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1. 发明专利

TWI625747B 積層陶瓷電子元件之製造方法及其裝置有权
简体标题：积层陶瓷电子组件之制造方法及其设备
公开(公告)号：TWI625747B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW104100525
申请日：2015-01-08
申请人：禾伸堂企業股份有限公司 , HOLY STONE ENTERPRISE CO., LTD.
发明人：孫思隆 , SUN, SZU LUNG , 黃泓謀 , HUANG, HUNG MOU , 凌溢駿 , LING, I CHUN
IPC分类号： H01G4/228 , H01G4/30 , H01G4/12

2. 发明专利

TWI587332B 片狀陶瓷電容器製造電極之方法有权
简体标题：片状陶瓷电容器制造电极之方法
公开(公告)号：TWI587332B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW104121371
申请日：2015-07-01
申请人：禾伸堂企業股份有限公司 , HOLY STONE ENTERPRISE CO., LTD.
发明人：孫思隆 , SUN, SZU LUNG , 唐錦榮 , TANG, JING RONG
IPC分类号： H01G4/002 , H01G4/12

3. 发明专利

TW201626412A 積層陶瓷電子元件之製造方法及其裝置审中-公开
简体标题：积层陶瓷电子组件之制造方法及其设备
公开(公告)号：TW201626412A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104100525
申请日：2015-01-08
申请人：禾伸堂企業股份有限公司 , HOLY STONE ENTERPRISE CO., LTD.
发明人：孫思隆 , SUN, SZU LUNG , 黃泓謀 , HUANG, HUNG MOU , 凌溢駿 , LING, I CHUN
IPC分类号： H01G4/228 , H01G4/30 , H01G4/12
CPC分类号： H01G4/12 , H01G2/06 , H01G4/30
摘要：本發明為有關一種積層陶瓷電子元件之製造方法及其裝置，該積層陶瓷電子元件之積層陶瓷晶片二相外側分別設有電極接面，再於二側電極接面外側係分別設置二導線架、可供二平直型接合側相對二電極接面，且相對各接合側的另側則分別垂直彎折成型有焊接側，即供各焊接側與積層陶瓷晶片底部表面間形成中空狀之緩衝空間，而積層陶瓷晶片二側電極接面與二導線架的接合側相對內表面之間係附著高分子導電黏膠，以供二電極面分別透過高分子導電膠固定於二導線架間、可呈電性導通，達到可透過低溫黏著加工進行固定積層陶瓷晶片及二導線架之目的。
简体摘要：本发明为有关一种积层陶瓷电子组件之制造方法及其设备，该积层陶瓷电子组件之积层陶瓷芯片二相外侧分别设有电极接面，再于二侧电极接面外侧系分别设置二导线架、可供二平直型接合侧相对二电极接面，且相对各接合侧的另侧则分别垂直弯折成型有焊接侧，即供各焊接侧与积层陶瓷芯片底部表面间形成中空状之缓冲空间，而积层陶瓷芯片二侧电极接面与二导线架的接合侧相对内表面之间系附着高分子导电黏胶，以供二电极面分别透过高分子导电胶固定于二导线架间、可呈电性导通，达到可透过低温黏着加工进行固定积层陶瓷芯片及二导线架之目的。

4. 实用新型

TWM505047U 積層陶瓷電子元件裝置有权
简体标题：积层陶瓷电子组件设备
公开(公告)号：TWM505047U
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW104200273
申请日：2015-01-08
申请人：禾伸堂企業股份有限公司 , HOLY STONE ENTERPRISE CO., LTD.
发明人：孫思隆 , SUN, SZU LUNG , 黃泓謀 , HUANG, HUNG MOU , 凌溢駿 , LING, I CHUN
IPC分类号： H01G4/12

5. 发明专利

TWI587333B 陶瓷電容結構有权
简体标题：陶瓷电容结构
公开(公告)号：TWI587333B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW104121372
申请日：2015-07-01
申请人：禾伸堂企業股份有限公司 , HOLY STONE ENTERPRISE CO., LTD.
发明人：孫思隆 , SUN, SZU LUNG
IPC分类号： H01G4/12

6. 发明专利

TW201703075A 片狀陶瓷電容器製造電極之方法审中-公开
简体标题：片状陶瓷电容器制造电极之方法
公开(公告)号：TW201703075A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW104121371
申请日：2015-07-01
申请人：禾伸堂企業股份有限公司 , HOLY STONE ENTERPRISE CO., LTD.
发明人：孫思隆 , SUN, SZU LUNG , 唐錦榮 , TANG, JING RONG
IPC分类号： H01G4/002 , H01G4/12
摘要：本發明為有關一種片狀陶瓷電容器製造電極之方法，其製造之流程步驟為包括，利用介電陶瓷材料製成介電陶瓷體生胚，且將導電材質分別整面印刷於介電陶瓷體生胚上表面及下表面形成電極層，再使用加工器具將介電陶瓷體生胚及二電極層成型為至少二個預定形狀之半成品，之後便進行脫脂及燒結作業，藉此讓單一次的作業流程製造出大量的陶瓷電容半成品，且燒結後半成品二電極外側壁為對齊介電陶瓷體外側壁，製成的片狀陶瓷電容器便又具有較佳的耐壓能力，進而可達到量產、降低成本、提高產品壽命及提升適用範圍之目的。
简体摘要：本发明为有关一种片状陶瓷电容器制造电极之方法，其制造之流程步骤为包括，利用介电陶瓷材料制成介电陶瓷体生胚，且将导电材质分别整面印刷于介电陶瓷体生胚上表面及下表面形成电极层，再使用加工器具将介电陶瓷体生胚及二电极层成型为至少二个预定形状之半成品，之后便进行脱脂及烧结作业，借此让单一次的作业流程制造出大量的陶瓷电容半成品，且烧结后半成品二电极外侧壁为对齐介电陶瓷体外侧壁，制成的片状陶瓷电容器便又具有较佳的耐压能力，进而可达到量产、降低成本、提高产品寿命及提升适用范围之目的。

