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2. 发明专利

TWI510652B 半導體裝置接合用銅稀薄鎳合金線之構造有权
简体标题：半导体设备接合用铜稀薄镍合金线之构造
公开(公告)号：TWI510652B
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW103124223
申请日：2014-07-15
申请人：田中電子工業股份有限公司 , TANAKA DENSHI KOGYO K.K.
发明人：天野裕之 , AMANO, HIROYUKI , 三上道孝 , MIKAMI, MICHITAKA , 岡崎純一 , OKAZAKI, JUNICHI , 濱本拓也 , HAMAMOTO, TAKUYA , 中島伸一郎 , NAKASHIMA, SHINICHIRO , 山下勉 , YAMASHITA, TSUTOMU , 三苫修一 , MITOMA, SYUICHI , 小野甲介 , ONO, KOSUKE , 劉斌 , LIU, BIN , 執行裕之 , SHIGYOU, HIROYUKI
IPC分类号： C22C9/00 , C22C9/06 , C22F1/08 , B21C1/00 , H01L21/60 , H01L23/48
CPC分类号： C22C9/06 , H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2924/01028 , H01L2924/01204 , H01L2924/00012

3. 发明专利

TWI509089B 超音波接合用純銅合金線的剖面構造有权
简体标题：超音波接合用纯铜合金线的剖面构造
公开(公告)号：TWI509089B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW103124224
申请日：2014-07-15
申请人：田中電子工業股份有限公司 , TANAKA DENSHI KOGYO K.K.
发明人：三上道孝 , MIKAMI, MICHITAKA , 天野裕之 , AMANO, HIROYUKI , 濱本拓也 , HAMAMOTO, TAKUYA , 三苫修一 , MITOMA, SYUICHI , 執行裕之 , SHIGYOU, HIROYUKI , 中島伸一郎 , NAKASHIMA, SHINICHIRO , 劉斌 , LIU, BIN
IPC分类号： C22C9/00 , B23K20/10 , H01L21/60 , H01L23/49
CPC分类号： H01L2224/43 , H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2224/85205 , H01L2924/01204 , H01L2924/01022 , H01L2924/0104 , H01L2924/0103 , H01L2924/0105 , H01L2924/00012 , H01L2924/01203

4. 发明专利

TW201511150A 超聲波焊接用鍍覆銅線之結構审中-公开
简体标题：超声波焊接用镀覆铜线之结构
公开(公告)号：TW201511150A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103119855
申请日：2014-06-09
申请人：田中電子工業股份有限公司 , TANAKA DENSHI KOGYO K.K.
发明人：三上道孝 , MIKAMI, MICHITAKA , 劉斌 , LIU, BIN , 天野裕之 , AMANO, HIROYUKI , 濱本拓也 , HAMAMOTO, TAKUYA , 今泉欣之 , IMAIZUMI, YOSHIYUKI , 永江祐佳 , NAGAE, YUKA , 山下勉 , YAMASHITA, TSUTOMU
IPC分类号： H01L21/60 , B23K35/20
CPC分类号： H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/85207 , H01L2924/181 , H01L2924/01203 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01077 , H01L2924/01045 , H01L2924/01022 , H01L2924/0104 , H01L2924/0105 , H01L2924/0103
摘要：【課題】本發明旨在提供超聲波焊接用鍍覆銅線之結構，其即使變更鍍覆銅線的鍍覆材料或者芯材的種類、線徑，仍可以在不單獨設定接合條件下即穩定地進行超聲波焊接、且其在超聲波焊接時具有廣的製程窗口範圍。【結構】本發明之結構的特徵在於，其表面形態為該芯材表面成型有沿該接合線的縱向方向的多條卷雲狀槽，該芯材上鍍覆了由抗氧化性比芯材好的貴金屬或合金(以下稱「貴金屬等」)構成的鍍覆材料。
简体摘要：【课题】本发明旨在提供超声波焊接用镀覆铜线之结构，其即使变更镀覆铜线的镀覆材料或者芯材的种类、线径，仍可以在不单独设置接合条件下即稳定地进行超声波焊接、且其在超声波焊接时具有广的制程窗口范围。【结构】本发明之结构的特征在于，其表面形态为该芯材表面成型有沿该接合线的纵向方向的多条卷云状槽，该芯材上镀覆了由抗氧化性比芯材好的贵金属或合金(以下称“贵金属等”)构成的镀覆材料。

