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1. 发明专利

TWI497544B 電容器結構及其製造方法有权
简体标题：电容器结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI497544B
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：TW099123341
申请日：2010-07-15
申请人：禾伸堂企業股份有限公司 , HOLY STONE ENTERPRISE CO., LTD.
发明人：唐錦榮 , TANG, JING RONG
IPC分类号： H01G4/14

2. 发明专利

TWI587332B 片狀陶瓷電容器製造電極之方法有权
简体标题：片状陶瓷电容器制造电极之方法
公开(公告)号：TWI587332B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW104121371
申请日：2015-07-01
申请人：禾伸堂企業股份有限公司 , HOLY STONE ENTERPRISE CO., LTD.
发明人：孫思隆 , SUN, SZU LUNG , 唐錦榮 , TANG, JING RONG
IPC分类号： H01G4/002 , H01G4/12

3. 发明专利

TW201403749A 基板的貫穿孔設置導體之方法审中-公开
简体标题：基板的贯穿孔设置导体之方法
公开(公告)号：TW201403749A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW101124631
申请日：2012-07-09
申请人：禾伸堂企業股份有限公司 , HOLY STONE ENTERPRISE CO., LTD.
发明人：唐錦榮 , TANG, JING RONG , 魏嘉瑋 , WEI, JIA WEI , 焦若雲 , JIAO, RUO YUN
IPC分类号： H01L21/768
摘要：本發明為有關一種基板的貫穿孔設置導體之方法，其係先取得空白之具散熱效果的陶瓷基板，並利用加工手段在陶瓷基板上成型一個或一個以上之貫穿孔，再透過加工作業將導電體漿料填入陶瓷基板之貫穿孔內，且將陶瓷基板的貫穿孔內之導電體漿料，利用燒結或固化加工式，成型、固定於貫穿孔內，即可於陶瓷基板表面進行鍍膜、以成型鍍膜層，而經由黃光微影製程，於陶瓷基板上、下表面之鍍膜層，製作預設線路佈局，以完成陶瓷基板的貫穿孔設置導電體作業，達到陶瓷基板具有良好電性導通效果之目的。
简体摘要：本发明为有关一种基板的贯穿孔设置导体之方法，其系先取得空白之具散热效果的陶瓷基板，并利用加工手段在陶瓷基板上成型一个或一个以上之贯穿孔，再透过加工作业将导电体浆料填入陶瓷基板之贯穿孔内，且将陶瓷基板的贯穿孔内之导电体浆料，利用烧结或固化加工式，成型、固定于贯穿孔内，即可于陶瓷基板表面进行镀膜、以成型镀膜层，而经由黄光微影制程，于陶瓷基板上、下表面之镀膜层，制作默认线路布局，以完成陶瓷基板的贯穿孔设置导电体作业，达到陶瓷基板具有良好电性导通效果之目的。

4. 发明专利

TW201703075A 片狀陶瓷電容器製造電極之方法审中-公开
简体标题：片状陶瓷电容器制造电极之方法
公开(公告)号：TW201703075A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW104121371
申请日：2015-07-01
申请人：禾伸堂企業股份有限公司 , HOLY STONE ENTERPRISE CO., LTD.
发明人：孫思隆 , SUN, SZU LUNG , 唐錦榮 , TANG, JING RONG
IPC分类号： H01G4/002 , H01G4/12
摘要：本發明為有關一種片狀陶瓷電容器製造電極之方法，其製造之流程步驟為包括，利用介電陶瓷材料製成介電陶瓷體生胚，且將導電材質分別整面印刷於介電陶瓷體生胚上表面及下表面形成電極層，再使用加工器具將介電陶瓷體生胚及二電極層成型為至少二個預定形狀之半成品，之後便進行脫脂及燒結作業，藉此讓單一次的作業流程製造出大量的陶瓷電容半成品，且燒結後半成品二電極外側壁為對齊介電陶瓷體外側壁，製成的片狀陶瓷電容器便又具有較佳的耐壓能力，進而可達到量產、降低成本、提高產品壽命及提升適用範圍之目的。
简体摘要：本发明为有关一种片状陶瓷电容器制造电极之方法，其制造之流程步骤为包括，利用介电陶瓷材料制成介电陶瓷体生胚，且将导电材质分别整面印刷于介电陶瓷体生胚上表面及下表面形成电极层，再使用加工器具将介电陶瓷体生胚及二电极层成型为至少二个预定形状之半成品，之后便进行脱脂及烧结作业，借此让单一次的作业流程制造出大量的陶瓷电容半成品，且烧结后半成品二电极外侧壁为对齐介电陶瓷体外侧壁，制成的片状陶瓷电容器便又具有较佳的耐压能力，进而可达到量产、降低成本、提高产品寿命及提升适用范围之目的。

