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    • 3. 发明专利
    • 矽之蝕刻方法
    • 硅之蚀刻方法
    • TWI336495B
    • 2011-01-21
    • TW096114623
    • 2007-04-25
    • 積水化學工業股份有限公司
    • 石井徹哉中島節男大塚智弘
    • H01L
    • H01L21/3065H01J37/32366
    • 本發明係揭示一種矽之蝕刻方法,其可提高矽之蝕刻速率。於含有氟且與矽不具反應性之氟系原料CF4中,添加使露點成為10℃~40℃之量的水。使所獲得之低露點氟系原料氣體通過大氣壓附近之電漿空間26。藉此生成氟系反應性氣體,該氟系反應性氣體含有非自由基之氟系中間氣體COF4,且氟原子數(F)與氫原子數(H)之比為(F)/(H)>1.5。將包含可使矽氧化之氧化性氣體O3與上述電漿空間26中所生成之氟系反應性氣體的反應性氣體噴至溫度設為10℃~50℃之被處理物上。氟系中間氣體之COF4成為與水反應後具有氧化矽蝕刻能力之HF等氟系蝕刻氣體。
    • 本发明系揭示一种硅之蚀刻方法,其可提高硅之蚀刻速率。于含有氟且与硅不具反应性之氟系原料CF4中,添加使露点成为10℃~40℃之量的水。使所获得之低露点氟系原料气体通过大气压附近之等离子空间26。借此生成氟系反应性气体,该氟系反应性气体含有非自由基之氟系中间气体COF4,且氟原子数(F)与氢原子数(H)之比为(F)/(H)>1.5。将包含可使硅氧化之氧化性气体O3与上述等离子空间26中所生成之氟系反应性气体的反应性气体喷至温度设为10℃~50℃之被处理物上。氟系中间气体之COF4成为与水反应后具有氧化硅蚀刻能力之HF等氟系蚀刻气体。
    • 9. 发明专利
    • 矽之蝕刻方法
    • 硅之蚀刻方法
    • TWI374494B
    • 2012-10-11
    • TW097138332
    • 2008-10-03
    • 積水化學工業股份有限公司
    • 石井徹哉中島節男大塚智弘功刀俊介佐藤崇
    • H01L
    • H01L21/3065
    • 本發明之課題在於提高矽之蝕刻速率。於氟系原料之CF4與Ar之混合氣體中添加露點達到10℃~40℃之量的水,於大氣壓下進行電漿化。將電漿化後之氣體與來自臭氧發生器13的含臭氧之氣體進行混合,獲得反應氣體。反應氣體包含1vol%以上之臭氧、COF2等非自由基之氟系中間物質、0.4vol%以上之HF等氟系反應物質,且氟原子數(F)與氫原子數(H)之比為(F)/(H)>1.8。將該反應氣體吹附至溫度為10℃~50℃之矽膜91(被處理物)上。
    • 本发明之课题在于提高硅之蚀刻速率。于氟系原料之CF4与Ar之混合气体中添加露点达到10℃~40℃之量的水,于大气压下进行等离子化。将等离子化后之气体与来自臭氧发生器13的含臭氧之气体进行混合,获得反应气体。反应气体包含1vol%以上之臭氧、COF2等非自由基之氟系中间物质、0.4vol%以上之HF等氟系反应物质,且氟原子数(F)与氢原子数(H)之比为(F)/(H)>1.8。将该反应气体吹附至温度为10℃~50℃之硅膜91(被处理物)上。
    • 10. 发明专利
    • 電漿處理裝置
    • 等离子处理设备
    • TWI318424B
    • 2009-12-11
    • TW095134855
    • 2006-09-20
    • 積水化學工業股份有限公司
    • 中島節男武內稔公松崎純一真弓聰西川理齋藤直道中野良憲福士麻琴古野喜彥
    • H01L
    • H01J37/32623H01J2237/0206H05H1/2406H05H2001/2412
