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1. 发明专利

TWI647295B 具有保護膜形成層的切割薄片及晶片的製造方法有权
简体标题：具有保护膜形成层的切割薄片及芯片的制造方法
公开(公告)号：TWI647295B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW102135956
申请日：2013-10-04
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：高山佳 , TAKAYAMA, KEI , 篠田智則 , SHINODA, TOMONORI , 佐伯尙哉 , SAEKI, NAOYA , 高野健 , TAKANO, KEN
IPC分类号： C09J7/20 , H01L21/304

2. 发明专利

TW201433595A 保護膜形成用薄膜审中-公开
简体标题：保护膜形成用薄膜
公开(公告)号：TW201433595A
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW102144160
申请日：2013-12-03
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：高野健 , TAKANO, KEN , 篠田智則 , SHINODA, TOMONORI , 吾妻祐一郎 , AZUMA, YUICHIRO
IPC分类号： C08J5/18 , H01L21/70 , H01L21/301
CPC分类号： C08L63/00 , B32B27/308 , C08G59/4021 , C08G59/4261 , C08K3/36 , C08K5/5435 , C08L33/068 , C08L33/10 , C08L83/04 , C09D133/10 , H01L23/293 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , C08L33/06 , C08F220/14 , C08F220/20 , C08F2220/325 , C08F2220/1825
摘要：關於本發明之保護膜形成用薄膜係用以形成保護半導體晶片的保護膜之保護膜形成用薄膜，該保護膜形成用薄膜含有(A)丙烯酸系聚合物、(B)環氧系硬化性成分、及(C)填料，構成(A)丙烯酸系聚合物之單體係以佔全部單體之8質量%以下的比例含有含環氧基之單體，同時(A)丙烯酸系聚合物之玻璃轉移溫度為-3℃以上，硬化該保護膜形成用薄膜而得之保護膜的至少一面之根據JIS Z 8741測定之光澤值為20以上。
简体摘要：关于本发明之保护膜形成用薄膜系用以形成保护半导体芯片的保护膜之保护膜形成用薄膜，该保护膜形成用薄膜含有(A)丙烯酸系聚合物、(B)环氧系硬化性成分、及(C)填料，构成(A)丙烯酸系聚合物之单体系以占全部单体之8质量%以下的比例含有含环氧基之单体，同时(A)丙烯酸系聚合物之玻璃转移温度为-3℃以上，硬化该保护膜形成用薄膜而得之保护膜的至少一面之根据JIS Z 8741测定之光泽值为20以上。

3. 发明专利

TW201428078A 保護膜形成用薄膜审中-公开
简体标题：保护膜形成用薄膜
公开(公告)号：TW201428078A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：TW102144161
申请日：2013-12-03
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：高野健 , TAKANO, KEN , 篠田智則 , SHINODA, TOMONORI , 吾妻祐一郎 , AZUMA, YUICHIRO
IPC分类号： C09J7/00 , C09J133/08 , H01L21/68
CPC分类号： C08L63/00 , B32B27/308 , B32B2457/14 , C08G59/4021 , C08K3/36 , C08K5/5435 , C08L33/068 , C08L83/04 , H01L23/296 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , C08L33/06 , C08F220/14 , C08F220/20 , C08F2220/325 , C08F2220/1825 , C09D133/068
摘要：關於本發明之保護膜形成用薄膜係用以形成保護半導體晶片的保護膜之保護膜形成用薄膜，該保護膜形成用薄膜含有(A)丙烯酸系聚合物、(B)環氧系硬化性成分、(C)填料、及(D1)矽烷偶合劑，構成(A)丙烯酸系聚合物之單體不含含環氧基之單體，或以佔全部單體之8質量%以下的比例含有含環氧基之單體，同時(A)丙烯酸系聚合物之玻璃轉移溫度為-3℃以上，(D1)矽烷偶合劑之分子量為300以上。
简体摘要：关于本发明之保护膜形成用薄膜系用以形成保护半导体芯片的保护膜之保护膜形成用薄膜，该保护膜形成用薄膜含有(A)丙烯酸系聚合物、(B)环氧系硬化性成分、(C)填料、及(D1)硅烷偶合剂，构成(A)丙烯酸系聚合物之单体不含含环氧基之单体，或以占全部单体之8质量%以下的比例含有含环氧基之单体，同时(A)丙烯酸系聚合物之玻璃转移温度为-3℃以上，(D1)硅烷偶合剂之分子量为300以上。

