会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 3. 发明专利
    • 漏電流防止電路及半導體晶片 LEAKAGE CURRENT PREVENTING CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR CHIP
    • 漏电流防止电路及半导体芯片 LEAKAGE CURRENT PREVENTING CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR CHIP
    • TWI357211B
    • 2012-01-21
    • TW097114221
    • 2008-04-18
    • 瑞昱半導體股份有限公司
    • 曾子建曹太和劉劍
    • H03K
    • H03K19/0008H03K19/0016
    • 本發明提供一種漏電流防止電路及一種半導體晶片。該半導體晶片適用於耦接到一電源端及一輸出端,且包含一核心電路、一電阻單元及一單向電流單元。該核心電路耦接於該輸出端。該電阻單元耦接於該輸出端。該單向電流單元耦接於該電阻單元及該電源端之間,用來在該電源端被供應電力時,允許電流自該電源端導通至該輸出端,而在該電源端沒有被供應電力時,實質上防止電流自該輸出端導通至該電源端。其中,該核心電路、該電阻單元、及該單向電流單元係設置於同一半導體基底當中。
    • 本发明提供一种漏电流防止电路及一种半导体芯片。该半导体芯片适用于耦接到一电源端及一输出端,且包含一内核电路、一电阻单元及一单向电流单元。该内核电路耦接于该输出端。该电阻单元耦接于该输出端。该单向电流单元耦接于该电阻单元及该电源端之间,用来在该电源端被供应电力时,允许电流自该电源端导通至该输出端,而在该电源端没有被供应电力时,实质上防止电流自该输出端导通至该电源端。其中,该内核电路、该电阻单元、及该单向电流单元系设置于同一半导体基底当中。
    • 5. 发明专利
    • 等化器與等化方法 EQUALIZER AND EQUALIZING METHOD
    • 等化器与等化方法 EQUALIZER AND EQUALIZING METHOD
    • TW201240368A
    • 2012-10-01
    • TW100108878
    • 2011-03-16
    • 瑞昱半導體股份有限公司
    • 李朝政曾子建
    • H04BH04L
    • 本發明提供一種用以等化由傳送端之截線所造成的訊號反射的等化器與相關方法。該等化器包含一求和裝置與一延遲裝置。該求和裝置用來將一回授延遲訊號與該輸入訊號相加來產生一等化後訊號。該延遲裝置係偶接於該求和裝置,並且用於延遲該等化後訊號以產生一回授延遲訊號。其中,該延遲裝置具有一可變延遲時間,以及該可變延遲時間係為該輸入訊號之一位元時間的非整數倍。
    • 本发明提供一种用以等化由发送端之截线所造成的信号反射的等化器与相关方法。该等化器包含一求和设备与一延迟设备。该求和设备用来将一回授延迟信号与该输入信号相加来产生一等化后信号。该延迟设备系偶接于该求和设备,并且用于延迟该等化后信号以产生一回授延迟信号。其中,该延迟设备具有一可变延迟时间,以及该可变延迟时间系为该输入信号之一比特时间的非整数倍。
    • 6. 发明专利
    • 基底偏壓裝置 SUBSTRATE BIASING APPARATUS
    • 基底偏压设备 SUBSTRATE BIASING APPARATUS
    • TWI318344B
    • 2009-12-11
    • TW095116546
    • 2006-05-10
    • 瑞昱半導體股份有限公司
    • 李朝政曾子建
    • G06F
    • H03K19/0016H03K2217/0018Y10T307/696Y10T307/724
    • 一種基底偏壓裝置,包含有:一第一電壓源,用來提供一第一參考電壓;一第二電壓源,用來提供一第二參考電壓;以及一電壓切換裝置,用來於一數位電路之一第一運作狀態時使該第一電晶體之基底與源極會耦接至相同電壓準位且該第二電晶體之基底與源極耦接至相同電壓準位,以及用來該數位電路之一第二運作狀態時使該第一電晶體之基底與源極耦接至不同電壓準位且該第二電晶體之基底與源極耦接至不同電壓準位。 The present invention relates to a substrate biasing apparatus. The substrate biasing apparatus includes:a first power source for providing a first reference voltage;a second power source for providing a second reference voltage;and a power switching device for coupling a substrate and a source of the first transistor to a same voltage level and coupling a substrate and a source of the second transistor to a same voltage level when a digital circuit operates in a first operating state, and for coupling the substrate and the source of the first transistor to different voltage levels and coupling the substrate and the source of the second transistor to different voltage levels when the digital circuit operates in a second operating state. 【創作特點】 因此本發明之目的在於提供一種應用於低功率CMOS電路且使用電壓穩壓電路的基底偏壓裝置,以解決上述習知基底偏壓的問題。
