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1. 发明专利

TWI556965B 積層薄膜以及成型體有权
简体标题：积层薄膜以及成型体
公开(公告)号：TWI556965B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW100114046
申请日：2011-04-22
申请人：東麗股份有限公司 , TORAY INDUSTRIES, INC.
发明人：園田和衛 , SONODA, KAZUMORI , 長田俊一 , OSADA, SYUNICHI , 三村尚 , MIMURA, TAKASHI
IPC分类号： B32B27/40 , B32B27/36 , B32B27/28 , B32B27/06 , C08J3/24
CPC分类号： B32B27/08 , B32B27/283 , B32B27/36 , B32B2250/24 , B32B2307/518 , C08J7/042 , C08J2475/04 , C08J2483/02 , Y10T428/265 , Y10T428/31565 , Y10T428/31616 , Y10T428/31663 , Y10T428/31786

2. 发明专利

TWI670179B 積層薄膜有权
简体标题：积层薄膜
公开(公告)号：TWI670179B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW104138070
申请日：2015-11-18
申请人：日商東麗股份有限公司 , TORAY INDUSTRIES, INC.
发明人：合田亘 , GOUDA, WATARU , 藤本聰一 , FUJIMOTO, SOICHI , 園田和衛 , SONODA, KAZUMORI
IPC分类号： B32B7/02 , B32B27/36 , B29C55/10 , B29C71/02 , G02B5/30 , B29L7/00 , B29L9/00

3. 发明专利

TW201627144A 積層薄膜审中-公开
简体标题：积层薄膜
公开(公告)号：TW201627144A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104138070
申请日：2015-11-18
申请人：東麗股份有限公司 , TORAY INDUSTRIES, INC.
发明人：合田亘 , GOUDA, WATARU , 藤本聰一 , FUJIMOTO, SOICHI , 園田和衛 , SONODA, KAZUMORI
IPC分类号： B32B7/02 , B32B27/36 , B29C55/10 , B29C71/02 , G02B5/30 , B29L7/00 , B29L9/00
CPC分类号： B29C55/02 , B32B7/02 , B32B27/36 , G02B5/30
摘要：本發明係藉由如下積層薄膜而提供一種可較佳地用於液晶顯示器之偏光板、尤其是在安裝於大畫面之液晶顯示器時無色不均而為高品質的積層薄膜，此種積層薄膜係於厚度方向上積層有3層以上者，且面內方向相位差(Re)為0~400nm，厚度方向相位差(Rth)為0~1500nm，Re之偏差於寬度方向上為18%以下，該積層薄膜之薄膜厚度為40μm以下，薄膜之寬度為400mm以上者。
简体摘要：本发明系借由如下积层薄膜而提供一种可较佳地用于液晶显示器之偏光板、尤其是在安装于大画面之液晶显示器时无色不均而为高品质的积层薄膜，此种积层薄膜系于厚度方向上积层有3层以上者，且面内方向相位差(Re)为0~400nm，厚度方向相位差(Rth)为0~1500nm，Re之偏差于宽度方向上为18%以下，该积层薄膜之薄膜厚度为40μm以下，薄膜之宽度为400mm以上者。

4. 发明专利

TW201331035A 積層薄膜审中-公开
简体标题：积层薄膜
公开(公告)号：TW201331035A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101148561
申请日：2012-12-20
申请人：東麗股份有限公司 , TORAY INDUSTRIES, INC.
发明人：園田和衛 , SONODA, KAZUMORI , 長田俊一 , OSADA, SYUNICHI , 三村尚 , MIMURA, TAKASHI , 增田嘉丈 , MASUDA, YOSHIHIRO , 三羽規文 , MIWA, NORIFUMI , 桐本高代志 , KIRIMOTO, TAKAYOSHI , 尾關一平 , OZEKI, IPPEI
IPC分类号： B32B27/40
CPC分类号： C09J9/00 , C08F2/50 , C08F299/065 , C08J7/047 , C08J2475/16
摘要：本發明係提供一種損傷恢復性與耐污染性均良好之適於成型用途的積層聚酯薄膜。本發明係一種積層薄膜，其係於基材薄膜之至少一側具有A層的積層薄膜，A層所包含的樹脂具有(1)(聚)己內酯鏈段、以及(2)胺基甲酸酯鍵，在顯微硬度計測定中，施加0.5mN荷重10秒鐘時的A層之厚度方向的最大位移量為1.0~3.0μm，A層之厚度方向的潛變(creep)位移量為0.2~0.5μm，釋放荷重直到0mN時的A層之厚度方向的永久位移量為0.3~0.65μm。
简体摘要：本发明系提供一种损伤恢复性与耐污染性均良好之适于成型用途的积层聚酯薄膜。本发明系一种积层薄膜，其系于基材薄膜之至少一侧具有A层的积层薄膜，A层所包含的树脂具有(1)(聚)己内酯链段、以及(2)胺基甲酸酯键，在显微硬度计测定中，施加0.5mN荷重10秒钟时的A层之厚度方向的最大位移量为1.0~3.0μm，A层之厚度方向的潜变(creep)位移量为0.2~0.5μm，释放荷重直到0mN时的A层之厚度方向的永久位移量为0.3~0.65μm。

