专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201539790A 半導體發光元件及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201539790A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104101173
申请日：2015-01-14
申请人：牛尾電機股份有限公司 , USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA
发明人：三好晃平 , MIYOSHI, KOHEI
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/387 , H01L2933/0016
摘要：以實現比先前更提升光取出效率的半導體發光元件及其製造方法為目的。本發明之半導體發光元件的製造方法，係具有：準備基板的工程(a)、於基板上，依序形成第一半導體層、活性層及第二半導體層的工程(b)、於第二半導體層的上面，形成構成反射電極之第一導電層的工程(c)、在工程(c)之後，不進行退火工程，於第一導電層的上面，以7nm以下的膜厚來蒸鍍構成第一保護層之第二導電層的工程(d)、及在工程(d)之後，進行退火的工程(e)。
简体摘要：以实现比先前更提升光取出效率的半导体发光组件及其制造方法为目的。本发明之半导体发光组件的制造方法，系具有：准备基板的工程(a)、于基板上，依序形成第一半导体层、活性层及第二半导体层的工程(b)、于第二半导体层的上面，形成构成反射电极之第一导电层的工程(c)、在工程(c)之后，不进行退火工程，于第一导电层的上面，以7nm以下的膜厚来蒸镀构成第一保护层之第二导电层的工程(d)、及在工程(d)之后，进行退火的工程(e)。

2. 发明专利

TW201523920A 氮化物半導體發光元件及其製造方法审中-公开
简体标题：氮化物半导体发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201523920A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103118814
申请日：2014-05-29
申请人：牛尾電機股份有限公司 , USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA
发明人：月原政志 , TSUKIHARA, MASASHI , 三好晃平 , MIYOSHI, KOHEI
IPC分类号： H01L33/32 , H01S5/343
CPC分类号： H01L33/325 , C23C16/0209 , C23C16/0227 , C23C16/303 , C23C16/52 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/32
摘要：實現一邊相較於先前的元件更提升發光效率，一邊也具有優良壽命特性的氮化物半導體發光元件。一種氮化物半導體發光元件，係在n型氮化物半導體層與p型氮化物半導體層之間，具有交互層積由氮化物半導體所成之量子井層與由氮化物半導體所成之障壁層的發光層的氮化物半導體發光元件，其中，障壁層中與p型氮化物半導體層接觸之位置所形成的最後障壁層，係包含n型不純物，與p型氮化物半導體層之界面的n型不純物濃度為4×1017/cm3以下。
简体摘要：实现一边相较于先前的组件更提升发光效率，一边也具有优良寿命特性的氮化物半导体发光组件。一种氮化物半导体发光组件，系在n型氮化物半导体层与p型氮化物半导体层之间，具有交互层积由氮化物半导体所成之量子井层与由氮化物半导体所成之障壁层的发光层的氮化物半导体发光组件，其中，障壁层中与p型氮化物半导体层接触之位置所形成的最后障壁层，系包含n型不纯物，与p型氮化物半导体层之界面的n型不纯物浓度为4×1017/cm3以下。

3. 发明专利

TW201505201A 氮化物發光元件及其製造方法审中-公开
简体标题：氮化物发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201505201A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW103107423
申请日：2014-03-05
申请人：牛尾電機股份有限公司 , USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA
发明人：杉山徹 , SUGIYAMA, TORU , 月原政志 , TSUKIHARA, MASASHI , 三好晃平 , MIYOSHI, KOHEI
IPC分类号： H01L33/02
CPC分类号： H01L33/025 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01L33/40 , H01L33/405
摘要：實現即使低工作電壓，也可實現光線的高取出效率，且可利用簡易的製程來製造的氮化物發光元件。氮化物發光元件(1)係於支持基板(11)上，具有n層(35)、p層(31)、及形成於被n層(35)與p層(31)挾持之位置的發光層(33)，n層(35)係以載體濃度比被摻雜之Si濃度還高的AlxGa1-xN(0
简体摘要：实现即使低工作电压，也可实现光线的高取出效率，且可利用简易的制程来制造的氮化物发光组件。氮化物发光组件(1)系于支持基板(11)上，具有n层(35)、p层(31)、及形成于被n层(35)与p层(31)挟持之位置的发光层(33)，n层(35)系以载体浓度比被掺杂之Si浓度还高的AlxGa1-xN(0