    • 本發明提供一種大氣壓電漿處理裝置,可對應被處理物之大面積化,並且可確保正規放電處理開始處之處理的良好性。
      本發明係使大氣壓電漿處理裝置之平臺20之第1平臺部21之第1金屬表面21a露出,並設置介電質製被處理物W。於第1平臺部21之周緣設置第2平臺部22。於該第2平臺部22之第2金屬24上設置固體介電層25,於該固體介電層25之內側介電部26設置被處理物W之周緣部。電極11於第2平臺部22上之第2移動範圍R2內形成先行放電D2,之後向第1平臺部21上之第1移動範圍R1移動,形成正規之電漿放電D1。 【創作特點】 近年來,推進被處理物之大型化,隨之,必須接地電極兼平臺之大型化。若平臺變得大型,則其上面之固體介電層亦必須大面積化。然而,製作大面積之固體介電層並不容易,無法避免製造費用增加。
      另一方面,被處理物較多由玻璃等介電質而構成。因此,若將介電質製之被處理物代用作平臺之固體介電層,則無須於平臺之金屬表面本身上設置固體介電層。此時,為防止電弧放電,業者期望由被處理物完全覆蓋平臺之金屬表面,且使被處理物之周緣部較平臺之金屬表面稍微突出。
      然而,若如此般,則當電極位於被處理物之周緣部及較之更外側時,並不引起放電,而當電極自被處理物之周緣部向內側移動且移動至平臺之金屬表面之端部上時,立刻引起電漿放電,並開始處理。因此,開始處理處即被處理物之周緣部與較之更內側之主體部分之邊界部分等的放電狀態變得不穩定,該邊界部分(主體部分之端部)等處理變得不良或遭受損傷。
      本發明係基於上述考察研究而成者,其係將以玻璃基板等介電質為主要成分之被處理物曝露於大氣壓附近之電漿放電中而進行表面處理之裝置,其特徵在於具備:平臺,該平臺包含第1平臺部(主設置部)及第2平臺部(側邊部),且以使周緣部向上述第2平臺部之側突出之方式,而將上述被處理物設置於上述第1平臺部之第1金屬表面上,上述第1平臺部具有露出之第1金屬表面(由金屬而構成之主設置面),上述第2平臺部具有由固體介電層(側邊介電部)所被覆之第2金屬表面(側邊金屬部)且設置於上述第1平臺部之外周部;及電極,該電極相對於上述平臺於包含第1移動範圍(第1位置)及第2移動範圍(第2位置)之範圍內相對移動,上述第1移動範圍與上述第1平臺部對向且形成上述電漿放電,上述第2移動範圍與上述第2平臺部對向。
      藉此,可將被處理物代用作平臺之第1金屬表面之固體介電層,無須於第1金屬表面上設置熔射膜或陶瓷板之固體介電層,可抑制製造成本較低,且平臺之大型化變得容易。亦可向第2移動範圍之電極與第2平臺部之間施加電場,藉此,可於電極進入第1移動範圍之前引起先行放電而準備正規之電漿處理。其結果為,可使被處理物之周緣部與較之更內側之主體部分之邊界的正規之電漿放電開始時之放電狀態穩定,且可防止被處理物之主體部分之端部等之損傷或確保處理之良好性。
      較好的是上述第1金屬表面面積略微小於上述被處理物面積。藉此,藉由上述被處理物之主體部分可覆蓋上述第1金屬整個表面。較好的是上述被處理物之周緣部設置於上述第2平臺部上。
      較好的是設定上述第2平臺部之固體介電層之厚度及介電常數,以於上述第2移動範圍之電極與第2平臺部之間形成電漿放電。
      藉此,可確實引起電極進入第1移動範圍之前之先行放電,且可確實使被處理物之主體部分之端部之放電狀態穩定。
      較好的是上述第2平臺部之固體介電層具有內側介電部(周緣設置部)及外側介電部,上述內側介電部上應設置有上述被處理物之周緣部,上述外側介電部自該內側介電部配置於上述第1平臺部之相反側,且應自上述被處理物之周緣部突出。
      較好的是,上述內側介電部與外側介電部中至少外側介電部對應上述第2金屬表面而配置,且覆蓋第2金屬表面。
      藉此,可於較被處理物之周緣部更外側形成先行放電。
