PASSIVATION LAYER
公开(公告)号：TWI328264B
公开(公告)日：2010-08-01
申请号：TW095140066
申请日：2006-10-30
申请人：米輯電子股份有限公司
发明人：周秋明 , 周健康 , 林世雄 , 林茂雄 , 羅心榮
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/73 , H01L23/5329 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04073 , H01L2224/05155 , H01L2224/05173 , H01L2224/05176 , H01L2224/05553 , H01L2224/05572 , H01L2224/05599 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/05673 , H01L2224/05676 , H01L2224/1147 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13169 , H01L2224/13173 , H01L2224/13176 , H01L2224/48463 , H01L2224/48477 , H01L2224/4943 , H01L2224/85051 , H01L2224/85399 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01059 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2224/13099 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2224/4554
摘要：本發明係提供一種保護層上形成有後護層結構的半導體晶片，其包括一圖案化金屬層在保護層上。此圖案化金屬層包括一第一接墊，且第一接墊連接保護層之開口所暴露出的一第二接墊。一金屬凸塊位在第一接墊上以及位在複數半導體元件上方，且此金屬凸塊包括厚度介於8微米至50微米之間的金。
简体摘要：本发明系提供一种保护层上形成有后护层结构的半导体芯片，其包括一图案化金属层在保护层上。此图案化金属层包括一第一接垫，且第一接垫连接保护层之开口所暴露出的一第二接垫。一金属凸块位在第一接垫上以及位在复数半导体组件上方，且此金属凸块包括厚度介于8微米至50微米之间的金。

10. 发明专利

TWI323013B 打線方法失效
简体标题：打线方法
公开(公告)号：TWI323013B
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：TW093115630
申请日：2004-06-01
申请人：新川股份有限公司
发明人：三井龍成 , 關根直希
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48 , H01L2224/48095 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48477 , H01L2224/48599 , H01L2224/78 , H01L2224/78301 , H01L2224/85 , H01L2224/85051 , H01L2224/85148 , H01L2224/85947 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/15787 , H01L2924/20752 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：除去壓接球上之頸高部而獲得低引線環化，並且能謀求引線環強度之提高。
在第1接合點A所接合之壓接球34上，形成向上方延伸的頸高部31，並將引線3連接在第2接合點B後，在毛細管4下端所延伸之引線3前端形成球體5，將該球體5緊壓於電路基板1來形成下面平坦球5a，接著將該下面平坦球5a緊壓於該頸高部31之頂部使頸高部31壓低。【創作特點】上述習知技術之方法，由於係在壓接球上形成頸高部，必然地會成為高引線環形狀。近年來，半導體裝置有小型化及薄型化之趨勢，但以習知技術之方法，不能充分滿足此要求。
本發明在於提供：除去壓接球上之頸高部而能謀求低引線環化，並且能獲得引線環強度之提高的打線方法。
為了要解決上述問題，本發明之申請專利範圍第1項，其特徵在於：在第1接合點所接合之壓接球上形成向上方延伸的頸高部，並將引線連接在第2接合點後，在毛細管下端所延伸之引線前端形成球體，將該球體緊壓於電路基板來形成下面平坦球，接著將該下面平坦球緊壓於該頸高部之頂部使頸高部壓低。
為了要解決上述問題，本發明之申請專利範圍第2項，其特徵在於：將向上方延伸之頸高部形成於接合於第1接合點之壓接球上而將引線連接於第2接合點後，將引線緊壓工具緊壓於該頸高部之頂部使頸高部壓低。
由於將頸高部之頂部壓低，使壓接球之上端部之強度增大，故不會從該壓接球之上端部產生垂下，又，藉由頸高部之壓低，使頸高部消失，而形成極低之引線環。
简体摘要：除去压接球上之颈高部而获得低引线环化，并且能谋求引线环强度之提高。在第1接合点A所接合之压接球34上，形成向上方延伸的颈高部31，并将引线3连接在第2接合点B后，在毛细管4下端所延伸之引线3前端形成球体5，将该球体5紧压于电路基板1来形成下面平坦球5a，接着将该下面平坦球5a紧压于该颈高部31之顶部使颈高部31压低。【创作特点】上述习知技术之方法，由于系在压接球上形成颈高部，必然地会成为高引线环形状。近年来，半导体设备有小型化及薄型化之趋势，但以习知技术之方法，不能充分满足此要求。本发明在于提供：除去压接球上之颈高部而能谋求低引线环化，并且能获得引线环强度之提高的打线方法。为了要解决上述问题，本发明之申请专利范围第1项，其特征在于：在第1接合点所接合之压接球上形成向上方延伸的颈高部，并将引线连接在第2接合点后，在毛细管下端所延伸之引线前端形成球体，将该球体紧压于电路基板来形成下面平坦球，接着将该下面平坦球紧压于该颈高部之顶部使颈高部压低。为了要解决上述问题，本发明之申请专利范围第2项，其特征在于：将向上方延伸之颈高部形成于接合于第1接合点之压接球上而将引线连接于第2接合点后，将引线紧压工具紧压于该颈高部之顶部使颈高部压低。由于将颈高部之顶部压低，使压接球之上端部之强度增大，故不会从该压接球之上端部产生垂下，又，借由颈高部之压低，使颈高部消失，而形成极低之引线环。

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