4. 发明专利

TWI423269B 導電接合片用的絕緣片、導電接合片、導電接合片的製造方法及電子複合構件的製造方法有权
简体标题：导电接合片用的绝缘片、导电接合片、导电接合片的制造方法及电子复合构件的制造方法
公开(公告)号：TWI423269B
公开(公告)日：2014-01-11
申请号：TW095139273
申请日：2006-10-25
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：篠田智則 , SHINODA, TOMONORI , 山崎修 , YAMAZAKI, OSAMU , 佐伯尚哉 , SAIKI, NAOYA , 古舘正啓 , FURUDATE, MASAAKI , 川又勇司 , KAWAMATA, YUJ , 田島武 , TASHIMA, TAKESHI , 島村將人 , SHIMAMURA, MASATO , 渡邊雅子 , WATANABE, MASAKO , 雨海正純 , AMAGAI, MASAZUMI
IPC分类号： H01B17/56 , C09J7/02 , H01B5/16 , H01B13/00 , H01R11/01
CPC分类号： H05K3/3478 , C09J7/29 , C09J2433/00 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15311 , H05K2201/10424 , H05K2203/041 , H01L2924/00

5. 发明专利

TW201826405A 半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201826405A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106127072
申请日：2017-08-10
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：篠田智則 , SHINODA, TOMONORI , 根本拓 , NEMOTO, TAKU , 中西勇人 , NAKANISHI, HAYATO
IPC分类号： H01L21/52 , H01L21/56 , C09J201/00
摘要：一種半導體裝置的製造方法，其特徵為包含：　　將元件背面(W2)朝向黏著劑層，使具有電路面(W1)及前述元件背面(W2)之複數的半導體元件貼著於具有前述黏著劑層的支撐基板(10)的前述黏著劑層之工程；　　將被貼著於支撐基板(10)的前述半導體元件密封，而形成密封體(3)之工程；　　將外部端子電極形成於密封體(3)，而使被貼著於支撐基板(10)的前述半導體元件與前述外部端子電極電性連接之工程；　　在使前述半導體元件與前述外部端子電極電性連接之後，從密封體(3)剝離支撐基板(10)，而使前述半導體元件的元件背面(W2)露出之工程；　　在露出的前述半導體元件的元件背面(W2)形成硬化性的保護膜形成層之工程；及　　使前述保護膜形成層硬化而形成保護膜之工程。
简体摘要：一种半导体设备的制造方法，其特征为包含：　　将组件背面(W2)朝向黏着剂层，使具有电路面(W1)及前述组件背面(W2)之复数的半导体组件贴着于具有前述黏着剂层的支撑基板(10)的前述黏着剂层之工程；　　将被贴着于支撑基板(10)的前述半导体组件密封，而形成密封体(3)之工程；　　将外部端子电极形成于密封体(3)，而使被贴着于支撑基板(10)的前述半导体组件与前述外部端子电极电性连接之工程；　　在使前述半导体组件与前述外部端子电极电性连接之后，从密封体(3)剥离支撑基板(10)，而使前述半导体组件的组件背面(W2)露出之工程；　　在露出的前述半导体组件的组件背面(W2)形成硬化性的保护膜形成层之工程；及　　使前述保护膜形成层硬化而形成保护膜之工程。

6. 发明专利

TWI599600B 保護膜形成用薄膜有权
简体标题：保护膜形成用薄膜
公开(公告)号：TWI599600B
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：TW102144160
申请日：2013-12-03
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：高野健 , TAKANO, KEN , 篠田智則 , SHINODA, TOMONORI , 吾妻祐一郎 , AZUMA, YUICHIRO
IPC分类号： C08J5/18 , H01L21/70 , H01L21/301
CPC分类号： C08L63/00 , B32B27/308 , C08G59/4021 , C08G59/4261 , C08K3/36 , C08K5/5435 , C08L33/068 , C08L33/10 , C08L83/04 , C09D133/10 , H01L23/293 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , C08L33/06 , C08F220/14 , C08F220/20 , C08F2220/325 , C08F2220/1825

7. 发明专利

TWI592458B 具有保護膜形成層之切割板片及晶片之製造方法有权
简体标题：具有保护膜形成层之切割板片及芯片之制造方法
公开(公告)号：TWI592458B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW102130169
申请日：2013-08-23
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：佐伯尙哉 , SAEKI, NAOYA , 篠田智則 , SHINODA, TOMONORI , 高野健 , TAKANO, KEN
IPC分类号： C09J7/02 , C09J201/06 , B32B7/06 , B32B7/12 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/6836 , C09J7/0228 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J7/401 , C09J163/00 , C09J2203/326 , C09J2433/00 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2223/54433 , H01L2223/54486 , H01L2924/0002 , Y10T428/1471 , H01L2924/00