      較好的是設定上述外側介電部之厚度及介電常數,以於上述第2移動範圍之電極與上述外側介電部之間形成電漿放電。
      藉此,可於較被處理物之周緣部更外側之外側介電部上形成先行放電。
      較好的是上述外側介電部之厚度與介電常數之比,與上述被處理物之厚度與介電常數之比大致相同。較好的是設定上述外側介電部之介電常數與厚度,以上述外側介電部之每單位面積之靜電容量與上述被處理物之每單位面積之靜電容量相互相等。
      藉此,可將外側介電部上之先行放電之狀態設為與被處理物之主體部分上之正規放電狀態相同之位準。
      較好的是上述電極沿上述相對移動方向之寬度為可自上述外側介電部跨至上述第1平臺部之大小。
      藉此,當電極自第2移動範圍向第1移動範圍轉移時,電場不僅可繼續存在於被處理物之主體部分之端部上,亦可繼續存在於外側介電部上,從而可防止被處理物之主體部分之端部上產生電場集中,且可確實確保被處理物之主體部分之端部之處理的良好性。
      較好的是上述電極沿上述相對移動方向之寬度至少大於上述內側介電部沿上述相對移動方向之寬度。
      上述第1金屬表面亦可較上述第2金屬表面(第2金屬部與固體介電層之接合面)更加突出於上述電極側。上述外側介電部之表面亦可較上述第1金屬表面更加突出於上述電極側。該構成適於外側介電部之介電常數大於被處理物之介電常數之情形。
      較好的是當外側介電部之介電常數小於上述被處理物之介電常數之情形時,上述第2金屬部與固體介電層之接合面較上述第1金屬表面更加突出於上述電極側。
      較好的是上述外側介電部之表面較上述第1金屬表面僅以與上述被處理物之厚度大致相同之大小更突出於上述電極側。
      藉此,可將先行放電時之電極與第2平臺部之間之製程氣體的流通狀態設為與正規之電漿放電時之電極與被處理物之間的流通狀態大致相同。
      較好的是上述內側介電部之表面與上述第1金屬表面為同一面。較好的是上述內側介電部之表面與上述第1金屬表面連續為同一面。
      藉此,可使被處理物之主體部分確實接觸於第1金屬表面,並且可使被處理物之周緣部確實接觸於內側介電部,從而可防止被處理物之背面與平臺之間出現間隙。
      上述內側介電部之表面與上述第1金屬表面為同一面,內側介電部之背面為伴隨朝向第1平臺部而向表面側傾斜之斜面,亦可內側介電部之厚度伴隨接近上述第1平臺部而變小(參照圖7)。
      藉此,內側介電部與設置於其上之被處理物之周緣部之整體之介電常數伴隨朝向第1平臺部之側而可接近被處理物單獨之介電常數。因此,使被處理物之周緣部上之先行放電部分之電漿放電狀態,伴隨接近正規放電部而接近正規放電部之電漿放電狀態,可防止被處理物之周緣部與主體部分之端部之邊界之放電狀態不連續。
      較好的是上述內側介電部與上述外側介電部連接為一體。
      藉此,於內側介電部與外側介電部之邊界可使第2金屬部不露出,且可防止經由內側介電部與外側介電部之邊界於第2金屬部中落下沿面放電等。
      上述內側介電部與外側介電部亦可不同。
      較好的是於上述內側介電部與外側介電部之間形成有階差。被處理物之端面可放置於該階差上,且可確實地使被處理物定位。
      較好的是上述第1平臺部之第1金屬部與上述第2平臺部之第2金屬部相互接觸、或者相互連接,較好的是第2金屬部亦配置於內側介電部之背面側。
      藉此,當電極自第2移動範圍跨至第1移動範圍之間時,電漿放電之先行部與正規之電漿放電部可連續,可更加確實地確保被處理物之主體部分之端部之處理的良好性。
      較好的是上述平臺具備由金屬而構成之平臺本體,較上述平臺本體之周緣部更內側之部分具有露出之上述第1金屬表面而成為上述第1平臺部,上述平臺本體之周緣部具有由上述固體介電層所被覆之上述第2金屬表面,藉由該平臺本體之周緣部與上述固體介電層而構成上述第2平臺部。
