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1. 发明专利

TWI398401B 微機電裝置之覆蓋構件及其製法、及由其所製成的微機電裝置封裝件有权
简体标题：微机电设备之覆盖构件及其制法、及由其所制成的微机电设备封装件
公开(公告)号：TWI398401B
公开(公告)日：2013-06-11
申请号：TW098139451
申请日：2009-11-20
申请人：欣興電子股份有限公司 , UNIMICRON TECHNOLOGY CORP. , 意法半導體公司 , STMICROELECTRONICS SRL
发明人：許詩濱 , HSU, SHIH PING , 蔡琨辰 , TSAI, KUN CHEN , 米格勒伊凡 , MICALLAEF, IVAN , 馬利歐科爾特斯 , MARIO, CORTESE , 艾索帕迪馬克A , AZZOPARDI, MARK A
IPC分类号： B81B7/00 , B81C1/00

2. 发明专利

TW201230004A 接收端裝置中的視頻框自行刷新技術 VIDEO FRAME SELF-REFRESH IN A SINK DEVICE 审中-公开
简体标题：接收端设备中的视频框自行刷新技术 VIDEO FRAME SELF-REFRESH IN A SINK DEVICE
公开(公告)号：TW201230004A
公开(公告)日：2012-07-16
申请号：TW100118481
申请日：2011-05-26
申请人：意法半導體公司
发明人：小林治
IPC分类号： G09G , H04N
CPC分类号： G09G5/003 , G09G5/006 , G09G5/363 , G09G2320/103 , G09G2330/022 , G09G2330/08 , G09G2360/18 , G09G2370/045 , G09G2370/10
摘要：本發明的實施例係有關接收端裝置中之視頻框的自行刷新,描述了一種具有顯示面板的接收端裝置,其能夠根據來源端裝置的指示而執行視頻框自行刷新。來源端判定將保持視頻框(亦即,保持相同)。在這種情況下,框資料無需透過來源端裝置與接收端裝置之間的主鏈路而重複被傳輸。在一定時間內可以關斷主鏈路並且可以停止傳輸,從而減小裝置或系統整體的用電量。來源端透過執行CRC檢查以確保最後傳輸至接收端的框正確,並且經由視頻狀態指示符號中之位元的設定來指示接收端在接收端本地緩衝器中儲存最後傳輸的框,以及使用該框來刷新面板。當框改變時,來源端可隨後去能自行刷新。
简体摘要：本发明的实施例系有关接收端设备中之视频框的自行刷新,描述了一种具有显示皮肤的接收端设备,其能够根据来源端设备的指示而运行视频框自行刷新。来源端判定将保持视频框(亦即,保持相同)。在这种情况下,框数据无需透过来源端设备与接收端设备之间的主链路而重复被传输。在一定时间内可以关断主链路并且可以停止传输,从而减小设备或系统整体的用电量。来源端透过运行CRC检查以确保最后传输至接收端的框正确,并且经由视频状态指示符号中之比特的设置来指示接收端在接收端本地缓冲器中存储最后传输的框,以及使用该框来刷新皮肤。当框改变时,来源端可随后去能自行刷新。

3. 发明专利

TW201118033A 微機電裝置之覆蓋構件及其製法、及由其所製成的微機電裝置封裝件 LID, FABRICATING METHOD THEREOF, AND MEMS PACKAGE MADE THEREBY 审中-公开
简体标题：微机电设备之覆盖构件及其制法、及由其所制成的微机电设备封装件 LID, FABRICATING METHOD THEREOF, AND MEMS PACKAGE MADE THEREBY
公开(公告)号：TW201118033A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：TW098139451
申请日：2009-11-20
申请人：欣興電子股份有限公司 , 意法半導體公司
发明人：許詩濱 , 蔡琨辰 , 米格勒伊凡 , 馬利歐科爾特斯 , 艾索帕迪馬克A
IPC分类号： B81B , B81C
摘要：一種微機電裝置之覆蓋構件及其製法，係包括：第一板體，其相對兩表面上分別設有第一及第二金屬層，並具有貫穿該第一板體、第一及第二金屬層之開口；具有第三金屬層之第二板體；黏著層，係夾設於該第二及第三金屬層之間，以結合該第一與第二板體，且該開口與鄰接之第三金屬層形成具有底表面及側表面之凹部；以及第一導體層，係設於該第一金屬層及凹部上；本發明之覆蓋構件有效提升該微機電裝置之遮蔽功能。
简体摘要：一种微机电设备之覆盖构件及其制法，系包括：第一板体，其相对两表面上分别设有第一及第二金属层，并具有贯穿该第一板体、第一及第二金属层之开口；具有第三金属层之第二板体；黏着层，系夹设于该第二及第三金属层之间，以结合该第一与第二板体，且该开口与邻接之第三金属层形成具有底表面及侧表面之凹部；以及第一导体层，系设于该第一金属层及凹部上；本发明之覆盖构件有效提升该微机电设备之屏蔽功能。

4. 发明专利

TW201442121A 在塊狀半導體晶圓上形成鰭式場效電晶體／三閘極裝置的方法审中-公开
简体标题：在块状半导体晶圆上形成鳍式场效应管／三闸极设备的方法
公开(公告)号：TW201442121A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW102145372
申请日：2013-12-10
申请人：意法半導體公司 , STMICROELECTRONICS, INC. , 國際商業機械公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：柳青 , LIU, QING , 王俊利 , WANG, JUNLI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/823431 , H01L21/02112 , H01L21/02532 , H01L21/30604 , H01L21/308 , H01L21/82 , H01L27/0886 , H01L29/66545 , H01L29/6681
摘要：本發明說明了一種用於製造具有使鰭與基板絕緣的絕緣層的鰭式場效電晶體(finFET)裝置之方法。該絕緣層可防止沒有該絕緣層時將流經該基板中之塊狀半導體材料之漏電流。可以塊狀半導體基板開始製造該結構，而不需要絕緣層上覆半導體基板。可以磊晶生長法形成鰭結構，因而可改善該等裝置中之鰭高度的一致性。
简体摘要：本发明说明了一种用于制造具有使鳍与基板绝缘的绝缘层的鳍式场效应管(finFET)设备之方法。该绝缘层可防止没有该绝缘层时将流经该基板中之块状半导体材料之漏电流。可以块状半导体基板开始制造该结构，而不需要绝缘层上覆半导体基板。可以磊晶生长法形成鳍结构，因而可改善该等设备中之鳍高度的一致性。

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