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1. 发明专利

TWI398401B 微機電裝置之覆蓋構件及其製法、及由其所製成的微機電裝置封裝件有权
简体标题：微机电设备之覆盖构件及其制法、及由其所制成的微机电设备封装件
公开(公告)号：TWI398401B
公开(公告)日：2013-06-11
申请号：TW098139451
申请日：2009-11-20
申请人：欣興電子股份有限公司 , UNIMICRON TECHNOLOGY CORP. , 意法半導體公司 , STMICROELECTRONICS SRL
发明人：許詩濱 , HSU, SHIH PING , 蔡琨辰 , TSAI, KUN CHEN , 米格勒伊凡 , MICALLAEF, IVAN , 馬利歐科爾特斯 , MARIO, CORTESE , 艾索帕迪馬克A , AZZOPARDI, MARK A
IPC分类号： B81B7/00 , B81C1/00

2. 发明专利

TW201118033A 微機電裝置之覆蓋構件及其製法、及由其所製成的微機電裝置封裝件 LID, FABRICATING METHOD THEREOF, AND MEMS PACKAGE MADE THEREBY 审中-公开
简体标题：微机电设备之覆盖构件及其制法、及由其所制成的微机电设备封装件 LID, FABRICATING METHOD THEREOF, AND MEMS PACKAGE MADE THEREBY
公开(公告)号：TW201118033A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：TW098139451
申请日：2009-11-20
申请人：欣興電子股份有限公司 , 意法半導體公司
发明人：許詩濱 , 蔡琨辰 , 米格勒伊凡 , 馬利歐科爾特斯 , 艾索帕迪馬克A
IPC分类号： B81B , B81C
摘要：一種微機電裝置之覆蓋構件及其製法，係包括：第一板體，其相對兩表面上分別設有第一及第二金屬層，並具有貫穿該第一板體、第一及第二金屬層之開口；具有第三金屬層之第二板體；黏著層，係夾設於該第二及第三金屬層之間，以結合該第一與第二板體，且該開口與鄰接之第三金屬層形成具有底表面及側表面之凹部；以及第一導體層，係設於該第一金屬層及凹部上；本發明之覆蓋構件有效提升該微機電裝置之遮蔽功能。
简体摘要：一种微机电设备之覆盖构件及其制法，系包括：第一板体，其相对两表面上分别设有第一及第二金属层，并具有贯穿该第一板体、第一及第二金属层之开口；具有第三金属层之第二板体；黏着层，系夹设于该第二及第三金属层之间，以结合该第一与第二板体，且该开口与邻接之第三金属层形成具有底表面及侧表面之凹部；以及第一导体层，系设于该第一金属层及凹部上；本发明之覆盖构件有效提升该微机电设备之屏蔽功能。

3. 发明专利

TWI480991B 封裝結構及其封裝基板有权
简体标题：封装结构及其封装基板
公开(公告)号：TWI480991B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW098110981
申请日：2009-04-02
申请人：欣興電子股份有限公司 , UNIMICRON TECHNOLOGY CORP.
发明人：許詩濱 , HSU, SHIH PING
IPC分类号： H01L23/488
CPC分类号： H01L24/32 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

4. 发明专利

TWI422000B 無核心層封裝基板及其製法有权
简体标题：无内核层封装基板及其制法
公开(公告)号：TWI422000B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW099102059
申请日：2010-01-26
申请人：欣興電子股份有限公司 , UNIMICRON TECHNOLOGY CORP.
发明人：許詩濱 , HSU, SHIH PING
IPC分类号： H01L23/498 , H05K3/46

5. 发明专利

TWI421992B 封裝基板及其製法有权
简体标题：封装基板及其制法
公开(公告)号：TWI421992B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW098126317
申请日：2009-08-05
申请人：欣興電子股份有限公司 , UNIMICRON TECHNOLOGY CORP.
发明人：許詩濱 , HSU, SHIH PING
IPC分类号： H01L23/488
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014

6. 发明专利

TWI392072B 封裝基板及其製作方法有权
简体标题：封装基板及其制作方法
公开(公告)号：TWI392072B
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW099118629
申请日：2010-06-08
申请人：欣興電子股份有限公司 , UNIMICRON TECHNOLOGY CORP.
发明人：許詩濱 , HSU, SHIH PING
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60

7. 发明专利

TWI388018B 封裝結構之製法有权
简体标题：封装结构之制法
公开(公告)号：TWI388018B
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW098135717
申请日：2009-10-22
申请人：欣興電子股份有限公司 , UNIMICRON TECHNOLOGY CORP.
发明人：許詩濱 , HSU, SHIH PING
IPC分类号： H01L21/56
CPC分类号： H01L21/561 , H01L21/4857 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/85 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

