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1. 发明专利

TW201810697A 固體接合型光電轉換元件及其製造方法审中-公开
简体标题：固体接合型光电转换组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201810697A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106116536
申请日：2017-05-17
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：藤沼尙洋 , FUJINUMA, NAOHIRO , 安西純一郎 , ANZAI, JUNICHIRO , 西川宏美 , NISHIKAWA, HIROMI
IPC分类号： H01L31/036 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0236 , H01L51/44 , Y02E10/549
摘要：一種固體接合型光電轉換元件，其依序具備第一導電層、鈣鈦礦層、第二導電層，與上述鈣鈦礦層之兩側鄰接的2個鄰接層之中，至少1個鄰接層之與上述鈣鈦礦層相接的接合面K之最大高度粗糙度(Rz)為1nm以上，上述Rz係上述接合面之基準長度(L)內之山高度最大值(Rp)與谷深度最大值(Rv)的和。
简体摘要：一种固体接合型光电转换组件，其依序具备第一导电层、钙钛矿层、第二导电层，与上述钙钛矿层之两侧邻接的2个邻接层之中，至少1个邻接层之与上述钙钛矿层相接的接合面K之最大高度粗糙度(Rz)为1nm以上，上述Rz系上述接合面之基准长度(L)内之山高度最大值(Rp)与谷深度最大值(Rv)的和。

2. 发明专利

TW201803176A 固體接合型光電轉換元件模組及其製造方法审中-公开
简体标题：固体接合型光电转换组件模块及其制造方法
公开(公告)号：TW201803176A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106105252
申请日：2017-02-17
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：藤沼尙洋 , FUJINUMA, NAOHIRO , 安西純一郎 , ANZAI, JUNICHIRO
IPC分类号： H01L51/44
CPC分类号： H01L51/44 , Y02E10/549
摘要：一種固體接合型光電轉換元件模組，具備有第一光電轉換元件、第二光電轉換元件、連接部及基材，該第一光電轉換元件及該第二光電轉換元件鄰接地配置於該基材之表面上，該第一光電轉換元件依序具備有第一導電層、含有鈣鈦礦層之發電層、及第二導電層，該第一光電轉換元件之該第一導電層與該基材相接，該第二光電轉換元件依序具備有第一導電層、含有鈣鈦礦層之發電層、及第二導電層，該第二光電轉換元件之該第一導電層與該基材相接，該連接部將該第一光電轉換元件之該第二導電層與該第二光電轉換元件之該第一導電層連接，且與該第一光電轉換元件之該發電層及該第二光電轉換元件之該發電層接觸。
简体摘要：一种固体接合型光电转换组件模块，具备有第一光电转换组件、第二光电转换组件、连接部及基材，该第一光电转换组件及该第二光电转换组件邻接地配置于该基材之表面上，该第一光电转换组件依序具备有第一导电层、含有钙钛矿层之发电层、及第二导电层，该第一光电转换组件之该第一导电层与该基材相接，该第二光电转换组件依序具备有第一导电层、含有钙钛矿层之发电层、及第二导电层，该第二光电转换组件之该第一导电层与该基材相接，该连接部将该第一光电转换组件之该第二导电层与该第二光电转换组件之该第一导电层连接，且与该第一光电转换组件之该发电层及该第二光电转换组件之该发电层接触。

3. 发明专利

TWI596824B 電極基板及染料敏化太陽電池有权
简体标题：电极基板及染料敏化太阳电池
公开(公告)号：TWI596824B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW102134918
申请日：2013-09-27
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：時田大輔 , TOKITA, DAISUKE , 安西純一郎 , ANZAI, JUNICHIRO
IPC分类号： H01M14/00 , H01L31/042
CPC分类号： H01G9/2022 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , Y02E10/542 , Y02P70/521

4. 发明专利

TW201424088A 電極基板及染料敏化太陽電池审中-公开
简体标题：电极基板及染料敏化太阳电池
公开(公告)号：TW201424088A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102134918
申请日：2013-09-27
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：時田大輔 , TOKITA, DAISUKE , 安西純一郎 , ANZAI, JUNICHIRO
IPC分类号： H01M14/00 , H01L31/042
CPC分类号： H01G9/2022 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , Y02E10/542 , Y02P70/521
摘要：本發明之電極基板具有導電性基板、製膜於上述導電性基板上之多孔質膜、及塗佈於上述多孔質膜之觸媒層。
简体摘要：本发明之电极基板具有导电性基板、制膜于上述导电性基板上之多孔质膜、及涂布于上述多孔质膜之触媒层。