5. 发明专利

TW201307589A 高溫半導體元件用平角狀包銀（Ａｇ）銅帶审中-公开
简体标题：高温半导体组件用平角状包银（Ａｇ）铜带
公开(公告)号：TW201307589A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW100128905
申请日：2011-08-12
申请人：田中電子工業股份有限公司 , TANAKA DENSHI KOGYO K.K.
发明人：三上道孝 , MIKAMI, MICHITAKA , 中島伸一郎 , NAKAJIMA, SHINICHIRO , 宮崎兼一 , MIYAZAKI, KENICHI , 松尾寬 , MATSUO, HIROSHI
IPC分类号： C22F1/08 , C22F1/14 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45014 , H01L2224/45033 , H01L2224/45139 , H01L2224/45147 , H01L2224/45639 , H01L2224/48507 , H01L2224/48824 , H01L2924/20111 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要：提高高溫半導體元件用包銀銅帶與焊墊電極界面之接合可靠性，抑制包層界面之包覆層剝離。一種包銀銅帶，係由高純度銀包覆層及高純度銅芯材狹帶所構成，其特徵在於：在包層加工後，於450～750℃熱處理，以消除包覆層之加工組織，藉此，抑制在接合時，形成於焊墊界面之包覆層的由高應變細微結晶組織所構成之加工組織發展，減少與包覆層其他部分之硬度差，以防止龜裂產生，同時在高溫使用環境下，形成細微之粒狀結晶組織，抑制來自焊墊層之鋁等之擴散，抑制焊墊界面及包層界面之金屬間化合物生成，提高接合強度及可靠性。
简体摘要：提高高温半导体组件用包银铜带与焊垫电极界面之接合可靠性，抑制包层界面之包覆层剥离。一种包银铜带，系由高纯度银包覆层及高纯度铜芯材狭带所构成，其特征在于：在包层加工后，于450～750℃热处理，以消除包覆层之加工组织，借此，抑制在接合时，形成于焊垫界面之包覆层的由高应变细微结晶组织所构成之加工组织发展，减少与包覆层其他部分之硬度差，以防止龟裂产生，同时在高温使用环境下，形成细微之粒状结晶组织，抑制来自焊垫层之铝等之扩散，抑制焊垫界面及包层界面之金属间化合物生成，提高接合强度及可靠性。

6. 发明专利

TW201602366A 半導體裝置接合用銅稀薄鎳合金線之構造审中-公开
简体标题：半导体设备接合用铜稀薄镍合金线之构造
公开(公告)号：TW201602366A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW103124223
申请日：2014-07-15
申请人：田中電子工業股份有限公司 , TANAKA DENSHI KOGYO K.K.
发明人：天野裕之 , AMANO, HIROYUKI , 三上道孝 , MIKAMI, MICHITAKA , 岡崎純一 , OKAZAKI, JUNICHI , 濱本拓也 , HAMAMOTO, TAKUYA , 中島伸一郎 , NAKASHIMA, SHINICHIRO , 山下勉 , YAMASHITA, TSUTOMU , 三苫修一 , MITOMA, SYUICHI , 小野甲介 , ONO, KOSUKE , 劉斌 , LIU, BIN , 執行裕之 , SHIGYOU, HIROYUKI
IPC分类号： C22C9/00 , C22C9/06 , C22F1/08 , B21C1/00 , H01L21/60 , H01L23/48
CPC分类号： C22C9/06 , H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2924/01028 , H01L2924/01204 , H01L2924/00012
摘要：本發明之目的係抑制半導體裝置用銅合金接合線中，產生於線材表層正下方之不規則的肥大氧化層的成長，並提升第二接合性。為達成上述之目的，本發明之半導體裝置用銅合金接合線係由表層、內部氧化層及銅稀薄鎳合金層所構成，且銅稀薄鎳合金的合金組成，係將0.1~1.5質量%的鎳(Ni)均勻固溶於純度99.995質量%以上的高純度銅(Cu)母材；內部氧化層係由使鎳氧化物粒子朝向表層的銅氧化物層正下方內部均勻地微細分散的金屬不足型氧化銅母材所形成；使自由的氧快速移動，以使從表層入侵的氧往內擴散，進而抑制表層正下方的銅氧化物層之不規則的半球狀成長，並提升第二接合性。藉由使內部氧化層的厚度為該表層氧化物層的60倍以上，以確保氧的移動所產生的效果。
简体摘要：本发明之目的系抑制半导体设备用铜合金接合线中，产生于线材表层正下方之不守则的肥大氧化层的成长，并提升第二接合性。为达成上述之目的，本发明之半导体设备用铜合金接合线系由表层、内部氧化层及铜稀薄镍合金层所构成，且铜稀薄镍合金的合金组成，系将0.1~1.5质量%的镍(Ni)均匀固溶于纯度99.995质量%以上的高纯度铜(Cu)母材；内部氧化层系由使镍氧化物粒子朝向表层的铜氧化物层正下方内部均匀地微细分散的金属不足型氧化铜母材所形成；使自由的氧快速移动，以使从表层入侵的氧往内扩散，进而抑制表层正下方的铜氧化物层之不守则的半球状成长，并提升第二接合性。借由使内部氧化层的厚度为该表层氧化物层的60倍以上，以确保氧的移动所产生的效果。