4. 发明专利

TWI585993B 氮化物發光元件及其製造方法有权
简体标题：氮化物发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI585993B
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW103107423
申请日：2014-03-05
申请人：牛尾電機股份有限公司 , USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA
发明人：杉山徹 , SUGIYAMA, TORU , 月原政志 , TSUKIHARA, MASASHI , 三好晃平 , MIYOSHI, KOHEI
IPC分类号： H01L33/02
CPC分类号： H01L33/025 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01L33/40 , H01L33/405

5. 发明专利

TW201703294A 半導體發光元件审中-公开
简体标题：半导体发光组件
公开(公告)号：TW201703294A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105101859
申请日：2016-01-21
申请人：牛尾電機股份有限公司 , USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA
发明人：月原政志 , TSUKIHARA, MASASHI , 三好晃平 , MIYOSHI, KOHEI
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/06 , H01S5/343 , H01L21/205 , C23C16/34 , C30B29/38
摘要：實現顯示高發光強度的氮化物半導體發光元件。本發明的氮化物半導體發光元件，係在n型氮化物半導體層與p型氮化物半導體層之間，具有交互層積由氮化物半導體所成之發光層與由氮化物半導體所成之障壁層的活性層，障壁層中形成於最接近p型氮化物半導體層的位置之最後障壁層的C濃度為1×1018/cm3以下。
简体摘要：实现显示高发光强度的氮化物半导体发光组件。本发明的氮化物半导体发光组件，系在n型氮化物半导体层与p型氮化物半导体层之间，具有交互层积由氮化物半导体所成之发光层与由氮化物半导体所成之障壁层的活性层，障壁层中形成于最接近p型氮化物半导体层的位置之最后障壁层的C浓度为1×1018/cm3以下。

6. 发明专利

TWI535054B ＬＥＤ元件有权
简体标题：ＬＥＤ组件
公开(公告)号：TWI535054B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW103100646
申请日：2014-01-08
申请人：牛尾電機股份有限公司 , USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA
发明人：三好晃平 , MIYOSHI, KOHEI , 月原政志 , TSUKIHARA, MASASHI
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/32

7. 发明专利

TW201546903A 半導體發光元件及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201546903A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104100278
申请日：2015-01-06
申请人：牛尾電機股份有限公司 , USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA
发明人：杉山徹 , SUGIYAMA, TORU , 月原政志 , TSUKIHARA, MASASHI , 三好晃平 , MIYOSHI, KOHEI
IPC分类号： H01L21/324 , H01L29/41 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/387 , H01L33/40 , H01L2933/0016
摘要：實現一邊確保流通於活性層的電流往水平方向的擴散，一邊更提升光線的取出效率的半導體發光元件。本發明的半導體發光元件的製造方法，具有：於成長基板的上層，形成包含活性層之半導體層的工程(a)；於半導體層的上面，形成第一金屬層的工程(b)；在工程(b)之後不進行退火處理，於前述第一金屬層的上面的一部分，形成第二金屬層的工程(c)；及在工程(c)之後進行退火處理的工程(d)。
简体摘要：实现一边确保流通于活性层的电流往水平方向的扩散，一边更提升光线的取出效率的半导体发光组件。本发明的半导体发光组件的制造方法，具有：于成长基板的上层，形成包含活性层之半导体层的工程(a)；于半导体层的上面，形成第一金属层的工程(b)；在工程(b)之后不进行退火处理，于前述第一金属层的上面的一部分，形成第二金属层的工程(c)；及在工程(c)之后进行退火处理的工程(d)。

