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1. 发明专利

TWI691845B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI691845B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW106104202
申请日：2017-02-09
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：伊東幹彦 , ITO, MIKIHIKO , 小柳勝 , KOYANAGI, MASARU
IPC分类号： G06F13/16 , G11C16/06 , G11C5/00

2. 发明专利

TW202011210A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW202011210A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108123308
申请日：2017-02-09
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：伊東幹彦 , ITO, MIKIHIKO , 小柳勝 , KOYANAGI, MASARU
IPC分类号： G06F13/16 , G11C16/06 , G11C5/00
摘要：本發明之實施形態提供一種可提高動作可靠性之半導體裝置。實施形態之半導體裝置具有：複數個第1輸入輸出電路，其等用於第1通道；複數個第1輸入輸出墊，其等各自對應於複數個第1輸入輸出電路；複數個第2輸入輸出電路，其等用於第1通道；複數個第2輸入輸出墊，其等各自對應於複數個第2輸入輸出電路；及輸入電路，其配置於複數個第1輸入輸出墊之行與複數個第2輸入輸出墊之行之間，進行將來自複數個第1輸入輸出電路及複數個第2輸入輸出電路之資料向記憶體之輸入。於記憶體中，基於輸入之時脈信號之上升及下降，而取得自複數個第1輸入輸出墊及複數個第2輸入輸出墊向記憶體輸入之資料。
简体摘要：本发明之实施形态提供一种可提高动作可靠性之半导体设备。实施形态之半导体设备具有：复数个第1输入输出电路，其等用于第1信道；复数个第1输入输出垫，其等各自对应于复数个第1输入输出电路；复数个第2输入输出电路，其等用于第1信道；复数个第2输入输出垫，其等各自对应于复数个第2输入输出电路；及输入电路，其配置于复数个第1输入输出垫之行与复数个第2输入输出垫之行之间，进行将来自复数个第1输入输出电路及复数个第2输入输出电路之数据向内存之输入。于内存中，基于输入之时脉信号之上升及下降，而取得自复数个第1输入输出垫及复数个第2输入输出垫向内存输入之数据。

3. 发明专利

TW201836125A 半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201836125A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107102648
申请日：2018-01-25
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：小柳勝 , KOYANAGI, MASARU
IPC分类号： H01L27/115
摘要：本發明之實施形態提供一種能降低製造成本之半導體記憶裝置。一實施形態之半導體記憶裝置具備：第1基板；第1元件層，其設置於上述第1基板之上表面上；第2基板；及第2元件層，其設置於上述第2基板之上表面上。上述第1基板包含第1通孔。上述第1元件層包含與上述第1通孔電性連接且設置於上述第1元件層之上表面上之第1焊墊，上述第2基板包含第2通孔。上述第2元件層包含與上述第2通孔電性連接且設置於上述第2元件層之上表面上之第2焊墊。上述第2元件層之上表面對向地設置於上位第1元件層之上表面上。上述第1焊墊及上述第2焊墊相對於上述第1元件層及上述第2元件層相對向之面而對稱地設置，且相互電性連接。
简体摘要：本发明之实施形态提供一种能降低制造成本之半导体记忆设备。一实施形态之半导体记忆设备具备：第1基板；第1组件层，其设置于上述第1基板之上表面上；第2基板；及第2组件层，其设置于上述第2基板之上表面上。上述第1基板包含第1通孔。上述第1组件层包含与上述第1通孔电性连接且设置于上述第1组件层之上表面上之第1焊垫，上述第2基板包含第2通孔。上述第2组件层包含与上述第2通孔电性连接且设置于上述第2组件层之上表面上之第2焊垫。上述第2组件层之上表面对向地设置于上位第1组件层之上表面上。上述第1焊垫及上述第2焊垫相对于上述第1组件层及上述第2组件层相对向之面而对称地设置，且相互电性连接。

