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1. 发明专利

TW201826405A 半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201826405A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106127072
申请日：2017-08-10
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：篠田智則 , SHINODA, TOMONORI , 根本拓 , NEMOTO, TAKU , 中西勇人 , NAKANISHI, HAYATO
IPC分类号： H01L21/52 , H01L21/56 , C09J201/00
摘要：一種半導體裝置的製造方法，其特徵為包含：　　將元件背面(W2)朝向黏著劑層，使具有電路面(W1)及前述元件背面(W2)之複數的半導體元件貼著於具有前述黏著劑層的支撐基板(10)的前述黏著劑層之工程；　　將被貼著於支撐基板(10)的前述半導體元件密封，而形成密封體(3)之工程；　　將外部端子電極形成於密封體(3)，而使被貼著於支撐基板(10)的前述半導體元件與前述外部端子電極電性連接之工程；　　在使前述半導體元件與前述外部端子電極電性連接之後，從密封體(3)剝離支撐基板(10)，而使前述半導體元件的元件背面(W2)露出之工程；　　在露出的前述半導體元件的元件背面(W2)形成硬化性的保護膜形成層之工程；及　　使前述保護膜形成層硬化而形成保護膜之工程。
简体摘要：一种半导体设备的制造方法，其特征为包含：　　将组件背面(W2)朝向黏着剂层，使具有电路面(W1)及前述组件背面(W2)之复数的半导体组件贴着于具有前述黏着剂层的支撑基板(10)的前述黏着剂层之工程；　　将被贴着于支撑基板(10)的前述半导体组件密封，而形成密封体(3)之工程；　　将外部端子电极形成于密封体(3)，而使被贴着于支撑基板(10)的前述半导体组件与前述外部端子电极电性连接之工程；　　在使前述半导体组件与前述外部端子电极电性连接之后，从密封体(3)剥离支撑基板(10)，而使前述半导体组件的组件背面(W2)露出之工程；　　在露出的前述半导体组件的组件背面(W2)形成硬化性的保护膜形成层之工程；及　　使前述保护膜形成层硬化而形成保护膜之工程。

2. 发明专利

TWI565783B 導通檢查用條帶以及使用該條帶之導通檢查方法有权
简体标题：导通检查用条带以及使用该条带之导通检查方法
公开(公告)号：TWI565783B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：TW102109180
申请日：2013-03-15
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：佐藤明德 , SATO, AKINORI , 中西勇人 , NAKANISHI, HAYATO , 金井道生 , KANAI, MICHIO , 菊池映好 , KIKUCHI, EIKO
IPC分类号： C09J7/02 , C09J9/02 , G01R31/26 , H01L21/66
CPC分类号： G01R1/04 , C08L2203/20 , C09J7/28 , C09J7/29 , C09J2201/602

3. 发明专利

TW201400579A 導通檢查用條帶以及使用該條帶之導通檢查方法审中-公开
简体标题：导通检查用条带以及使用该条带之导通检查方法
公开(公告)号：TW201400579A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW102109180
申请日：2013-03-15
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：佐藤明德 , SATO, AKINORI , 中西勇人 , NAKANISHI, HAYATO , 金井道生 , KANAI, MICHIO , 菊池映好 , KIKUCHI, EIKO
IPC分类号： C09J7/02 , C09J9/02 , G01R31/26 , H01L21/66
CPC分类号： G01R1/04 , C08L2203/20 , C09J7/28 , C09J7/29 , C09J2201/602
摘要：【課題】提供操作性優良，可簡便得進行導通檢查之導通檢查用條帶。【解決手段】與本發明有關之導通檢查用條帶，係層積由設置了複數的貫通孔之基材以及金屬膜所形成之金屬覆膜基材、與導電性黏著劑層而形成，在層積方向具有導通性。
简体摘要：【课题】提供操作性优良，可简便得进行导通检查之导通检查用条带。【解决手段】与本发明有关之导通检查用条带，系层积由设置了复数的贯通孔之基材以及金属膜所形成之金属覆膜基材、与导电性黏着剂层而形成，在层积方向具有导通性。