7. 发明专利

TW201308434A 高溫半導體元件用平角狀鍍金銅帶审中-公开
简体标题：高温半导体组件用平角状镀金铜带
公开(公告)号：TW201308434A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW100127661
申请日：2011-08-04
申请人：田中電子工業股份有限公司 , TANAKA DENSHI KOGYO K.K.
发明人：三上道孝 , MIKAMI, MICHITAKA , 中島伸一郎 , NAKAJIMA, SHINICHIRO , 松尾寬 , MATSUO, HIROSHI , 宮崎兼一 , MIYAZAKI, KENICHI
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L23/52
摘要：提供多處同時連接半導體元件焊墊與鍍鎳(Ni)基板側導腳間之焊帶，能提高超音波接合性及高溫可靠性。由鍍金層及銅芯材構成的鍍金銅帶作為焊帶，有使銅芯材為具有70Hv以下之維氏硬度且純度在99.9%以上之銅(Cu)，以賦予導電性及環套形成性，在氬氣(Ar)等稀有氣體的氛圍氣體下，前述金被覆層在室溫之銅(Cu)芯材狹帶上，藉由磁控管濺鍍以形成細微粒狀結晶組織，使該結晶組織之維氏硬度與芯材及被覆層相同，以防止鋁墊之損傷，同時提高接合性。在稀有氣體的氛圍氣體下磁控濺鍍之金細微結晶組織，係硬度較金塊材高，且呈粒狀組織，藉此，能抑制接合時之熱擴散。
简体摘要：提供多处同时连接半导体组件焊垫与镀镍(Ni)基板侧导脚间之焊带，能提高超音波接合性及高温可靠性。由镀金层及铜芯材构成的镀金铜带作为焊带，有使铜芯材为具有70Hv以下之维氏硬度且纯度在99.9%以上之铜(Cu)，以赋予导电性及环套形成性，在氩气(Ar)等稀有气体的氛围气体下，前述金被覆层在室温之铜(Cu)芯材狭带上，借由磁控管溅镀以形成细微粒状结晶组织，使该结晶组织之维氏硬度与芯材及被覆层相同，以防止铝垫之损伤，同时提高接合性。在稀有气体的氛围气体下磁控溅镀之金细微结晶组织，系硬度较金块材高，且呈粒状组织，借此，能抑制接合时之热扩散。

10. 发明专利

TW201314806A 半導體元件連接用高純度銅細線审中-公开
简体标题：半导体组件连接用高纯度铜细线
公开(公告)号：TW201314806A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101144600
申请日：2012-11-28
申请人：田中電子工業股份有限公司 , TANAKA DENSHI KOGYO K.K.
发明人：三上道孝 , MIKAMI, MICHITAKA , 合瀨昌章 , OOSE, MASAAKI , 中島伸一郎 , NAKASHIMA, SHINICHIRO , 三村利孝 , MIMURA, TOSHITAKA , 彌永幸弘 , IYONAGA, YUKIHIRO , 市川司 , ICHIKAWA, TSUKASA , 高田晃 , TAKADA, AKIRA
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/45 , C22C9/00 , C22F1/08 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/43 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45639 , H01L2224/45664 , H01L2224/48824 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/85075 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/15747 , H01L2924/01204 , H01L2924/01206 , H01L2924/01046 , H01L2924/01026 , H01L2924/01028 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2224/48 , H01L2924/0002 , H01L2924/01007 , H01L2924/20305 , H01L2924/2076 , H01L2924/20752 , H01L2924/20756 , H01L2924/01205 , H01L2924/01014 , H01L2924/0105 , H01L2924/01016 , H01L2924/00013 , H01L2924/20751 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/01004 , H01L2924/01033
摘要：提供一種最適合藉使高純度銅細線之剖面組織為雙重構造，增大機械強度，短時間內多次反覆開閉之高溫功率半導體之高純度銅細線，尤其係次毫米直徑之高純度銅細線。本發明係一種半導體元件連接用高純度銅細線，由純度99.997質量%~純度99.99994質量%之具有氧化膜之銅所構成，高純度銅細線剖面組織中之較大前十個結晶粒面積係全剖面組織之5~25%，其結晶粒面積之80%以上，位於以不超過直徑之1/20定義的表皮層之內側。
简体摘要：提供一种最适合藉使高纯度铜细线之剖面组织为双重构造，增大机械强度，短时间内多次反复开闭之高温功率半导体之高纯度铜细线，尤其系次毫米直径之高纯度铜细线。本发明系一种半导体组件连接用高纯度铜细线，由纯度99.997质量%~纯度99.99994质量%之具有氧化膜之铜所构成，高纯度铜细线剖面组织中之较大前十个结晶粒面积系全剖面组织之5~25%，其结晶粒面积之80%以上，位于以不超过直径之1/20定义的表皮层之内侧。

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