4. 发明专利

TW201832234A 半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201832234A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106122996
申请日：2017-07-10
申请人：東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：稲垣真野 , INAGAKI, MAYA , 小柳勝 , KOYANAGI, MASARU
IPC分类号： G11C7/24 , G11C5/14
摘要：本發明之實施形態係提供一種能夠使電源通電時流動之貫通電流減少之半導體記憶裝置。一實施形態之半導體記憶裝置具備包含電源保護電路之晶片，該電源保護電路包含第1至第3焊墊、電阻、電容器、反相器、以及第1及第2電晶體。第2及第3焊墊分別被供給第1及第2電壓。電阻係第1端連接於第2焊墊。電容器第1端連接於電阻之第2端。第1電晶體第1端連接於第2焊墊，第2端連接於具有基於電容器之第1端之電壓之值之信號的節點，且閘極連接於第1焊墊。反相器係輸入端連接於第1電晶體之第2端。第2電晶體係連接於第2焊墊與第3焊墊之間，且閘極連接於反相器之輸出端。
简体摘要：本发明之实施形态系提供一种能够使电源通电时流动之贯通电流减少之半导体记忆设备。一实施形态之半导体记忆设备具备包含电源保护电路之芯片，该电源保护电路包含第1至第3焊垫、电阻、电容器、反相器、以及第1及第2晶体管。第2及第3焊垫分别被供给第1及第2电压。电阻系第1端连接于第2焊垫。电容器第1端连接于电阻之第2端。第1晶体管第1端连接于第2焊垫，第2端连接于具有基于电容器之第1端之电压之值之信号的节点，且闸极连接于第1焊垫。反相器系输入端连接于第1晶体管之第2端。第2晶体管系连接于第2焊垫与第3焊垫之间，且闸极连接于反相器之输出端。

5. 发明专利

TW201823999A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201823999A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106104202
申请日：2017-02-09
申请人：東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：伊東幹彦 , ITO, MIKIHIKO , 小柳勝 , KOYANAGI, MASARU
IPC分类号： G06F13/16 , G11C16/06 , G11C5/00
摘要：本發明之實施形態提供一種可提高動作可靠性之半導體裝置。實施形態之半導體裝置具有：複數個第1輸入輸出電路，其等用於第1通道；複數個第1輸入輸出墊，其等各自對應於複數個第1輸入輸出電路；複數個第2輸入輸出電路，其等用於第1通道；複數個第2輸入輸出墊，其等各自對應於複數個第2輸入輸出電路；及輸入電路，其配置於複數個第1輸入輸出墊之行與複數個第2輸入輸出墊之行之間，進行將來自複數個第1輸入輸出電路及複數個第2輸入輸出電路之資料向記憶體之輸入。於記憶體中，基於輸入之時脈信號之上升及下降，而取得自複數個第1輸入輸出墊及複數個第2輸入輸出墊向記憶體輸入之資料。
简体摘要：本发明之实施形态提供一种可提高动作可靠性之半导体设备。实施形态之半导体设备具有：复数个第1输入输出电路，其等用于第1信道；复数个第1输入输出垫，其等各自对应于复数个第1输入输出电路；复数个第2输入输出电路，其等用于第1信道；复数个第2输入输出垫，其等各自对应于复数个第2输入输出电路；及输入电路，其配置于复数个第1输入输出垫之行与复数个第2输入输出垫之行之间，进行将来自复数个第1输入输出电路及复数个第2输入输出电路之数据向内存之输入。于内存中，基于输入之时脉信号之上升及下降，而取得自复数个第1输入输出垫及复数个第2输入输出垫向内存输入之数据。

6. 发明专利

TWI687936B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI687936B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW107124451
申请日：2018-07-16
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：平嶋康伯 , HIRASHIMA, YASUHIRO , 小柳勝 , KOYANAGI, MASARU , 伊東幹彦 , ITO, MIKIHIKO , 白石圭 , SHIRAISHI, KEI , 渡邊郁弥 , WATANABE, FUMIYA
IPC分类号： G11C7/10 , G11C16/06

7. 发明专利

TWI671753B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI671753B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW106146556
申请日：2017-12-29
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：平嶋康伯 , HIRASHIMA, YASUHIRO , 小柳勝 , KOYANAGI, MASARU , 高山豊 , TAKAYAMA, YUTAKA
IPC分类号： G11C7/10

8. 发明专利

TWI648801B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI648801B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW106126197
申请日：2017-08-03
申请人：東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：河崎一茂 , KAWASAKI, KAZUSHIGE , 伊東幹彦 , ITO, MIKIHIKO , 小柳勝 , KOYANAGI, MASARU
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/768

10. 发明专利

TWI701556B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI701556B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW108123308
申请日：2017-02-09
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：伊東幹彦 , ITO, MIKIHIKO , 小柳勝 , KOYANAGI, MASARU
IPC分类号： G06F13/16 , G11C16/06 , G11C5/00

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