      藉此,可將第1平臺部之第1金屬部與第2平臺部之第2金屬部設為一體構造,且當電極自第2移動範圍跨至第1移動範圍之間時,電漿放電之先行部與正規之電漿放電部可確實地連續。
      較好的是上述電極於包含上述第1移動範圍、上述第2移動範圍、及第3移動範圍之範圍內相對移動,上述第3移動範圍位於該第2移動範圍之與上述第1移動範圍相反之一側。
      進而較好的是具備電源電路。較好的是當上述電極自上述第3移動範圍經由第2移動範圍而朝向第1移動範圍移動時,於上述電極到達跨越上述第2移動範圍與第3移動範圍之位置和最靠近上述第1移動範圍之位置之間的特定位置之時間點,上述電源電路開始向上述電極供給用以進行上述電漿放電之電壓。
      藉此,可確實使電壓供給開始時之電極之電場方向朝向第2金屬,且可防止自電極產生異常放電。又,可避免電極之電場於第2金屬之外端部等局部集中,且可防止損傷第2平臺部之固體介電層等。
      上述特定位置中,上述電極亦可跨越上述第2移動範圍與第3移動範圍。此時,較好的是上述電極大約3~7成之部分位於上述第2移動範圍,其餘部分位於上述第3移動範圍。
      藉由設為大約3成以上,可確實防止電壓供給開始時之異常放電,並且可確實避免電場向第2金屬之外端部等集中。藉由設為大約7成以下而無須使第2平臺部之寬度增大至須要以上。
      更好的是於上述特定位置中,上述電極之大約5成部分位於上述第2移動範圍,其餘部分位於上述第3移動範圍。
      藉此,可確實防止自電極產生異常放電,並且可確實避免電場向第2金屬之外端部等集中。
      上述電極沿上述相對移動方向之寬度亦可大於上述第2平臺部(進而上述第2移動範圍)沿上述相對移動方向之寬度、亦可等於上述第2平臺部(進而上述第2移動範圍)沿上述相對移動方向之寬度、亦可小於上述第2平臺部(進而上述第2移動範圍)沿上述相對移動方向之寬度。
      上述特定位置可設定為橫越上述第2移動範圍與第3移動範圍之位置到至少進入上述第1移動範圍前之間。
      當上述電極之寬度大於上述第2平臺部之情形時等,上述特定位置亦可為跨越上述第2移動範圍與第3移動範圍,且位於離上述第1移動範圍最近之位置。
      當上述電極之寬度小於上述第2平臺部之情形時,上述特定位置亦可為超過跨越上述第2移動範圍與第3移動範圍之位置,上述電極之整個寬度方向位於上述第2移動範圍內之位置。
      較好的是上述平臺進而具有設置於上述第2平臺部之與第1平臺部側相反側之絕緣性第3平臺部。較好的是上述第3移動範圍之電極與上述第3平臺部對向。
      藉此,可使電極於第3平臺部上待機。可於第2平臺部之外側亦於電極與第3平臺部之間形成處理氣體之通路。
      較好的是第3平臺部之表面與第2平臺部之固體介電層之表面為同一面。
      又,本發明為一種大氣壓電漿處理裝置,其係將以介電質為主要成分之被處理物曝露於大氣壓附近之電漿放電中而進行表面處理之大氣壓電漿處理裝置,其特徵在於具備:平臺,其包含第1平臺部及第2平臺部,且於上述第1平臺部之第1金屬表面,以使周緣部向上述第2平臺部之側突出之方式設置上述被處理物,上述第1平臺部具有露出之第1金屬表面,上述第2平臺部具有由固體介電層所被覆之第2金屬表面且設置於上述第1平臺部之外周部;第1電極,其相對於上述平臺,於包含第1移動範圍、第2移動範圍與第3移動範圍之範圍內相對移動,上述第1移動範圍與上述第1平臺部對向,上述第2移動範圍與上述第2平臺部對向,上述第3移動範圍位於該第2移動範圍之與上述第1移動範圍相反之一側;第2電極,其配置於該第1電極之上述第3移動範圍側並與第1電極成為一體,且相對於上述平臺,於包含上述第1移動範圍、上述第2移動範圍與上述第3移動範圍內相對移動;第1電源電路,當上述第1、第2電極自上述第3移動範圍經第2移動範圍而朝向第1移動範圍進行進入移動時,於上述第1電極到達跨越上述第2移動範圍與第3移動範圍之位置和最靠近上述第1移動範圍之位置之間的特定位置之時間點,開始對上述第1電極供給上述電漿放電用之電壓;及第2電源電路,其於上述進入移動時,於上述第2電極到達跨越上述第2移動範圍與第3移動範圍之位置和最靠近上述第1移動範圍之位置之間的特定位置之時間點,開始對上述第2電極供給上述電漿放電用之電壓。