8. 发明专利

TW201428079A 具有保護膜形成層的切割薄片及晶片的製造方法审中-公开
简体标题：具有保护膜形成层的切割薄片及芯片的制造方法
公开(公告)号：TW201428079A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：TW102135956
申请日：2013-10-04
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：高山佳 , TAKAYAMA, KEI , 篠田智則 , SHINODA, TOMONORI , 佐伯尙哉 , SAEKI, NAOYA , 高野健 , TAKANO, KEN
IPC分类号： C09J7/02 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/6836 , C09J7/40 , C09J133/02 , C09J2203/326 , C09J2433/005 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336
摘要：【課題】本發明係以提供：在具備預切後之硬化性的保護膜形成層之具有保護膜形成層的切割薄片，在其製造時，即使藉由沖壓機而進行模切加工時，保護膜形成層沒有變形之具有保護膜形成層的切割薄片為目的。【解決手段】本發明之具有保護膜形成層的切割薄片，其特徵在於：係在外周部具有黏著部之支持體的內周部上，將硬化性的保護膜形成層使其為可剝離而暫時黏貼，該保護膜形成層之硬化前的在23℃之貯藏彈性率為0.6~2.5GPa。
简体摘要：【课题】本发明系以提供：在具备预切后之硬化性的保护膜形成层之具有保护膜形成层的切割薄片，在其制造时，即使借由冲压机而进行模切加工时，保护膜形成层没有变形之具有保护膜形成层的切割薄片为目的。【解决手段】本发明之具有保护膜形成层的切割薄片，其特征在于：系在外周部具有黏着部之支持体的内周部上，将硬化性的保护膜形成层使其为可剥离而暂时黏贴，该保护膜形成层之硬化前的在23℃之贮藏弹性率为0.6~2.5GPa。

9. 发明专利

TW201422757A 具有保護膜形成層之切割板片及晶片之製造方法审中-公开
简体标题：具有保护膜形成层之切割板片及芯片之制造方法
公开(公告)号：TW201422757A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102130169
申请日：2013-08-23
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：佐伯尙哉 , SAEKI, NAOYA , 篠田智則 , SHINODA, TOMONORI , 高野健 , TAKANO, KEN
IPC分类号： C09J7/02 , C09J201/06 , B32B7/06 , B32B7/12 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/6836 , C09J7/0228 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J7/401 , C09J163/00 , C09J2203/326 , C09J2433/00 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2223/54433 , H01L2223/54486 , H01L2924/0002 , Y10T428/1471 , H01L2924/00
摘要：本發明之課題係在於提供均勻性高，可簡便地製造具有列印精度優良的保護膜之半導體晶片，可容易地進行保護膜與切割板片之間的剝離，且切割時之晶片固定能力優良的具有保護膜形成層之切割板片。關於本發明之具有保護膜形成層之切割板片，其特徵在於：將包含黏著成分與含有游離環氧基之化合物之黏著劑層，可剝離保護膜形成層地，設於層積在基材薄膜上之黏著板片之黏著劑層上。
简体摘要：本发明之课题系在于提供均匀性高，可简便地制造具有打印精度优良的保护膜之半导体芯片，可容易地进行保护膜与切割板片之间的剥离，且切割时之芯片固定能力优良的具有保护膜形成层之切割板片。关于本发明之具有保护膜形成层之切割板片，其特征在于：将包含黏着成分与含有游离环氧基之化合物之黏着剂层，可剥离保护膜形成层地，设于层积在基材薄膜上之黏着板片之黏着剂层上。

10. 发明专利

TW201321463A 具有保護膜形成層之切割膜片及晶片之製造方法审中-公开
简体标题：具有保护膜形成层之切割膜片及芯片之制造方法
公开(公告)号：TW201321463A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW101135767
申请日：2012-09-28
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：篠田智則 , SHINODA, TOMONORI , 古館正啟 , FURUDATE, MASAAKI , 高野健 , TAKANO, KEN
IPC分类号： C09J7/02
CPC分类号： H01L21/6836 , C09J7/40 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , H01L21/304 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2223/54406 , H01L2223/54433 , H01L2223/54486 , H01L2924/0002 , Y10T428/24843 , H01L2924/00
摘要：本發明提供，可簡便地製造，具有厚度均勻性高，標記精度優良的保護膜之半導體晶片，且可擴展而基材具有耐熱性之具有保護膜形成層之切割膜片。
简体摘要：本发明提供，可简便地制造，具有厚度均匀性高，标记精度优良的保护膜之半导体芯片，且可扩展而基材具有耐热性之具有保护膜形成层之切割膜片。

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