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1. 发明专利

TW201716624A 使用矽原料的成膜裝置审中-公开
简体标题：使用硅原料的成膜设备
公开(公告)号：TW201716624A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105129015
申请日：2016-09-08
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：奈良井哲 , NARAI, AKIRA , 川上信之 , KAWAKAMI, NOBUYUKI , 慈幸範洋 , JIKO, NORIHIRO
IPC分类号： C23C16/52 , C23C16/455 , C23C16/42
摘要：本發明提供一種成膜裝置，其在成為試樣的基材上形成薄膜層，成膜裝置的特徵在於：具有具備試樣保持機構及排氣機構的反應室，反應室包括：原料供給部件，將矽原料與氧化性氣體混合；能量供給部件，施加能量使矽原料氧化而形成薄膜層；以及未反應的原料回收部件，使未反應的原料在排氣機構中分解或者吸附於分解物上；並且矽原料為含有矽、氧及碳的至少一種有機化合物，以在將矽原料1分子化學計量性地完全氧化的情況下所生成的全氧化物的合計分子數A與矽原料中所含的矽的原子數B滿足（A-B）/B≦6.75的關係的方式來調整供給量。
简体摘要：本发明提供一种成膜设备，其在成为试样的基材上形成薄膜层，成膜设备的特征在于：具有具备试样保持机构及排气机构的反应室，反应室包括：原料供给部件，将硅原料与氧化性气体混合；能量供给部件，施加能量使硅原料氧化而形成薄膜层；以及未反应的原料回收部件，使未反应的原料在排气机构中分解或者吸附于分解物上；并且硅原料为含有硅、氧及碳的至少一种有机化合物，以在将硅原料1分子化学计量性地完全氧化的情况下所生成的全氧化物的合计分子数A与硅原料中所含的硅的原子数B满足（A-B）/B≦6.75的关系的方式来调整供给量。

3. 发明专利

TW201538431A 氧化物燒結體及濺鍍靶、與該氧化物燒結體之製造方法审中-公开
简体标题：氧化物烧结体及溅镀靶、与该氧化物烧结体之制造方法
公开(公告)号：TW201538431A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103141601
申请日：2014-12-01
申请人：鋼臂功科研股份有限公司 , KOBELCO RESEARCH INSTITUTE, INC. , 神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：田尾幸樹 , TAO, YUKI , 廣瀬研太 , HIROSE, KENTA , 慈幸範洋 , JIKO, NORIHIRO , 越智元 , OCHI, MOTOTAKA
IPC分类号： C01G15/00 , C01G19/02 , C04B35/01 , C23C14/34 , C23C14/08 , C04B35/645
CPC分类号： H01J37/3429 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/645 , C04B37/026 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2237/12 , C04B2237/34 , C04B2237/407 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01J37/3491
摘要：本發明係提供一種於接合步驟中可抑制破裂的產生之氧化物燒結體、及使用該氧化物燒結體之濺鍍靶、與該氧化物燒結體之製造方法。本發明之氧化物燒結體，其係將氧化銦、氧化鎵、及氧化錫予以燒結所得之氧化物燒結體，氧化物燒結體的相對密度為90%以上，氧化物燒結體的平均結晶粒徑為10μm以下，令氧化物燒結體中所包含之銦、鎵、錫的含量相對於全部金屬元素之比率(原子%)分別為〔In〕、〔Ga〕、〔Sn〕時，滿足30原子%≦〔In〕≦50原子%、20原子%≦〔Ga〕≦30原子%、25原子%≦〔Sn〕≦45原子%，並且InGaO3相滿足〔InGaO3〕≧0.05。
简体摘要：本发明系提供一种于接合步骤中可抑制破裂的产生之氧化物烧结体、及使用该氧化物烧结体之溅镀靶、与该氧化物烧结体之制造方法。本发明之氧化物烧结体，其系将氧化铟、氧化镓、及氧化锡予以烧结所得之氧化物烧结体，氧化物烧结体的相对密度为90%以上，氧化物烧结体的平均结晶粒径为10μm以下，令氧化物烧结体中所包含之铟、镓、锡的含量相对于全部金属元素之比率(原子%)分别为〔In〕、〔Ga〕、〔Sn〕时，满足30原子%≦〔In〕≦50原子%、20原子%≦〔Ga〕≦30原子%、25原子%≦〔Sn〕≦45原子%，并且InGaO3相满足〔InGaO3〕≧0.05。

4. 发明专利

TWI668808B 底板及具備底板的半導體裝置有权
简体标题：底板及具备底板的半导体设备
公开(公告)号：TWI668808B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW103141402
申请日：2014-11-28
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.) , 神鋼力得米克股份有限公司 , SHINKO LEADMIKK CO., LTD.
发明人：田尾博昭 , TAO, HIROAKI , 一原主稅 , ICHIHARA, CHIKARA , 慈幸範洋 , JIKO, NORIHIRO , 田內裕基 , TAUCHI, YUKI , 三井俊幸 , MITSUI, TOSHIYUKI
IPC分类号： H01L23/043

