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1. 发明专利

TW201620080A 用於非平面輸出電晶體之非平面靜電放電裝置及其共同製造审中-公开
简体标题：用于非平面输出晶体管之非平面静电放电设备及其共同制造
公开(公告)号：TW201620080A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104111393
申请日：2015-04-09
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：李建興 , LEE, JIAN-HSING , 史恩嘉卡爾 , SINGH, JAGAR , 波拉華馬鈉沙 , PRABHU, MANJUNATHA , 庫瑪爾安爾 , KUMAR, ANIL , 納塔拉恩馬哈德瓦爾 , NATARAJAN, MAHADEVA LYER , 李明華 , CHI, MIN-HWA
IPC分类号： H01L21/8249 , H01L27/02 , H01L27/06
CPC分类号： H01L27/0259
摘要：保護非平面輸出電晶體不受靜電放電(ESD)事件侵襲的技術，其包括：提供非平面半導體結構，該結構包含具有屬於n型或p型之阱的半導體基板。該所提供之非平面結構更包含耦合至該基板的一或數個增高半導體結構以及類型與該阱相反的一或數個非平面電晶體，各個電晶體係位於該一或數個增高結構的其中一個上，該一或數個非平面電晶體各自包含源極、汲極及閘極，該非平面結構更包含在該一或數個增高結構上的一或數個寄生雙載子接面電晶體(BJT)，各個BJT包含位於該增高結構上的集極及射極以及作為該阱的基極，以及包含用於該BJT之該基極的阱接觸。保護該等非平面輸出電晶體的技術更包含使該非平面電晶體之該汲極及該BJT之該集極電耦合至電路的輸出，以及使該非平面電晶體之該源極、該BJT之該射極及該阱接觸電耦合至該電路之接地。
简体摘要：保护非平面输出晶体管不受静电放电(ESD)事件侵袭的技术，其包括：提供非平面半导体结构，该结构包含具有属于n型或p型之阱的半导体基板。该所提供之非平面结构更包含耦合至该基板的一或数个增高半导体结构以及类型与该阱相反的一或数个非平面晶体管，各个晶体管系位于该一或数个增高结构的其中一个上，该一或数个非平面晶体管各自包含源极、汲极及闸极，该非平面结构更包含在该一或数个增高结构上的一或数个寄生双载子接面晶体管(BJT)，各个BJT包含位于该增高结构上的集极及射极以及作为该阱的基极，以及包含用于该BJT之该基极的阱接触。保护该等非平面输出晶体管的技术更包含使该非平面晶体管之该汲极及该BJT之该集极电耦合至电路的输出，以及使该非平面晶体管之该源极、该BJT之该射极及该阱接触电耦合至该电路之接地。

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