5. 发明专利

TWI589439B 積層薄膜及成型體有权
简体标题：积层薄膜及成型体
公开(公告)号：TWI589439B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW101117220
申请日：2012-05-15
申请人：東麗股份有限公司 , TORAY INDUSTRIES, INC.
发明人：增田嘉丈 , MASUDA, YOSHIHIRO , 長田俊一 , OSADA, SYUNICHI , 園田和衛 , SONODA, KAZUMORI , 三村尚 , MIMURA, TAKASHI
IPC分类号： B32B27/36 , B32B27/40 , B32B33/00 , G06F3/041
CPC分类号： C08L75/06 , B32B27/00 , B32B27/36 , B32B27/40 , B32B2307/762 , B32B2457/208 , C08G18/4063 , C08G18/4277 , C08G18/6295 , C08G18/7831 , C08G18/792 , C08J7/047 , C08J2375/04 , C08J2483/04 , C08L83/04

6. 发明专利

TW201609392A 多層積層薄膜审中-公开
简体标题：多层积层薄膜
公开(公告)号：TW201609392A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104123631
申请日：2015-07-22
申请人：東麗股份有限公司 , TORAY INDUSTRIES, INC.
发明人：園田和衛 , SONODA, KAZUMORI , 增田嘉丈 , MASUDA, YOSHIHIRO , 合田亘 , GOUDA, WATARU , 坂本純 , SAKAMOTO, JUN , 宇都孝行 , UTO, TAKAYUKI
IPC分类号： B32B27/36 , B32B7/02
CPC分类号： B32B27/36 , C08G63/189 , G02B5/26
摘要：本發明提供一種反射特定頻寬之光的多層積層薄膜，不發生使用聚萘二甲酸乙二酯樹脂時造成問題之層間剝離。一種多層積層薄膜，其係A層與B層交互積層至少201層以上之多層積層薄膜，A層係由主要重複單元為2,6-萘二甲酸乙二酯之聚酯A所構成，B層係由主要重複單元為對酞酸乙二酯之聚酯B所構成，聚酯B之折射率低於構成A層之聚酯的折射率，其特徵在於聚酯A滿足以下要件：(1)羧酸末端基含量為5eq/ton以上20eq/ton以下；(2)含有磷酸鹼金屬鹽1.3mol/ton以上3.0mol/ton以下，且含有相對於磷酸鹼金屬鹽為0.4倍以上1.5倍以下莫耳比之磷酸；(3)固有黏度為0.55以上0.63以下。
简体摘要：本发明提供一种反射特定带宽之光的多层积层薄膜，不发生使用聚萘二甲酸乙二酯树脂时造成问题之层间剥离。一种多层积层薄膜，其系A层与B层交互积层至少201层以上之多层积层薄膜，A层系由主要重复单元为2,6-萘二甲酸乙二酯之聚酯A所构成，B层系由主要重复单元为对酞酸乙二酯之聚酯B所构成，聚酯B之折射率低于构成A层之聚酯的折射率，其特征在于聚酯A满足以下要件：(1)羧酸末端基含量为5eq/ton以上20eq/ton以下；(2)含有磷酸碱金属盐1.3mol/ton以上3.0mol/ton以下，且含有相对于磷酸碱金属盐为0.4倍以上1.5倍以下莫耳比之磷酸；(3)固有黏度为0.55以上0.63以下。

7. 发明专利

TWI673166B 積層薄膜有权
简体标题：积层薄膜
公开(公告)号：TWI673166B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW101148561
申请日：2012-12-20
申请人：日商東麗股份有限公司 , TORAY INDUSTRIES, INC.
发明人：園田和衛 , SONODA, KAZUMORI , 長田俊一 , OSADA, SYUNICHI , 三村尚 , MIMURA, TAKASHI , 增田嘉丈 , MASUDA, YOSHIHIRO , 三羽規文 , MIWA, NORIFUMI , 桐本高代志 , KIRIMOTO, TAKAYOSHI , 尾關一平 , OZEKI, IPPEI
IPC分类号： B32B27/40