6. 发明专利

TW201546018A 氧化物燒結體及濺鍍靶审中-公开
简体标题：氧化物烧结体及溅镀靶
公开(公告)号：TW201546018A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104105078
申请日：2015-02-13
申请人：鋼臂功科研股份有限公司 , KOBELCO RESEARCH INSTITUTE, INC. , 神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：田尾幸樹 , TAO, YUKI , 畠英雄 , HATA, HIDEO , 廣瀬研太 , HIROSE, KENTA , 慈幸範洋 , JIKO, NORIHIRO , 越智元隆 , OCHI, MOTOTAKA
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/457 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/457 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/602 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/08 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
摘要：將氧化銦、氧化鎵及氧化錫燒結而所得，相對密度為90%以上，Ga2In6Sn2O16相之平均結晶粒徑為3μm以下10μm以上的粗大結晶粒之比例係未達10%，相對於全部金屬元素，In、Ga、Sn的含量之比例為35原子%≦[In]≦50原子%、20原子%≦[Ga]≦35原子%、20原子%
简体摘要：将氧化铟、氧化镓及氧化锡烧结而所得，相对密度为90%以上，Ga2In6Sn2O16相之平均结晶粒径为3μm以下10μm以上的粗大结晶粒之比例系未达10%，相对于全部金属元素，In、Ga、Sn的含量之比例为35原子%≦[In]≦50原子%、20原子%≦[Ga]≦35原子%、20原子%<[Sn]≦40原子%，Ga3InSn5O16相为0.02≦[Ga3InSn5O16]≦0.2。

7. 发明专利

TW201528442A 底板及具備底板的半導體裝置审中-公开
简体标题：底板及具备底板的半导体设备
公开(公告)号：TW201528442A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103141402
申请日：2014-11-28
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.) , 神鋼力得米克股份有限公司 , SHINKO LEADMIKK CO., LTD.
发明人：田尾博昭 , TAO, HIROAKI , 一原主稅 , ICHIHARA, CHIKARA , 慈幸範洋 , JIKO, NORIHIRO , 田內裕基 , TAUCHI, YUKI , 三井俊幸 , MITSUI, TOSHIYUKI
IPC分类号： H01L23/043
CPC分类号： H01L23/13 , B23K1/0016 , H01L23/3735 , H01L23/4334 , H01L24/32 , H01L2224/26175 , H01L2224/83385 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15153 , H01L2924/00
摘要：底板是被接合構件會經由接合材來接合於一方的安裝面之底板，具備用以在被接合構件所被接合的安裝面的接合位置經由接合材來接合被接合構件的凹處。凹處是構成凹處開口面積比前述被接合構件更大，且在被接合構件的外周緣所相對的凹處外周部凹陷的深度要比凹處中央部更深。
简体摘要：底板是被接合构件会经由接合材来接合于一方的安装面之底板，具备用以在被接合构件所被接合的安装面的接合位置经由接合材来接合被接合构件的凹处。凹处是构成凹处开口面积比前述被接合构件更大，且在被接合构件的外周缘所相对的凹处外周部凹陷的深度要比凹处中央部更深。

8. 发明专利

TWI457570B 電性接點構件有权
简体标题：电性接点构件
公开(公告)号：TWI457570B
公开(公告)日：2014-10-21
申请号：TW101121579
申请日：2012-06-15
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：慈幸範洋 , JIKO, NORIHIRO , 平野貴之 , HIRANO, TAKAYUKI
IPC分类号： G01R1/067 , H01L21/66
CPC分类号： G01R1/067 , C23C14/025 , C23C14/0605 , G01R1/06738 , G01R1/06755

9. 发明专利

TWI404061B 光資訊記錄媒體用反射膜及光資訊記錄媒體反射膜形成用濺鍍靶失效
简体标题：光信息记录媒体用反射膜及光信息记录媒体反射膜形成用溅镀靶
公开(公告)号：TWI404061B
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW098129885
申请日：2009-09-04
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：慈幸範洋 , JIKO, NORIHIRO , 中井淳一 , NAKAI, JUNICHI , 田內裕基 , TAUCHI, YUUKI
IPC分类号： G11B7/258 , C23C14/34 , C22C21/00
CPC分类号： C23C14/205 , G11B7/2585

10. 发明专利

TW201312120A 電性接點構件有权
简体标题：电性接点构件
公开(公告)号：TW201312120A
公开(公告)日：2013-03-16
申请号：TW101121579
申请日：2012-06-15
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：慈幸範洋 , JIKO, NORIHIRO , 平野貴之 , HIRANO, TAKAYUKI
IPC分类号： G01R1/067 , H01L21/66
CPC分类号： G01R1/067 , C23C14/025 , C23C14/0605 , G01R1/06738 , G01R1/06755
摘要：本發明係一種電性接點構件，其中，提供可實現與被檢體之低附著性同時，保持長期間安定之導電性，特別是在約85℃程度之高溫的反覆接觸，或在大氣中加以長期間放置之後，亦實現與被檢體之低附著性同時，可抑制接觸阻抗的上升，保持長期間安定之電性接觸的電性接點構件。本發明係反覆接觸於被檢體之電性接點構件，其中，有關以與被檢體接觸之電性接點構件的表面係含有Pd之碳被膜所構成之電性接點構件。
简体摘要：本发明系一种电性接点构件，其中，提供可实现与被检体之低附着性同时，保持长期间安定之导电性，特别是在约85℃程度之高温的反复接触，或在大气中加以长期间放置之后，亦实现与被检体之低附着性同时，可抑制接触阻抗的上升，保持长期间安定之电性接触的电性接点构件。本发明系反复接触于被检体之电性接点构件，其中，有关以与被检体接触之电性接点构件的表面系含有Pd之碳被膜所构成之电性接点构件。

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