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    • 5. 发明专利
    • 可配置的射頻功率放大器
    • 可配置的射频功率放大器
    • TW201904191A
    • 2019-01-16
    • TW107119366
    • 2018-06-05
    • 瑞昱半導體股份有限公司REALTEK SEMICONDUCTOR CORPORATION
    • 梁寶文LEONG, POH-BOON林嘉亮LIN, CHIA-LIANG
    • H03F1/30H03F3/20H03F3/189
    • 射頻功率放大器包含輸入耦合器、堆疊放大器對及輸出組合器。輸入耦合器用以接收輸入電壓且分別依據第一偏壓及第二偏壓輸出第一耦合電壓及第二耦合電壓。堆疊放大器對用以接收第一耦合電壓及第二耦合電壓且依據第一直流電壓、第二直流電壓及第三直流電壓輸出第一輸出電壓及第二輸出電壓。輸出組合器用以依據第一輸出電壓及第二輸出電壓的組合建立一組合輸出電壓。堆疊放大器對包含第一放大器及一第二放大器。第一放大器操作於供應自第二直流電壓至第一直流電壓的一電力。第二放大器操作於供應自第三直流電壓至第二直流電壓的一電力。
    • 射频功率放大器包含输入耦合器、堆栈放大器对及输出组合器。输入耦合器用以接收输入电压且分别依据第一偏压及第二偏压输出第一耦合电压及第二耦合电压。堆栈放大器对用以接收第一耦合电压及第二耦合电压且依据第一直流电压、第二直流电压及第三直流电压输出第一输出电压及第二输出电压。输出组合器用以依据第一输出电压及第二输出电压的组合创建一组合输出电压。堆栈放大器对包含第一放大器及一第二放大器。第一放大器操作于供应自第二直流电压至第一直流电压的一电力。第二放大器操作于供应自第三直流电压至第二直流电压的一电力。
    • 6. 发明专利
    • 處理訊號的半導體裝置
    • 处理信号的半导体设备
    • TW201840168A
    • 2018-11-01
    • TW106126255
    • 2017-08-03
    • 瑞昱半導體股份有限公司REALTEK SEMICONDUCTOR CORPORATION
    • 管繼孔KUAN, CHI-KUNG林 嘉亮LIN, CHIA-LIANG
    • H04L29/02H04L29/06
    • 本發明揭露了一種裝置,其一實施例包含:一半導體裸晶,其包含一第一I/O(輸入/輸出)墊、一第二I/O墊、一開關以及一內部處理器,其中當一控制訊號被確立時,該開關用來將該第一I/O墊短路至該第二I/O墊;以及一半導體封裝件,其包含一第一接合墊用來電性連接該第一I/O墊、一第二接合墊用來電性連接該第二I/O墊、一第一埠用來電性連接一多模連接器的一高速接腳、一第二埠用來電性連接一外部處理器、一第一路由路徑用來將該第一埠電性連接該第一接合墊、以及一第二路由路徑用來將該第二埠電性連接該第二接合墊,其中當該控制訊號被確立時,該外部處理器用來依據一第一協定以處理位於該第二埠的一電性訊號,當該控制訊號被解除確立時,該內部處理器用來處理位於該第一I/O墊的一電性訊號。
    • 本发明揭露了一种设备,其一实施例包含:一半导体裸晶,其包含一第一I/O(输入/输出)垫、一第二I/O垫、一开关以及一内部处理器,其中当一控制信号被确立时,该开关用来将该第一I/O垫短路至该第二I/O垫;以及一半导体封装件,其包含一第一接合垫用来电性连接该第一I/O垫、一第二接合垫用来电性连接该第二I/O垫、一第一端口用来电性连接一多模连接器的一高速接脚、一第二端口用来电性连接一外部处理器、一第一路由路径用来将该第一端口电性连接该第一接合垫、以及一第二路由路径用来将该第二端口电性连接该第二接合垫,其中当该控制信号被确立时,该外部处理器用来依据一第一协定以处理位于该第二端口的一电性信号,当该控制信号被解除确立时,该内部处理器用来处理位于该第一I/O垫的一电性信号。