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1. 发明专利

TW201919335A 用於信號接收器中的雙模信號放大電路审中-公开
简体标题：用于信号接收器中的双模信号放大电路
公开(公告)号：TW201919335A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW106138207
申请日：2017-11-03
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：吳昭篁 , WU, CHAO-HUANG , 張益韶 , CHANG, YI-SHAO , 康漢彰 , KANG, HAN-CHANG , 陳家源 , CHAN, KA-UN
IPC分类号： H03G5/16 , H03F1/26
CPC分类号： H03F1/26 , H03F3/45179 , H03G5/16 , H03G5/28 , H03K17/687 , H04B1/10
摘要：本發明提出一種雙模信號放大電路，其包含：接收差動式輸入信號的第一輸入端與第二輸入端；提供差動式輸出信號的第一輸出端與第二輸出端；第一至第三電流源；位於第一電流源與第一節點之間且受控於第一輸入端的第一開關；位於第一電流源與第二節點之間且受控於第二輸入端的第二開關；位於第一節點與固定電位端之間且受控於第三節點的第三開關；位於第二節點與固定電位端之間且受控於第三節點的第四開關；位於第二電流源與固定電位端之間且受控於第一節點的第五開關；以及位於第三電流源與固定電位端之間且受控於第二節點的第六開關。
简体摘要：本发明提出一种双模信号放大电路，其包含：接收差动式输入信号的第一输入端与第二输入端；提供差动式输出信号的第一输出端与第二输出端；第一至第三电流源；位于第一电流源与第一节点之间且受控于第一输入端的第一开关；位于第一电流源与第二节点之间且受控于第二输入端的第二开关；位于第一节点与固定电位端之间且受控于第三节点的第三开关；位于第二节点与固定电位端之间且受控于第三节点的第四开关；位于第二电流源与固定电位端之间且受控于第一节点的第五开关；以及位于第三电流源与固定电位端之间且受控于第二节点的第六开关。

2. 发明专利

TWI650964B 偵測訊號功率的裝置及方法有权
简体标题：侦测信号功率的设备及方法
公开(公告)号：TWI650964B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW106144116
申请日：2017-12-15
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：吳昭篁 , WU, CHAO-HUANG , 康漢彰 , KANG, HAN-CHANG , 陳家源 , CHAN, KA-UN
IPC分类号： H04B17/20 , H04B17/29

3. 发明专利

TWI641216B 用於信號接收器中的雙模信號放大電路有权
简体标题：用于信号接收器中的双模信号放大电路
公开(公告)号：TWI641216B
公开(公告)日：2018-11-11
申请号：TW106138207
申请日：2017-11-03
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：吳昭篁 , WU, CHAO-HUANG , 張益韶 , CHANG, YI-SHAO , 康漢彰 , KANG, HAN-CHANG , 陳家源 , CHAN, KA-UN
IPC分类号： H03G5/16 , H03F1/26

4. 发明专利

TWI435231B 積體電路製作方法有权
简体标题：集成电路制作方法
公开(公告)号：TWI435231B
公开(公告)日：2014-04-21
申请号：TW097118127
申请日：2008-05-16
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：楊立平 , YANG, LI PING , 陳碧成 , CHEN, PI CHENG , 康漢彰 , KANG, HAN CHANG , 顏仁鴻 , YAN, RAN HONG
IPC分类号： G06F17/50 , H01L21/00
CPC分类号： H01L27/0207 , G03F1/00 , G03F1/50

5. 发明专利

TWI382522B 半導體電容結構及其佈局圖案有权
简体标题：半导体电容结构及其布局图案
公开(公告)号：TWI382522B
公开(公告)日：2013-01-11
申请号：TW096110376
申请日：2007-03-26
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：康漢彰 , KANG, HAN CHANG , 葉達勳 , YEH, TA HSUN
IPC分类号： H01L27/04
CPC分类号： H01L27/0207 , H01G2/065 , H01G4/01 , H01L27/0805

6. 发明专利

TW201347414A 鎖相迴路電路审中-公开
简体标题：锁相回路电路
公开(公告)号：TW201347414A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW101116838
申请日：2012-05-11
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：楊育哲 , YANG, YU CHE , 康漢彰 , KANG, HAN CHANG
IPC分类号： H03L7/099
CPC分类号： H03L7/00 , H03L7/0893 , H03L7/093
摘要：本發明提供一種鎖相迴路電路。鎖相迴路電路包含一相位頻率偵測器、一第一充電幫浦、一第二充電幫浦、一第一迴路元件組、一第二迴路元件組、一壓控振盪器以及一除頻器。第一充電幫浦及第二充電幫浦耦接相位頻率偵測器。第一迴路元件組耦接於第一充電幫浦與壓控振盪器間。第二迴路元件組耦接於第二充電幫浦與壓控振盪器間。除頻器耦接於相位頻率偵測器與壓控振盪器間。第一迴路元件組產生一補償電流，調整第一充電幫浦及第二充電幫浦的工作區間。第二迴路元件組產生一補償電流及一直流調整電壓，以控制其輸出至壓控振盪器之控制電壓。
简体摘要：本发明提供一种锁相回路电路。锁相回路电路包含一相位频率侦测器、一第一充电帮浦、一第二充电帮浦、一第一回路组件组、一第二回路组件组、一压控振荡器以及一除频器。第一充电帮浦及第二充电帮浦耦接相位频率侦测器。第一回路组件组耦接于第一充电帮浦与压控振荡器间。第二回路组件组耦接于第二充电帮浦与压控振荡器间。除频器耦接于相位频率侦测器与压控振荡器间。第一回路组件组产生一补偿电流，调整第一充电帮浦及第二充电帮浦的工作区间。第二回路组件组产生一补偿电流及一直流调整电压，以控制其输出至压控振荡器之控制电压。