4. 发明专利

TW201324605A 切割片及半導體晶片之製造方法审中-公开
简体标题：切割片及半导体芯片之制造方法
公开(公告)号：TW201324605A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101140046
申请日：2012-10-30
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：佐藤陽輔 , SATO, YOSUKE , 金井道生 , KANAI, MICHIO , 中西勇人 , NAKANISHI, HAYATO
IPC分类号： H01L21/304 , C09J7/02
CPC分类号： H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/68381 , H05K1/02 , H05K1/115 , Y10T428/24942
摘要： [課題]本發明提供突起狀電極(貫通電極)間不殘留黏接劑層的殘渣、晶片不破損、可切割及提取之切割片。[解決手段]本發明所述之切割片由基材、位於該基材一表面的中間層、以及位於該中間層上、厚度8~30μm的黏接劑層所構成，該黏接劑層包括分子內具有能量線硬化性雙鍵的化合物，且該黏接劑層的硬化前的23℃儲存彈性率G’為中間層的23℃儲存彈性率G’的4倍以上，在高15μm、直徑15μm的圓柱型電極以40μm的間距等間隔地形成3行3列所形成的晶圓藉由該黏接劑層黏貼的情形中，該3行3列所形成的圓柱型電極的中心的電極中，該電極高度7.5μm以下的部分不接觸該黏接劑層。
简体摘要： [课题]本发明提供突起状电极(贯通电极)间不残留黏接剂层的残渣、芯片不破损、可切割及提取之切割片。[解决手段]本发明所述之切割片由基材、位于该基材一表面的中间层、以及位于该中间层上、厚度8~30μm的黏接剂层所构成，该黏接剂层包括分子内具有能量线硬化性双键的化合物，且该黏接剂层的硬化前的23℃存储弹性率G’为中间层的23℃存储弹性率G’的4倍以上，在高15μm、直径15μm的圆柱型电极以40μm的间距等间隔地形成3行3列所形成的晶圆借由该黏接剂层黏贴的情形中，该3行3列所形成的圆柱型电极的中心的电极中，该电极高度7.5μm以下的部分不接触该黏接剂层。

5. 发明专利

TWI564363B 切割片及裝置晶片之製造方法有权
简体标题：切割片及设备芯片之制造方法
公开(公告)号：TWI564363B
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW102116980
申请日：2013-05-14
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：中西勇人 , NAKANISHI, HAYATO , 西田卓生 , NISHIDA, TAKUO
IPC分类号： C09J7/02 , H01L21/304
CPC分类号： C09J133/00 , C09J4/06 , C09J7/385 , C09J2203/326

6. 发明专利

TWI547985B 切割片及半導體晶片之製造方法有权
简体标题：切割片及半导体芯片之制造方法
公开(公告)号：TWI547985B
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW101140046
申请日：2012-10-30
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：佐藤陽輔 , SATO, YOSUKE , 金井道生 , KANAI, MICHIO , 中西勇人 , NAKANISHI, HAYATO
IPC分类号： H01L21/304 , C09J7/02
CPC分类号： H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/68381 , H05K1/02 , H05K1/115 , Y10T428/24942

7. 发明专利

TW201408750A 切割片及裝置晶片之製造方法审中-公开
简体标题：切割片及设备芯片之制造方法
公开(公告)号：TW201408750A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW102116980
申请日：2013-05-14
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：中西勇人 , NAKANISHI, HAYATO , 西田卓生 , NISHIDA, TAKUO
IPC分类号： C09J7/02 , H01L21/304
CPC分类号： C09J133/00 , C09J4/06 , C09J7/385 , C09J2203/326
摘要：本發明提供，切割片1，其係即使裝置相關構件的表面，特別是裝置相關非平坦面構件之非平坦面為被著面之情形，亦可具有優良的黏著性之黏著劑層，且不容易發生基於黏著劑團聚物之異常之切割片，其包括：基材2；及黏著劑層3，其係層積於上述基材2之至少一方的面之切割片1，黏著劑層3，係由含有丙烯酸系聚合物(A)及能量線聚合性化合物(B)之黏著劑組成物所形成者，上述黏著劑層之厚度為25μm以下，在於上述黏著劑層在於能量線照射之前之23℃之儲存彈性模數為0.12MPa以下，且將上述黏著劑層3之能量線照射前之保持力之測定試驗，遵照JIS Z0237:2009進行時所測定之保持時間為15000秒以上，亦提供使用該切割片1之裝置晶片之製造方法。
简体摘要：本发明提供，切割片1，其系即使设备相关构件的表面，特别是设备相关非平坦面构件之非平坦面为被着面之情形，亦可具有优良的黏着性之黏着剂层，且不容易发生基于黏着剂团聚物之异常之切割片，其包括：基材2；及黏着剂层3，其系层积于上述基材2之至少一方的面之切割片1，黏着剂层3，系由含有丙烯酸系聚合物(A)及能量线聚合性化合物(B)之黏着剂组成物所形成者，上述黏着剂层之厚度为25μm以下，在于上述黏着剂层在于能量线照射之前之23℃之存储弹性模数为0.12MPa以下，且将上述黏着剂层3之能量线照射前之保持力之测定试验，遵照JIS Z0237:2009进行时所测定之保持时间为15000秒以上，亦提供使用该切割片1之设备芯片之制造方法。

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