8. 发明专利

TW201300237A 積層薄膜及成型體审中-公开
简体标题：积层薄膜及成型体
公开(公告)号：TW201300237A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW101117220
申请日：2012-05-15
申请人：東麗股份有限公司 , TORAY INDUSTRIES, INC.
发明人：增田嘉丈 , MASUDA, YOSHIHIRO , 長田俊一 , OSADA, SYUNICHI , 園田和衛 , SONODA, KAZUMORI , 三村尚 , MIMURA, TAKASHI
IPC分类号： B32B27/36 , B32B27/40 , B32B33/00 , G06F3/041
CPC分类号： C08L75/06 , B32B27/00 , B32B27/36 , B32B27/40 , B32B2307/762 , B32B2457/208 , C08G18/4063 , C08G18/4277 , C08G18/6295 , C08G18/7831 , C08G18/792 , C08J7/047 , C08J2375/04 , C08J2483/04 , C08L83/04
摘要：提供一種積層薄膜，具有成型時追蹤性與自我修復性優良且耐污染性優異之自我修復層。一種積層薄膜，係於基材薄膜之至少單側具有A層者，其特徵在於該A層具有(1)(聚)己內酯片段及(2)胺甲酸酯鍵結，且，蒸餾水於該A層上之接觸角為95°以上小於120°，二溴甲烷於該A層上之接觸角為70°以上小於87°。
简体摘要：提供一种积层薄膜，具有成型时追踪性与自我修复性优良且耐污染性优异之自我修复层。一种积层薄膜，系于基材薄膜之至少单侧具有A层者，其特征在于该A层具有(1)(聚)己内酯片段及(2)胺甲酸酯键结，且，蒸馏水于该A层上之接触角为95°以上小于120°，二溴甲烷于该A层上之接触角为70°以上小于87°。

9. 发明专利

TW201206705A 積層薄膜以及成型體审中-公开
简体标题：积层薄膜以及成型体
公开(公告)号：TW201206705A
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：TW100114046
申请日：2011-04-22
申请人：東麗股份有限公司
发明人：園田和衛 , 長田俊一 , 三村尚
IPC分类号： B32B , C08J
CPC分类号： B32B27/08 , B32B27/283 , B32B27/36 , B32B2250/24 , B32B2307/518 , C08J7/042 , C08J2475/04 , C08J2483/02 , Y10T428/265 , Y10T428/31565 , Y10T428/31616 , Y10T428/31663 , Y10T428/31786
摘要：本發明之第1積層薄膜為一種積層薄膜，係於基材薄膜之至少單側具有A層者，該A層具有(1)聚己內酯段、(2)聚矽氧烷段及/或聚二甲基矽氧烷段、(3)胺甲酸酯鍵結，且A層之玻璃轉移溫度為-30~0℃。本發明之第2積層薄膜為一種積層薄膜，係於基材薄膜之至少單側具有A層者，該A層具有(1)聚己內酯段、(2)聚矽氧烷段及/或聚二甲基矽氧烷段、(3)胺甲酸酯鍵結，且A層在溫度10℃之刮痕之回復時間為3秒以下。本發明之第3積層薄膜為一種積層薄膜，係於基材薄膜之至少單側具有B層者，該B層具有聚己內酯段與胺甲酸酯鍵結，且B層在80℃~150℃之平均裂斷延性為65%以上。本發明之積層薄膜具有良好的成型時追蹤性或自行復原性，及低溫時之自行復原性。本發明之積層薄膜可使用在同時需要成型性與自行復原性之用途。
简体摘要：本发明之第1积层薄膜为一种积层薄膜，系于基材薄膜之至少单侧具有A层者，该A层具有(1)聚己内酯段、(2)聚硅氧烷段及/或聚二甲基硅氧烷段、(3)胺甲酸酯键结，且A层之玻璃转移温度为-30~0℃。本发明之第2积层薄膜为一种积层薄膜，系于基材薄膜之至少单侧具有A层者，该A层具有(1)聚己内酯段、(2)聚硅氧烷段及/或聚二甲基硅氧烷段、(3)胺甲酸酯键结，且A层在温度10℃之刮痕之回复时间为3秒以下。本发明之第3积层薄膜为一种积层薄膜，系于基材薄膜之至少单侧具有B层者，该B层具有聚己内酯段与胺甲酸酯键结，且B层在80℃~150℃之平均裂断延性为65%以上。本发明之积层薄膜具有良好的成型时追踪性或自行复原性，及低温时之自行复原性。本发明之积层薄膜可使用在同时需要成型性与自行复原性之用途。

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