      藉此,可將被處理物代用作平臺之第1金屬表面之固體介電層,而無須於第1金屬表面上設置熔射膜或陶瓷板之固體介電層,可壓低製造成本,且平臺之大型化變得容易。亦可向第2移動範圍之電極與第2平臺部之間施加電場,藉此,於電極進入第1移動範圍之前可引起先行放電且可預作正規電漿處理之準備。其結果為,可使被處理物之周緣部與較之更內側之主體部分之邊界的正規之電漿放電開始時之放電狀態穩定,於被處理物主體部分之端部等可收損傷防止或確保處理良好性之效。
      並且,於第1電極到達特定位置之時間點對第1電極開始供給電壓,藉此可確實使來自第1電極之電場方向朝向第2金屬,其後,於第2電極到達特定位置之時間點對第2電極開始供給電壓,藉此可確實使來自第2電極之電場方向朝向第2金屬。如此,藉由對第1、第2電極依序開始供給電壓,可防止於開始供給電壓時引起異常放電或電場集中。
      作為用於本發明之表面處理之放電之態樣,可列舉電暈放電、沿面放電、介電質障壁放電、輝光放電等。較好的放電態樣為於大氣壓附近(大致為常壓)之輝光放電。此處,所謂大氣壓附近係指1.013×10 4 ~50.663×10 4 Pa之範圍,考慮壓力調整之容易化或裝置構成之簡便化,則較好的是1.333×10 4 ~10.664×10 4 Pa,更好的是9.331×10 4 ~10.397×10 4 Pa。
      根據本發明,可將被處理物代用作平臺之第1金屬表面之固體介電層,而無須於第1金屬表面上設置熔射膜或陶瓷板之固體介電層,可壓低製造成本,且平臺之大型化變得容易。並且,亦可向第2移動範圍之電極與第2平臺部之間施加電場。藉此,可引起先行放電而預作正規電漿處理之準備。其結果為,可使被處理物主體部分之端部上的正規之電漿放電開始時之放電狀態穩定,於被處理物主體部分之端部等可收損傷防止或確保處理良好性之效。
    • 本发明提供一种大气压等离子处理设备,可对应被处理物之大面积化,并且可确保正规放电处理开始处之处理的良好性。 本发明系使大气压等离子处理设备之平台20之第1平台部21之第1金属表面21a露出,并设置介电质制被处理物W。于第1平台部21之周缘设置第2平台部22。于该第2平台部22之第2金属24上设置固体介电层25,于该固体介电层25之内侧介电部26设置被处理物W之周缘部。电极11于第2平台部22上之第2移动范围R2内形成先行放电D2,之后向第1平台部21上之第1移动范围R1移动,形成正规之等离子放电D1。 【创作特点】 近年来,推进被处理物之大型化,随之,必须接地电极兼平台之大型化。若平台变得大型,则其上面之固体介电层亦必须大面积化。然而,制作大面积之固体介电层并不容易,无法避免制造费用增加。 另一方面,被处理物较多由玻璃等介电质而构成。因此,若将介电质制之被处理物代用作平台之固体介电层,则无须于平台之金属表面本身上设置固体介电层。此时,为防止电弧放电,业者期望由被处理物完全覆盖平台之金属表面,且使被处理物之周缘部较平台之金属表面稍微突出。 然而,若如此般,则当电极位于被处理物之周缘部及较之更外侧时,并不引起放电,而当电极自被处理物之周缘部向内侧移动且移动至平台之金属表面之端部上时,立刻引起等离子放电,并开始处理。因此,开始处理处即被处理物之周缘部与较之更内侧之主体部分之边界部分等的放电状态变得不稳定,该边界部分(主体部分之端部)等处理变得不良或遭受损伤。 