8. 发明专利

TW201309124A 無核心層之封裝基板及其製法审中-公开
简体标题：无内核层之封装基板及其制法
公开(公告)号：TW201309124A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW100128439
申请日：2011-08-09
申请人：欣興電子股份有限公司 , UNIMICRON TECHNOLOGY CORP.
发明人：許詩濱 , HSU, SHIH PING , 許哲瑋 , HSU, CHE WEI , 賀聖元 , HE, SHENG YUAH
IPC分类号： H05K1/18 , H05K3/32 , H05K3/34
摘要：一種無核心層之封裝基板及其製法，該封裝基板包括第一介電層、第一線路層、複數第一電性接觸墊、線路增層結構與導電盲孔，該第一介電層具有相對之第一表面與第二表面，該第一線路層嵌埋於該第一介電層中，且係外露於該第一介電層自其第一表面開設之複數介電層開孔中，該等第一電性接觸墊係形成於各該介電層開孔中的該第一線路層上，該線路增層結構係形成於該第一介電層的第二表面上，該導電盲孔係形成於該第一介電層中，並電性連接該線路增層結構與第一線路層。相較於習知技術，本發明能有效改善習知封裝基板之結構強度與製程受限於雷射精度的問題。
简体摘要：一种无内核层之封装基板及其制法，该封装基板包括第一介电层、第一线路层、复数第一电性接触垫、线路增层结构与导电盲孔，该第一介电层具有相对之第一表面与第二表面，该第一线路层嵌埋于该第一介电层中，且系外露于该第一介电层自其第一表面开设之复数介电层开孔中，该等第一电性接触垫系形成于各该介电层开孔中的该第一线路层上，该线路增层结构系形成于该第一介电层的第二表面上，该导电盲孔系形成于该第一介电层中，并电性连接该线路增层结构与第一线路层。相较于习知技术，本发明能有效改善习知封装基板之结构强度与制程受限于激光精度的问题。

9. 发明专利

TWI384602B 嵌埋有感光半導體晶片之封裝基板及其製法有权
简体标题：嵌埋有感光半导体芯片之封装基板及其制法
公开(公告)号：TWI384602B
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW097122054
申请日：2008-06-13
申请人：欣興電子股份有限公司 , UNIMICRON TECHNOLOGY CORP.
发明人：許詩濱 , HSU, SHIH PING , 賈侃融 , CHIA, KAN JUNG
IPC分类号： H01L23/495 , H01L27/146 , H01L21/60
CPC分类号： H01L27/14618 , H01L27/14685 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014

10. 发明专利

TWI373113B 嵌埋半導體元件之電路板之製法 METHOD OF FABRICATING PRINTED CIRCUIT BOARD HAVING SEMICONDUCTOR COMPONENTS EMBEDDED THEREIN 有权
简体标题：嵌埋半导体组件之电路板之制法 METHOD OF FABRICATING PRINTED CIRCUIT BOARD HAVING SEMICONDUCTOR COMPONENTS EMBEDDED THEREIN
公开(公告)号：TWI373113B
公开(公告)日：2012-09-21
申请号：TW097128944
申请日：2008-07-31
申请人：欣興電子股份有限公司
发明人：許詩濱 , 林瑋哲
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H05K1/185 , H01L23/13 , H01L23/3128 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L2221/68345 , H01L2224/04105 , H01L2224/24227 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/14 , H01L2924/15156 , H01L2924/18162 , H05K3/4602 , H05K2201/10674
摘要：一種嵌埋半導體元件之電路板之製法，係提供一具有至少一預定開口區之承載板，於該承載板上之預定開口區的周圍形成複數貫穿之通孔，再以沖壓去除該預定開口區，以形成矩形開口；俾藉由該環設於矩形開口周圍之通孔，以利於後續半導體晶片置放於該矩形開口中、易於置放該半導體晶片、及填入固定材料於該矩形開口，使置於該矩形開口中之半導體晶片，避免後續製程造成該半導體晶片產生偏移，導致後續形成之線路電性連接至半導體晶片電性連接不良之缺失。
简体摘要：一种嵌埋半导体组件之电路板之制法，系提供一具有至少一预定开口区之承载板，于该承载板上之预定开口区的周围形成复数贯穿之通孔，再以冲压去除该预定开口区，以形成矩形开口；俾借由该环设于矩形开口周围之通孔，以利于后续半导体芯片置放于该矩形开口中、易于置放该半导体芯片、及填入固定材料于该矩形开口，使置于该矩形开口中之半导体芯片，避免后续制程造成该半导体芯片产生偏移，导致后续形成之线路电性连接至半导体芯片电性连接不良之缺失。

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