      依據本發明之一實施例,其係揭露一種基底(substrate)偏壓裝置,包含有:一電壓產生單元,用來提供一第一參考電壓與第二參考電壓;以及一電壓選擇單元,耦接於該電壓產生器,用來調整該第一工作電壓、該第二工作電壓及該基底之電壓;其中,該數位電路操作於一第一工作模式時,該電壓選擇單元輸出該第二參考電壓至該第一工作電壓及該基底;以及該數位電路操作於一第二工作模式時,該電壓選擇單元輸出該第一參考電壓至該第一工作電壓,該第二參考電壓輸出至該第二工作電壓。
    • 一种基底偏压设备,包含有:一第一电压源,用来提供一第一参考电压;一第二电压源,用来提供一第二参考电压;以及一电压切换设备,用来于一数字电路之一第一运作状态时使该第一晶体管之基底与源极会耦接至相同电压准位且该第二晶体管之基底与源极耦接至相同电压准位,以及用来该数字电路之一第二运作状态时使该第一晶体管之基底与源极耦接至不同电压准位且该第二晶体管之基底与源极耦接至不同电压准位。 The present invention relates to a substrate biasing apparatus. The substrate biasing apparatus includes:a first power source for providing a first reference voltage;a second power source for providing a second reference voltage;and a power switching device for coupling a substrate and a source of the first transistor to a same voltage level and coupling a substrate and a source of the second transistor to a same voltage level when a digital circuit operates in a first operating state, and for coupling the substrate and the source of the first transistor to different voltage levels and coupling the substrate and the source of the second transistor to different voltage levels when the digital circuit operates in a second operating state. 【创作特点】 因此本发明之目的在于提供一种应用于低功率CMOS电路且使用电压稳压电路的基底偏压设备,以解决上述习知基底偏压的问题。 依据本发明之一实施例,其系揭露一种基底(substrate)偏压设备,包含有:一电压产生单元,用来提供一第一参考电压与第二参考电压;以及一电压选择单元,耦接于该电压产生器,用来调整该第一工作电压、该第二工作电压及该基底之电压;其中,该数字电路操作于一第一工作模式时,该电压选择单元输出该第二参考电压至该第一工作电压及该基底;以及该数字电路操作于一第二工作模式时,该电压选择单元输出该第一参考电压至该第一工作电压,该第二参考电压输出至该第二工作电压。
    • 7. 发明专利
    • 漏電流防止電路及半導體晶片 LEAKAGE CURRENT PREVENTING CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR CHIP
    • 漏电流防止电路及半导体芯片 LEAKAGE CURRENT PREVENTING CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR CHIP
    • TW200945781A
    • 2009-11-01
    • TW097114221
    • 2008-04-18
    • 瑞昱半導體股份有限公司
    • 曾子建曹太和劉劍
    • H03K
    • H03K19/0008H03K19/0016
    • 本發明提供一種漏電流防止電路及一種半導體晶片。該半導體晶片適用於耦接到一電源端及一輸出端,且包含一核心電路、一電阻單元及一單向電流單元。該核心電路耦接於該輸出端。該電阻單元耦接於該輸出端。該單向電流單元耦接於該電阻單元及該電源端之間,用來在該電源端被供應電力時,允許電流自該電源端導通至該輸出端,而在該電源端沒有被供應電力時,實質上防止電流自該輸出端導通至該電源端。其中,該核心電路、該電阻單元、及該單向電流單元係設置於同一半導體基底當中。
    • 本发明提供一种漏电流防止电路及一种半导体芯片。该半导体芯片适用于耦接到一电源端及一输出端,且包含一内核电路、一电阻单元及一单向电流单元。该内核电路耦接于该输出端。该电阻单元耦接于该输出端。该单向电流单元耦接于该电阻单元及该电源端之间,用来在该电源端被供应电力时,允许电流自该电源端导通至该输出端,而在该电源端没有被供应电力时,实质上防止电流自该输出端导通至该电源端。其中,该内核电路、该电阻单元、及该单向电流单元系设置于同一半导体基底当中。