5. 发明专利

TW201826554A 固體接合型光電轉換元件、鈣鈦礦膜及光電轉換模組审中-公开
简体标题：固体接合型光电转换组件、钙钛矿膜及光电转换模块
公开(公告)号：TW201826554A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106126126
申请日：2017-08-02
申请人：日商積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：藤沼尚洋 , FUJINUMA, NAOHIRO , 安西純一郎 , ANZAI, JUNICHIRO , 佐藤幸子 , SATOU, SACHIKO
IPC分类号： H01L31/0256 , H01L31/04
摘要：本發明之固體接合型光電轉換元件10之特徵在於：其係依序積層第一導電層2、發電層4、及第二導電層6而成者，且上述發電層4含有：包含有機陽離子A、金屬陽離子B及鹵素陰離子X之由組成式ABX3所表示之鈣鈦礦化合物、及不具有鈣鈦礦結構之化合物Z。
简体摘要：本发明之固体接合型光电转换组件10之特征在于：其系依序积层第一导电层2、发电层4、及第二导电层6而成者，且上述发电层4含有：包含有机阳离子A、金属阳离子B及卤素阴离子X之由组成式ABX3所表示之钙钛矿化合物、及不具有钙钛矿结构之化合物Z。

6. 发明专利

TW201801366A 固體接合型光電轉換元件及其製造方法审中-公开
简体标题：固体接合型光电转换组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201801366A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106105258
申请日：2017-02-17
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：藤沼尙洋 , FUJINUMA, NAOHIRO , 安西純一郎 , ANZAI, JUNICHIRO
IPC分类号： H01L51/44
CPC分类号： H01L51/44 , Y02E10/549
摘要：一種固體接合型光電轉換元件，依序具備基材、第一導電層、含鈣鈦礦層之發電層及含第二導電層之導電材，導電材具有自支撐性(self-standing property)。
简体摘要：一种固体接合型光电转换组件，依序具备基材、第一导电层、含钙钛矿层之发电层及含第二导电层之导电材，导电材具有自支撑性(self-standing property)。

7. 发明专利

TWI533493B 光電極、及具備該光電極之色素增感太陽電池有权
简体标题：光电极、及具备该光电极之色素增感太阳电池
公开(公告)号：TWI533493B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：TW101110753
申请日：2012-03-28
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：安西純一郎 , ANZAI, JUNICHIRO , 中島節男 , NAKAJIMA, SETSUO , 與口聰 , YOGUCHI, SATOSHI , 大村貴宏 , OHMURA, TAKAHIRO , 山本美希 , YAMAMOTO, MIKI
IPC分类号： H01M4/02 , H01M14/00 , H01L31/04
CPC分类号： H01G9/2031 , Y02E10/542 , Y02P70/521

8. 发明专利

TW201608820A 光電轉換元件、電氣模組及光電轉換元件之評價方法审中-公开
简体标题：光电转换组件、电气模块及光电转换组件之评价方法
公开(公告)号：TW201608820A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW104118894
申请日：2015-06-11
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：功刀俊介 , KUNUGI, SHUNSUKE , 藤沼尙洋 , FUJINUMA, NAOHIRO , 安西純一郎 , ANZAI, JUNICHIRO
IPC分类号： H02S50/10
CPC分类号： H01G9/20 , H01L31/0224 , H01L51/44 , H02S50/10 , Y02E10/542 , Y02E10/549
摘要：本發明之光電轉換元件1A之特徵在於：使於形成有導電膜3之第一基板2之導電膜3積層有半導體層4之光電極5、與於第二基板6形成有導電膜7之對向電極8以介隔半導體層4且使導電膜3、7彼此相對向之方式積層，相互對向之導電膜3、7之至少任一者相互電性分離而形成多個分割導電膜X1~X5、Y1~Y6，於積層方向觀察時分割導電膜X1~X5、Y1~Y6與和其對向之導電膜7、3之整體重疊之區域、或於積層方向觀察時相互對向之分割導電膜X1~X5、Y1~Y6彼此重疊之區域形成發電測定部P，而可對形成發電測定部P之相互對向之導電膜3、7進行通電。
简体摘要：本发明之光电转换组件1A之特征在于：使于形成有导电膜3之第一基板2之导电膜3积层有半导体层4之光电极5、与于第二基板6形成有导电膜7之对向电极8以介隔半导体层4且使导电膜3、7彼此相对向之方式积层，相互对向之导电膜3、7之至少任一者相互电性分离而形成多个分割导电膜X1~X5、Y1~Y6，于积层方向观察时分割导电膜X1~X5、Y1~Y6与和其对向之导电膜7、3之整体重叠之区域、或于积层方向观察时相互对向之分割导电膜X1~X5、Y1~Y6彼此重叠之区域形成发电测定部P，而可对形成发电测定部P之相互对向之导电膜3、7进行通电。