7. 发明专利

TWI474625B 鎖相迴路電路有权
简体标题：锁相回路电路
公开(公告)号：TWI474625B
公开(公告)日：2015-02-21
申请号：TW101116838
申请日：2012-05-11
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：楊育哲 , YANG, YU CHE , 康漢彰 , KANG, HAN CHANG
IPC分类号： H03L7/099
CPC分类号： H03L7/00 , H03L7/0893 , H03L7/093

8. 发明专利

TWI379404B 半導體電容結構及其佈局圖案 SEMICONDUCTOR CAPACITOR STRUCTURE AND LAYOUT PATTERN THEREOF 有权
简体标题：半导体电容结构及其布局图案 SEMICONDUCTOR CAPACITOR STRUCTURE AND LAYOUT PATTERN THEREOF
公开(公告)号：TWI379404B
公开(公告)日：2012-12-11
申请号：TW096137824
申请日：2007-10-09
申请人：瑞昱半導體股份有限公司
发明人：葉達勳 , 康漢彰
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01G4/33 , H01G4/38 , H01L23/5223 , H01L28/86 , H01L28/90 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明係提供一種由一第一電容與一第二電容所組成的金屬－氧化層－金屬電容結構，其具有複數個對稱分支區段，沿著複數個環狀輪廓形成相互叉合的結構，具有最佳化的幾何對稱性，因此能得到較佳的電容匹配效果，並具有較高的單位電容值，且在該半導體電容結構中可以根據不同需求來調整該第一電容以及該第二電容之間的電容值比值。本發明之金屬－氧化層－金屬電容結構不需要使用額外的光罩，製程費用較便宜，另外由於半導體製程的進步，因此可疊加數目相當大的金屬層，且因金屬層之間的距離也變得愈來愈小，所以可得到愈來愈高的單位電容值。
简体摘要：本发明系提供一种由一第一电容与一第二电容所组成的金属－氧化层－金属电容结构，其具有复数个对称分支区段，沿着复数个环状轮廓形成相互叉合的结构，具有最优化的几何对称性，因此能得到较佳的电容匹配效果，并具有较高的单位电容值，且在该半导体电容结构中可以根据不同需求来调整该第一电容以及该第二电容之间的电容值比值。本发明之金属－氧化层－金属电容结构不需要使用额外的光罩，制程费用较便宜，另外由于半导体制程的进步，因此可叠加数目相当大的金属层，且因金属层之间的距离也变得愈来愈小，所以可得到愈来愈高的单位电容值。

9. 发明专利

TW200949586A 積體電路製作方法 INTEGRATED-CIRCUIT FABRICATION METHOD 审中-公开
简体标题：集成电路制作方法 INTEGRATED-CIRCUIT FABRICATION METHOD
公开(公告)号：TW200949586A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW097118127
申请日：2008-05-16
申请人：瑞昱半導體股份有限公司
发明人：楊立平 , 陳碧成 , 康漢彰 , 顏仁鴻
IPC分类号： G06F , H01L
CPC分类号： H01L27/0207 , G03F1/00 , G03F1/50
摘要：一種積體電路製作方法，包含以下步驟：在複數個硬體單元整合繞線的S層電路佈局中，將同一硬體單元的電路繞線分佈於每層的相對相同位置；將每層的相對相同位置形成一聚集電路，並於其中的C層至少以一溝通繞線連接同一層的不同硬體單元的聚集電路；及將每個溝通繞線集中於其中C層的另一個相對相同位置，且C為小於S的正整數；其中，該另一個相對相同位置至少包含一切割道以上的寬度，且該切割道是否切割將決定所產生的晶粒數目以及每一晶粒所包含的硬體單元數目。
简体摘要：一种集成电路制作方法，包含以下步骤：在复数个硬件单元集成绕线的S层电路布局中，将同一硬件单元的电路绕线分布于每层的相对相同位置；将每层的相对相同位置形成一聚集电路，并于其中的C层至少以一沟通绕线连接同一层的不同硬件单元的聚集电路；及将每个沟通绕线集中于其中C层的另一个相对相同位置，且C为小于S的正整数；其中，该另一个相对相同位置至少包含一切割道以上的宽度，且该切割道是否切割将决定所产生的晶粒数目以及每一晶粒所包含的硬件单元数目。

10. 发明专利

TWI692787B 電容器結構有权
简体标题：电容器结构
公开(公告)号：TWI692787B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW108134118
申请日：2019-09-20
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 徐祥鐘 , HSU, HSIANG CHUNG , 康漢彰 , KANG, HAN CHANG , 陳家源 , CHAN, KA UN
IPC分类号： H01G4/10

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