本发明系基于上述考察研究而成者,其系将以玻璃基板等介电质为主要成分之被处理物曝露于大气压附近之等离子放电中而进行表面处理之设备,其特征在于具备:平台,该平台包含第1平台部(主设置部)及第2平台部(侧边部),且以使周缘部向上述第2平台部之侧突出之方式,而将上述被处理物设置于上述第1平台部之第1金属表面上,上述第1平台部具有露出之第1金属表面(由金属而构成之主设置面),上述第2平台部具有由固体介电层(侧边介电部)所被覆之第2金属表面(侧边金属部)且设置于上述第1平台部之外周部;及电极,该电极相对于上述平台于包含第1移动范围(第1位置)及第2移动范围(第2位置)之范围内相对移动,上述第1移动范围与上述第1平台部对向且形成上述等离子放电,上述第2移动范围与上述第2平台部对向。 借此,可将被处理物代用作平台之第1金属表面之固体介电层,无须于第1金属表面上设置熔射膜或陶瓷板之固体介电层,可抑制制造成本较低,且平台之大型化变得容易。亦可向第2移动范围之电极与第2平台部之间施加电场,借此,可于电极进入第1移动范围之前引起先行放电而准备正规之等离子处理。其结果为,可使被处理物之周缘部与较之更内侧之主体部分之边界的正规之等离子放电开始时之放电状态稳定,且可防止被处理物之主体部分之端部等之损伤或确保处理之良好性。 较好的是上述第1金属表面面积略微小于上述被处理物面积。借此,借由上述被处理物之主体部分可覆盖上述第1金属整个表面。较好的是上述被处理物之周缘部设置于上述第2平台部上。 较好的是设置上述第2平台部之固体介电层之厚度及介电常数,以于上述第2移动范围之电极与第2平台部之间形成等离子放电。 借此,可确实引起电极进入第1移动范围之前之先行放电,且可确实使被处理物之主体部分之端部之放电状态稳定。 较好的是上述第2平台部之固体介电层具有内侧介电部(周缘设置部)及外侧介电部,上述内侧介电部上应设置有上述被处理物之周缘部,上述外侧介电部自该内侧介电部配置于上述第1平台部之相反侧,且应自上述被处理物之周缘部突出。 较好的是,上述内侧介电部与外侧介电部中至少外侧介电部对应上述第2金属表面而配置,且覆盖第2金属表面。 借此,可于较被处理物之周缘部更外侧形成先行放电。 较好的是设置上述外侧介电部之厚度及介电常数,以于上述第2移动范围之电极与上述外侧介电部之间形成等离子放电。 借此,可于较被处理物之周缘部更外侧之外侧介电部上形成先行放电。 较好的是上述外侧介电部之厚度与介电常数之比,与上述被处理物之厚度与介电常数之比大致相同。较好的是设置上述外侧介电部之介电常数与厚度,以上述外侧介电部之每单位面积之静电容量与上述被处理物之每单位面积之静电容量相互相等。 借此,可将外侧介电部上之先行放电之状态设为与被处理物之主体部分上之正规放电状态相同之位准。 较好的是上述电极沿上述相对移动方向之宽度为可自上述外侧介电部跨至上述第1平台部之大小。 借此,当电极自第2移动范围向第1移动范围转移时,电场不仅可继续存在于被处理物之主体部分之端部上,亦可继续存在于外侧介电部上,从而可防止被处理物之主体部分之端部上产生电场集中,且可确实确保被处理物之主体部分之端部之处理的良好性。 较好的是上述电极沿上述相对移动方向之宽度至少大于上述内侧介电部沿上述相对移动方向之宽度。 上述第1金属表面亦可较上述第2金属表面(第2金属部与固体介电层之接合面)更加突出于上述电极侧。上述外侧介电部之表面亦可较上述第1金属表面更加突出于上述电极侧。该构成适于外侧介电部之介电常数大于被处理物之介电常数之情形。 较好的是当外侧介电部之介电常数小于上述被处理物之介电常数之情形时,上述第2金属部与固体介电层之接合面较上述第1金属表面更加突出于上述电极侧。 较好的是上述外侧介电部之表面较上述第1金属表面仅以与上述被处理物之厚度大致相同之大小更突出于上述电极侧。 借此,可将先行放电时之电极与第2平台部之间之制程气体的流通状态设为与正规之等离子放电时之电极与被处理物之间的流通状态大致相同。 