9. 发明专利

TW201517354A 染料敏化太陽電池之相對電極活性物質的再活化方法、及應用其方法之染料敏化太陽電池的再生方法、染料敏化太陽電池用之觸媒層、相對電極、電解液及染料敏化太陽電池审中-公开
简体标题：染料敏化太阳电池之相对电极活性物质的再活化方法、及应用其方法之染料敏化太阳电池的再生方法、染料敏化太阳电池用之触媒层、相对电极、电解液及染料敏化太阳电池
公开(公告)号：TW201517354A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW103130069
申请日：2014-08-29
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：時田大輔 , TOKITA, DAISUKE , 安西純一郎 , ANZAI, JUNICHIRO , 功刀俊介 , KUNUGI, SHUNSUKE , 山口文治 , YAMAGUCHI, BUNJI , 大塚智弘 , OOTSUKA, TOMOHIRO , 片桐友章 , KATAGIRI, TOMOAKI , 鈴木壮一郎 , SUZUKI, SOICHIRO , 生駒篤 , IKOMA, ATSUSHI , 小林剛之 , KOBAYASHI, TAKAYUKI
IPC分类号： H01M14/00 , H01L31/042
CPC分类号： H01G9/2022 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , Y02E10/542
摘要：一種染料敏化太陽電池之相對電極活性物質的再活化方法，係使染料敏化太陽電池之相對電極活性物質再活化之方法，其中該染料敏化太陽電池具有由觸媒層構成之相對電極，該觸媒層含有至少一種以上之導電性高分子作為該相對電極活性物質，該再活化方法包括藉由化學氧化或電化學氧化而使該導電性高分子再氧化。
简体摘要：一种染料敏化太阳电池之相对电极活性物质的再活化方法，系使染料敏化太阳电池之相对电极活性物质再活化之方法，其中该染料敏化太阳电池具有由触媒层构成之相对电极，该触媒层含有至少一种以上之导电性高分子作为该相对电极活性物质，该再活化方法包括借由化学氧化或电化学氧化而使该导电性高分子再氧化。

10. 发明专利

TW201301638A 光電極、及具備該光電極之色素增感太陽電池审中-公开
简体标题：光电极、及具备该光电极之色素增感太阳电池
公开(公告)号：TW201301638A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW101110753
申请日：2012-03-28
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：安西純一郎 , ANZAI, JUNICHIRO , 中島節男 , NAKAJIMA, SETSUO , 與口聰 , YOGUCHI, SATOSHI , 大村貴宏 , OHMURA, TAKAHIRO , 山本美希 , YAMAMOTO, MIKI
IPC分类号： H01M4/02 , H01M14/00 , H01L31/04
CPC分类号： H01G9/2031 , Y02E10/542 , Y02P70/521
摘要：本發明係關於一種光電極，其至少具備透明電極、與載持有色素且積層於上述透明電極上之多孔質半導體層，上述多孔質半導體層接合有由半導體構成之微粒子，藉由上述微粒子間之空隙形成多孔質，於上述多孔質半導體層中分散地配置有長徑大於上述空隙之複數個空孔。
简体摘要：本发明系关于一种光电极，其至少具备透明电极、与载持有色素且积层于上述透明电极上之多孔质半导体层，上述多孔质半导体层接合有由半导体构成之微粒子，借由上述微粒子间之空隙形成多孔质，于上述多孔质半导体层中分散地配置有长径大于上述空隙之复数个空孔。

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