5. 发明专利

TW201203296A 電容器結構及其製造方法审中-公开
简体标题：电容器结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201203296A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW099123341
申请日：2010-07-15
申请人：禾伸堂企業股份有限公司
发明人：唐錦榮
IPC分类号： H01G
摘要：本發明為有關一種電容器結構及其製造方法，係包括至少一個固態電容基材及二載板，其中固態電容基材為收容於二載板相對內側處，並具有陽極導體及可與載板內側金屬線路層形成電性連接之陰極導體，而固態電容基材與二載板內部之間利用絕緣性樹脂封膠固化有絕緣座體，且絕緣座體二垂直側平面上利用機械加工分別縱向形成有可供陽極導體、金屬線路層露出之弧槽，並於絕緣座體二側弧槽與載板表面處利用化學鍍工法將導電金屬浸積後分別形成有披覆至陽極導體端部、金屬線路層且呈電性連接之陽極導電端子、陰極導電端子，再進行切割、分離出各個單一電容器成品，便完成電容器製造方法。
简体摘要：本发明为有关一种电容器结构及其制造方法，系包括至少一个固态电容基材及二载板，其中固态电容基材为收容于二载板相对内侧处，并具有阳极导体及可与载板内侧金属线路层形成电性连接之阴极导体，而固态电容基材与二载板内部之间利用绝缘性树脂封胶固化有绝缘座体，且绝缘座体二垂直侧平面上利用机械加工分别纵向形成有可供阳极导体、金属线路层露出之弧槽，并于绝缘座体二侧弧槽与载板表面处利用化学镀工法将导电金属浸积后分别形成有披覆至阳极导体端部、金属线路层且呈电性连接之阳极导电端子、阴极导电端子，再进行切割、分离出各个单一电容器成品，便完成电容器制造方法。

6. 发明专利

TW201003695A 積層陶瓷電容器結構审中-公开
简体标题：积层陶瓷电容器结构
公开(公告)号：TW201003695A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW097124797
申请日：2008-07-01
申请人：禾伸堂企業股份有限公司
发明人：唐錦榮 , 葉輝邦 , 陳瑞祥 , 黃宜晨 , 凌溢駿 , 陳志榮
IPC分类号： H01G
摘要：本發明為有關一種積層陶瓷電容器結構，係包括介電質本體及複數端電極所組成，其中介電質本體為具有複數陶瓷層，並於各陶瓷層間設置有複數呈交錯間隔堆疊之第一內電極及第二內電極，而可將介電質本體上二端斜對角位置處之端電極分別與第一、第二內電極形成電性連接後，再焊固於電路板上之金屬接點形成電性導通，是以，便可在不更改、延長原先設計所需尺寸大小的基礎上增加介電質本體斜對角位置處之二端電極的電極間距，以有效避免因間距不足導致瞬間電壓通過產生電弧效應或是跳火所引發短路、危險情事等問題與缺失發生，藉此可符合安規距離的要求，進而也可相對延長使用壽命之效用者。
简体摘要：本发明为有关一种积层陶瓷电容器结构，系包括介电质本体及复数端电极所组成，其中介电质本体为具有复数陶瓷层，并于各陶瓷层间设置有复数呈交错间隔堆栈之第一内电极及第二内电极，而可将介电质本体上二端斜对角位置处之端电极分别与第一、第二内电极形成电性连接后，再焊固于电路板上之金属接点形成电性导通，是以，便可在不更改、延长原先设计所需尺寸大小的基础上增加介电质本体斜对角位置处之二端电极的电极间距，以有效避免因间距不足导致瞬间电压通过产生电弧效应或是跳火所引发短路、危险情事等问题与缺失发生，借此可符合安规距离的要求，进而也可相对延长使用寿命之效用者。

7. 实用新型

TW563888U 具緻密包覆層之積層陶瓷電容器失效
简体标题：具致密包覆层之积层陶瓷电容器
公开(公告)号：TW563888U
公开(公告)日：2003-11-21
申请号：TW091210282
申请日：2002-07-05
申请人：禾伸堂企業股份有限公司
发明人：唐錦榮
IPC分类号： H01G
摘要：本創作是在提供一種具緻密包覆層之積層陶瓷電容器，包括一堆疊體及二分別位於該堆疊體兩端之外部電極。該堆疊體具有至少三陶瓷層，以及複數分別夾設於兩相鄰陶瓷層間之內部電極。該兩外部電極分別與該等內部電極電性連接。其特徵在於，該積層陶瓷電容器更包含一附著於該堆疊體之外周面上之包覆層，該包覆層之電阻值高於1000000百萬歐姆且孔隙度低於千分之一，藉以避免高電壓時該積層陶瓷電容器之表面發生跳火現象。
简体摘要：本创作是在提供一种具致密包覆层之积层陶瓷电容器，包括一堆栈体及二分别位于该堆栈体两端之外部电极。该堆栈体具有至少三陶瓷层，以及复数分别夹设于两相邻陶瓷层间之内部电极。该两外部电极分别与该等内部电极电性连接。其特征在于，该积层陶瓷电容器更包含一附着于该堆栈体之外周面上之包覆层，该包覆层之电阻值高于1000000百万欧姆且孔隙度低于千分之一，借以避免高电压时该积层陶瓷电容器之表面发生跳火现象。