8. 发明专利

TW201517312A 半導體發光元件及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201517312A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW103123143
申请日：2014-07-04
申请人：牛尾電機股份有限公司 , USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA
发明人：杉山徹 , SUGIYAMA, TORU , 月原政志 , TSUKIHARA, MASASHI , 三好晃平 , MIYOSHI, KOHEI
IPC分类号： H01L33/36
摘要：利用抑制反射電極表面之空隙的發生，實現更提升光取出效率的半導體發光元件及其製造方法。具有n型或p型的第1半導體層、導電型與前述第1半導體層不同的第2半導體層、及形成在前述第1半導體層及前述第2半導體層之間的發光層之半導體發光元件的製造方法，具有：準備基板的工程(a)；於基板上，由下依序形成第1半導體層、前述發光層及前述第2半導體層的工程(b)；於第2半導體層的上層，蒸鍍構成反射電極之第1導電層的工程(c)；在工程(c)之後，不進行退火工程，於第1導電層的上面整面，蒸鍍構成保護層之第2導電層的工程(d)；及在工程(d)之後，在第1導電層與第2半導體層之間以形成歐姆連接的溫度進行退火的工程(e)。
简体摘要：利用抑制反射电极表面之空隙的发生，实现更提升光取出效率的半导体发光组件及其制造方法。具有n型或p型的第1半导体层、导电型与前述第1半导体层不同的第2半导体层、及形成在前述第1半导体层及前述第2半导体层之间的发光层之半导体发光组件的制造方法，具有：准备基板的工程(a)；于基板上，由下依序形成第1半导体层、前述发光层及前述第2半导体层的工程(b)；于第2半导体层的上层，蒸镀构成反射电极之第1导电层的工程(c)；在工程(c)之后，不进行退火工程，于第1导电层的上面整面，蒸镀构成保护层之第2导电层的工程(d)；及在工程(d)之后，在第1导电层与第2半导体层之间以形成欧姆连接的温度进行退火的工程(e)。

9. 发明专利

TW201448270A 氮化物半導體發光元件审中-公开
简体标题：氮化物半导体发光组件
公开(公告)号：TW201448270A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103100645
申请日：2014-01-08
申请人：牛尾電機股份有限公司 , USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA
发明人：月原政志 , TSUKIHARA, MASASHI , 三好晃平 , MIYOSHI, KOHEI , 杉山徹 , SUGIYAMA, TORU
IPC分类号： H01L33/30
摘要： [課題]提供抑制深層發光，提升單色性且發光效率高的氮化物半導體發光元件。[解決手段]在n型氮化物半導體層與p型氮化物半導體層之間具有發光層的氮化物半導體發光元件，其中，前述n型氮化物半導體層，係包含AlnGa1-nN(0＜n≦1)，被含有的C濃度為1×1017/cm3以下。
简体摘要： [课题]提供抑制深层发光，提升单色性且发光效率高的氮化物半导体发光组件。[解决手段]在n型氮化物半导体层与p型氮化物半导体层之间具有发光层的氮化物半导体发光组件，其中，前述n型氮化物半导体层，系包含AlnGa1-nN(0＜n≦1)，被含有的C浓度为1×1017/cm3以下。

10. 发明专利

TWI615996B 氮化物半導體發光元件有权
简体标题：氮化物半导体发光组件
公开(公告)号：TWI615996B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW104115600
申请日：2015-05-15
申请人：牛尾電機股份有限公司 , USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA
发明人：月原政志 , TSUKIHARA, MASASHI , 三好晃平 , MIYOSHI, KOHEI , 杉山徹 , SUGIYAMA, TORU
IPC分类号： H01L33/32
CPC分类号： H01L33/325 , C01B21/0602 , C23C16/303 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01L33/32

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式