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    • 5. 发明专利
    • 積層薄膜以及成型體
    • 积层薄膜以及成型体
    • TW201206705A
    • 2012-02-16
    • TW100114046
    • 2011-04-22
    • 東麗股份有限公司
    • 園田和衛長田俊一三村尚
    • B32BC08J
    • B32B27/08B32B27/283B32B27/36B32B2250/24B32B2307/518C08J7/042C08J2475/04C08J2483/02Y10T428/265Y10T428/31565Y10T428/31616Y10T428/31663Y10T428/31786
    • 本發明之第1積層薄膜為一種積層薄膜,係於基材薄膜之至少單側具有A層者,該A層具有(1)聚己內酯段、(2)聚矽氧烷段及/或聚二甲基矽氧烷段、(3)胺甲酸酯鍵結,且A層之玻璃轉移溫度為-30~0℃。本發明之第2積層薄膜為一種積層薄膜,係於基材薄膜之至少單側具有A層者,該A層具有(1)聚己內酯段、(2)聚矽氧烷段及/或聚二甲基矽氧烷段、(3)胺甲酸酯鍵結,且A層在溫度10℃之刮痕之回復時間為3秒以下。本發明之第3積層薄膜為一種積層薄膜,係於基材薄膜之至少單側具有B層者,該B層具有聚己內酯段與胺甲酸酯鍵結,且B層在80℃~150℃之平均裂斷延性為65%以上。本發明之積層薄膜具有良好的成型時追蹤性或自行復原性,及低溫時之自行復原性。本發明之積層薄膜可使用在同時需要成型性與自行復原性之用途。
    • 本发明之第1积层薄膜为一种积层薄膜,系于基材薄膜之至少单侧具有A层者,该A层具有(1)聚己内酯段、(2)聚硅氧烷段及/或聚二甲基硅氧烷段、(3)胺甲酸酯键结,且A层之玻璃转移温度为-30~0℃。本发明之第2积层薄膜为一种积层薄膜,系于基材薄膜之至少单侧具有A层者,该A层具有(1)聚己内酯段、(2)聚硅氧烷段及/或聚二甲基硅氧烷段、(3)胺甲酸酯键结,且A层在温度10℃之刮痕之回复时间为3秒以下。本发明之第3积层薄膜为一种积层薄膜,系于基材薄膜之至少单侧具有B层者,该B层具有聚己内酯段与胺甲酸酯键结,且B层在80℃~150℃之平均裂断延性为65%以上。本发明之积层薄膜具有良好的成型时追踪性或自行复原性,及低温时之自行复原性。本发明之积层薄膜可使用在同时需要成型性与自行复原性之用途。