8. 实用新型

TW532548U 具機械緩衝層之積層陶瓷電容器失效
简体标题：具机械缓冲层之积层陶瓷电容器
公开(公告)号：TW532548U
公开(公告)日：2003-05-11
申请号：TW091204300
申请日：2002-04-03
申请人：禾伸堂企業股份有限公司
发明人：唐錦榮
IPC分类号： H01G
摘要：本創作之具機械緩衝層之積層陶瓷電容器，係包含一由陶瓷層與內部電極交叉堆疊之堆疊體及兩分別位於堆疊體之兩端部之外部電極，而外部電極具電極層、高延展性之機械緩衝層、保護層與導接層，致使電容器對於瞬間破壞性機械應力及長時間之外部機械應力具有較佳的抵抗性。
简体摘要：本创作之具机械缓冲层之积层陶瓷电容器，系包含一由陶瓷层与内部电极交叉堆栈之堆栈体及两分别位于堆栈体之两端部之外部电极，而外部电极具电极层、高延展性之机械缓冲层、保护层与导接层，致使电容器对于瞬间破坏性机械应力及长时间之外部机械应力具有较佳的抵抗性。

9. 发明专利

TW201225760A 過電壓保護元件及其製造方法审中-公开
简体标题：过电压保护组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201225760A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW099141928
申请日：2010-12-02
申请人：禾伸堂企業股份有限公司
发明人：唐錦榮 , 林文新 , 孫思隆
IPC分类号： H05K , H01C
摘要：本發明為有關一種過電壓保護元件及其製造方法,係包括有基板及過電壓保護元件基材,而基板表面上利用機械加工方式縱向開設有一個或一個以上呈貫通狀之嵌置孔,即可將過電壓保護元件基材原料調製成膏狀,並填充、注入於基板之嵌置孔內加熱固化成型,再於基板二側表面上利用導電金屬予以金屬化形成有披覆至過電壓保護元件基材上、下二側處之電極導體,便完成過電壓保護元件內埋式基板成品,當過電壓保護元件二端電極導體所承受的電壓為大於崩潰電壓時,其阻抗値將瞬間極小化以抑制暫態或突波電壓,而具有過電壓保護的功能。
简体摘要：本发明为有关一种过电压保护组件及其制造方法,系包括有基板及过电压保护组件基材,而基板表面上利用机械加工方式纵向开设有一个或一个以上呈贯通状之嵌置孔,即可将过电压保护组件基材原料调制成膏状,并填充、注入于基板之嵌置孔内加热固化成型,再于基板二侧表面上利用导电金属予以金属化形成有披覆至过电压保护组件基材上、下二侧处之电极导体,便完成过电压保护组件内埋式基板成品,当过电压保护组件二端电极导体所承受的电压为大于崩溃电压时,其阻抗値将瞬间极小化以抑制暂态或突波电压,而具有过电压保护的功能。

10. 发明专利

TW201003691A 具多功能性積層陶瓷電容製程方法审中-公开
简体标题：具多功能性积层陶瓷电容制程方法
公开(公告)号：TW201003691A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW097124799
申请日：2008-07-01
申请人：禾伸堂企業股份有限公司
发明人：唐錦榮 , 葉輝邦 , 陳瑞祥 , 王宏銘 , 凌溢駿 , 陳志榮
IPC分类号： H01G
摘要：本發明為有關一種具多功能性積層陶瓷電容製程方法，包含下列步驟，生胚製作中混合之陶瓷漿料進行製帶、印疊及切割成固狀之陶瓷電容半成品，再利用黏著劑粘附於一個以上陶瓷電容半成品表面進行黏合呈堆疊狀態，而後以陶瓷電容半成品整體兩端鍍上導電材質形成端電極，再進行燒附程序使導電材質與陶瓷體之兩端結合，令陶瓷電容半成品二端電極表面鍍上用以保護之金屬材質，如此，即可使熟胚表面與另一熟胚表面呈黏合狀態，提供複數積層陶瓷電容形成堆疊及並排固定狀態於電路板上使用，達到增加電容值以及不同外型的結構方式來供使用者依其需求選擇使用，具有適用性廣泛、擴充性更佳及符合市場需求性之功效。
简体摘要：本发明为有关一种具多功能性积层陶瓷电容制程方法，包含下列步骤，生胚制作中混合之陶瓷浆料进行制带、印叠及切割成固状之陶瓷电容半成品，再利用黏着剂粘附于一个以上陶瓷电容半成品表面进行黏合呈堆栈状态，而后以陶瓷电容半成品整体两端镀上导电材质形成端电极，再进行烧附进程使导电材质与陶瓷体之两端结合，令陶瓷电容半成品二端电极表面镀上用以保护之金属材质，如此，即可使熟胚表面与另一熟胚表面呈黏合状态，提供复数积层陶瓷电容形成堆栈及并排固定状态于电路板上使用，达到增加电容值以及不同外型的结构方式来供用户依其需求选择使用，具有适用性广泛、扩充性更佳及符合市场需求性之功效。

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