较好的是上述内侧介电部之表面与上述第1金属表面为同一面。较好的是上述内侧介电部之表面与上述第1金属表面连续为同一面。 借此,可使被处理物之主体部分确实接触于第1金属表面,并且可使被处理物之周缘部确实接触于内侧介电部,从而可防止被处理物之背面与平台之间出现间隙。 上述内侧介电部之表面与上述第1金属表面为同一面,内侧介电部之背面为伴随朝向第1平台部而向表面侧倾斜之斜面,亦可内侧介电部之厚度伴随接近上述第1平台部而变小(参照图7)。 借此,内侧介电部与设置于其上之被处理物之周缘部之整体之介电常数伴随朝向第1平台部之侧而可接近被处理物单独之介电常数。因此,使被处理物之周缘部上之先行放电部分之等离子放电状态,伴随接近正规放电部而接近正规放电部之等离子放电状态,可防止被处理物之周缘部与主体部分之端部之边界之放电状态不连续。 较好的是上述内侧介电部与上述外侧介电部连接为一体。 借此,于内侧介电部与外侧介电部之边界可使第2金属部不露出,且可防止经由内侧介电部与外侧介电部之边界于第2金属部中落下沿面放电等。 上述内侧介电部与外侧介电部亦可不同。 较好的是于上述内侧介电部与外侧介电部之间形成有阶差。被处理物之端面可放置于该阶差上,且可确实地使被处理物定位。 较好的是上述第1平台部之第1金属部与上述第2平台部之第2金属部相互接触、或者相互连接,较好的是第2金属部亦配置于内侧介电部之背面侧。 借此,当电极自第2移动范围跨至第1移动范围之间时,等离子放电之先行部与正规之等离子放电部可连续,可更加确实地确保被处理物之主体部分之端部之处理的良好性。 较好的是上述平台具备由金属而构成之平台本体,较上述平台本体之周缘部更内侧之部分具有露出之上述第1金属表面而成为上述第1平台部,上述平台本体之周缘部具有由上述固体介电层所被覆之上述第2金属表面,借由该平台本体之周缘部与上述固体介电层而构成上述第2平台部。 借此,可将第1平台部之第1金属部与第2平台部之第2金属部设为一体构造,且当电极自第2移动范围跨至第1移动范围之间时,等离子放电之先行部与正规之等离子放电部可确实地连续。 较好的是上述电极于包含上述第1移动范围、上述第2移动范围、及第3移动范围之范围内相对移动,上述第3移动范围位于该第2移动范围之与上述第1移动范围相反之一侧。 进而较好的是具备电源电路。较好的是当上述电极自上述第3移动范围经由第2移动范围而朝向第1移动范围移动时,于上述电极到达跨越上述第2移动范围与第3移动范围之位置和最靠近上述第1移动范围之位置之间的特定位置之时间点,上述电源电路开始向上述电极供给用以进行上述等离子放电之电压。 借此,可确实使电压供给开始时之电极之电场方向朝向第2金属,且可防止自电极产生异常放电。又,可避免电极之电场于第2金属之外端部等局部集中,且可防止损伤第2平台部之固体介电层等。 上述特定位置中,上述电极亦可跨越上述第2移动范围与第3移动范围。此时,较好的是上述电极大约3~7成之部分位于上述第2移动范围,其余部分位于上述第3移动范围。 借由设为大约3成以上,可确实防止电压供给开始时之异常放电,并且可确实避免电场向第2金属之外端部等集中。借由设为大约7成以下而无须使第2平台部之宽度增大至须要以上。 更好的是于上述特定位置中,上述电极之大约5成部分位于上述第2移动范围,其余部分位于上述第3移动范围。 借此,可确实防止自电极产生异常放电,并且可确实避免电场向第2金属之外端部等集中。 上述电极沿上述相对移动方向之宽度亦可大于上述第2平台部(进而上述第2移动范围)沿上述相对移动方向之宽度、亦可等于上述第2平台部(进而上述第2移动范围)沿上述相对移动方向之宽度、亦可小于上述第2平台部(进而上述第2移动范围)沿上述相对移动方向之宽度。 上述特定位置可设置为横越上述第2移动范围与第3移动范围之位置到至少进入上述第1移动范围前之间。 当上述电极之宽度大于上述第2平台部之情形时等,上述特定位置亦可为跨越上述第2移动范围与第3移动范围,且位于离上述第1移动范围最近之位置。 