7. 发明专利

TW201435942A 鉭電容之結構审中-公开
简体标题：钽电容之结构
公开(公告)号：TW201435942A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102109218
申请日：2013-03-15
申请人：禾伸堂企業股份有限公司 , HOLY STONE ENTERPRISE CO., LTD.
发明人：孫思隆 , SUN, SZU LUNG
IPC分类号： H01G9/012 , H01G9/042
摘要：本發明係提供一種鉭電容之結構，該鉭電容內部金屬層係包括電性連接之鉭塊及鉭絲，而內部金屬層外部包覆絕緣樹脂層，且絕緣樹脂層分別設有朝向鉭絲貫通之第一通道、朝向鉭塊貫通之第二通道，則第一通道、第二通道分別為不同深度，以供裝置二不同長度之電極接腳，並利用第一電極接腳以第一對接面於第一通道電性抵觸鉭絲、第二電極接腳以第二對接面於第二通道電性抵觸鉭塊，且二電極接腳延伸出絕緣樹脂層外側、分別設有第一接腳墊、第二接腳墊，且加工製程作業簡易、不必使用導線架等附屬零件，達到減少電容阻抗、增加電性傳輸效能與穩定性、縮短製造的時間及降低製造成本之目的。
简体摘要：本发明系提供一种钽电容之结构，该钽电容内部金属层系包括电性连接之钽块及钽丝，而内部金属层外部包覆绝缘树脂层，且绝缘树脂层分别设有朝向钽丝贯通之第一信道、朝向钽块贯通之第二信道，则第一信道、第二信道分别为不同深度，以供设备二不同长度之电极接脚，并利用第一电极接脚以第一对接面于第一信道电性抵触钽丝、第二电极接脚以第二对接面于第二信道电性抵触钽块，且二电极接脚延伸出绝缘树脂层外侧、分别设有第一接脚垫、第二接脚垫，且加工制程作业简易、不必使用导线架等附属零件，达到减少电容阻抗、增加电性传输性能与稳定性、缩短制造的时间及降低制造成本之目的。

8. 发明专利

TW201703076A 陶瓷電容結構审中-公开
简体标题：陶瓷电容结构
公开(公告)号：TW201703076A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW104121372
申请日：2015-07-01
申请人：禾伸堂企業股份有限公司 , HOLY STONE ENTERPRISE CO., LTD.
发明人：孫思隆 , SUN, SZU LUNG
IPC分类号： H01G4/12
摘要：本發明為有關一種陶瓷電容結構，其包括介電陶瓷體、二電極層、二陶瓷圍牆層及二導電層，於第一介電陶瓷材料製成介電陶瓷體生胚上、下表面分別設有電極層，且二電極層外側壁對應於介電陶瓷體之外側壁，至少一電極層表面設有罩覆局部電極層之環狀陶瓷圍牆層，陶瓷圍牆層中央具有露出電極層之鏤空槽，且陶瓷圍牆層的寬度與介電陶瓷體之厚度的比值大於或等於1，即可讓介電陶瓷體薄化，同時利用陶瓷圍牆層緊密結合於電極層表面以避免產生缺陷，便可在具有減小產品厚度及提高電容值之功效下同時具有避免電氣跳弧之三重功效。
简体摘要：本发明为有关一种陶瓷电容结构，其包括介电陶瓷体、二电极层、二陶瓷围墙层及二导电层，于第一介电陶瓷材料制成介电陶瓷体生胚上、下表面分别设有电极层，且二电极层外侧壁对应于介电陶瓷体之外侧壁，至少一电极层表面设有罩覆局部电极层之环状陶瓷围墙层，陶瓷围墙层中央具有露出电极层之镂空槽，且陶瓷围墙层的宽度与介电陶瓷体之厚度的比值大于或等于1，即可让介电陶瓷体薄化，同时利用陶瓷围墙层紧密结合于电极层表面以避免产生缺陷，便可在具有减小产品厚度及提高电容值之功效下同时具有避免电气跳弧之三重功效。

9. 发明专利

TWI485731B 鉭電容之結構有权
简体标题：钽电容之结构
公开(公告)号：TWI485731B
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW102109218
申请日：2013-03-15
申请人：禾伸堂企業股份有限公司 , HOLY STONE ENTERPRISE CO., LTD.
发明人：孫思隆 , SUN, SZU LUNG
IPC分类号： H01G9/012 , H01G9/042

10. 发明专利

TWI446519B 具低容值之靜電放電保護元件製造方法有权
简体标题：具低容值之静电放电保护组件制造方法
公开(公告)号：TWI446519B
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：TW098135791
申请日：2009-10-22
申请人：禾伸堂企業股份有限公司 , HOLY STONE ENTERPRISE CO., LTD.
发明人：孫思隆 , SUN, SZU LUNG , 劉文隆 , LIU, WEN LUNG
IPC分类号： H01L27/04 , H02H9/00 , H01B7/08

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