当上述电极之宽度小于上述第2平台部之情形时,上述特定位置亦可为超过跨越上述第2移动范围与第3移动范围之位置,上述电极之整个宽度方向位于上述第2移动范围内之位置。 较好的是上述平台进而具有设置于上述第2平台部之与第1平台部侧相反侧之绝缘性第3平台部。较好的是上述第3移动范围之电极与上述第3平台部对向。 借此,可使电极于第3平台部上待机。可于第2平台部之外侧亦于电极与第3平台部之间形成处理气体之通路。 较好的是第3平台部之表面与第2平台部之固体介电层之表面为同一面。 又,本发明为一种大气压等离子处理设备,其系将以介电质为主要成分之被处理物曝露于大气压附近之等离子放电中而进行表面处理之大气压等离子处理设备,其特征在于具备:平台,其包含第1平台部及第2平台部,且于上述第1平台部之第1金属表面,以使周缘部向上述第2平台部之侧突出之方式设置上述被处理物,上述第1平台部具有露出之第1金属表面,上述第2平台部具有由固体介电层所被覆之第2金属表面且设置于上述第1平台部之外周部;第1电极,其相对于上述平台,于包含第1移动范围、第2移动范围与第3移动范围之范围内相对移动,上述第1移动范围与上述第1平台部对向,上述第2移动范围与上述第2平台部对向,上述第3移动范围位于该第2移动范围之与上述第1移动范围相反之一侧;第2电极,其配置于该第1电极之上述第3移动范围侧并与第1电极成为一体,且相对于上述平台,于包含上述第1移动范围、上述第2移动范围与上述第3移动范围内相对移动;第1电源电路,当上述第1、第2电极自上述第3移动范围经第2移动范围而朝向第1移动范围进行进入移动时,于上述第1电极到达跨越上述第2移动范围与第3移动范围之位置和最靠近上述第1移动范围之位置之间的特定位置之时间点,开始对上述第1电极供给上述等离子放电用之电压;及第2电源电路,其于上述进入移动时,于上述第2电极到达跨越上述第2移动范围与第3移动范围之位置和最靠近上述第1移动范围之位置之间的特定位置之时间点,开始对上述第2电极供给上述等离子放电用之电压。 借此,可将被处理物代用作平台之第1金属表面之固体介电层,而无须于第1金属表面上设置熔射膜或陶瓷板之固体介电层,可压低制造成本,且平台之大型化变得容易。亦可向第2移动范围之电极与第2平台部之间施加电场,借此,于电极进入第1移动范围之前可引起先行放电且可预作正规等离子处理之准备。其结果为,可使被处理物之周缘部与较之更内侧之主体部分之边界的正规之等离子放电开始时之放电状态稳定,于被处理物主体部分之端部等可收损伤防止或确保处理良好性之效。 并且,于第1电极到达特定位置之时间点对第1电极开始供给电压,借此可确实使来自第1电极之电场方向朝向第2金属,其后,于第2电极到达特定位置之时间点对第2电极开始供给电压,借此可确实使来自第2电极之电场方向朝向第2金属。如此,借由对第1、第2电极依序开始供给电压,可防止于开始供给电压时引起异常放电或电场集中。 作为用于本发明之表面处理之放电之态样,可枚举电晕放电、沿面放电、介电质障壁放电、辉光放电等。较好的放电态样为于大气压附近(大致为常压)之辉光放电。此处,所谓大气压附近系指1.013×10 4 ~50.663×10 4 Pa之范围,考虑压力调整之容易化或设备构成之简便化,则较好的是1.333×10 4 ~10.664×10 4 Pa,更好的是9.331×10 4 ~10.397×10 4 Pa。 根据本发明,可将被处理物代用作平台之第1金属表面之固体介电层,而无须于第1金属表面上设置熔射膜或陶瓷板之固体介电层,可压低制造成本,且平台之大型化变得容易。并且,亦可向第2移动范围之电极与第2平台部之间施加电场。借此,可引起先行放电而预作正规等离子处理之准备。其结果为,可使被处理物主体部分之端部上的正规之等离子放电开始时之放电状态稳定,于被处理物主体部分之端部等可收损伤防止或确保处理良好性之效。