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1. 发明专利

TW200731331A 圖案形成方法及半導體裝置之製造方法失效
简体标题：图案形成方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW200731331A
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：TW095114890
申请日：2006-04-26
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：伊藤信一 ITO, SHINICHI , 松永健太郎 MATSUNAGA, KENTARO , 河村大輔 KAWAMURA, DAISUKE , 大西廉伸 ONISHI, YASUNOBU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G03F7/2041 , G03F7/11 , Y10S430/162
摘要：本發明係關於一種圖案形成方法,其係包含:於被加工膜上形成感光性樹脂膜;在上述感光性樹脂膜上以塗佈法形成保護上述感光性樹脂膜用的保護膜;介由浸潤液選擇性地對上述感光性樹脂膜之一部分區域浸潤式曝光,上述浸潤液係供給至上述感光性樹脂膜上;在形成上述保護膜後、且於含上述感光性樹脂膜的一部分區域選擇性地浸潤式曝光前,自上述保護膜去除對上述浸潤液具親和性部位之殘留物質;去除上述保護膜;以及選擇性地去除上述感光性樹脂膜的曝光區域或非曝光區域,藉此形成含上述感光性樹脂膜之圖案。
简体摘要：本发明系关于一种图案形成方法,其系包含:于被加工膜上形成感光性树脂膜;在上述感光性树脂膜上以涂布法形成保护上述感光性树脂膜用的保护膜;介由浸润液选择性地对上述感光性树脂膜之一部分区域浸润式曝光,上述浸润液系供给至上述感光性树脂膜上;在形成上述保护膜后、且于含上述感光性树脂膜的一部分区域选择性地浸润式曝光前,自上述保护膜去除对上述浸润液具亲和性部位之残留物质;去除上述保护膜;以及选择性地去除上述感光性树脂膜的曝光区域或非曝光区域,借此形成含上述感光性树脂膜之图案。

2. 发明专利

TW200735180A 半導體裝置之製造方法失效
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW200735180A
公开(公告)日：2007-09-16
申请号：TW096101320
申请日：2007-01-12
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：伊藤信一 ITO, SHINICHI , 松永健太郎 MATSUNAGA, KENTARO , 河村大輔 KAWAMURA, DAISUKE
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G03D3/08 , G03B27/42 , G03F7/70341
摘要：本發明之半導體裝置之製造方法包含:液浸移動曝光步驟,該液浸移動曝光步驟使液體介於被實施曝光處理之被曝光基板與進行上述曝光處理之曝光裝置之投影光學系統之間,並且一面使上述被曝光基板對於上述投影光學系統相對移動,一面對設定於上述被曝光基板之表面上之複數個曝光區域進行上述曝光處理;第一液浸移動步驟,該第一液浸移動步驟於上述各曝光區域中鄰接之上述各曝光區域間,一面使液體介於上述被曝光基板與上述投影光學系統之間,一面使上述被曝光基板對於上述投影光學系統相對移動而不進行上述曝光處理;以及第二液浸移動步驟,該第二液浸移動步驟於大於上述第一液浸移動步驟中之移動距離之距離中,一面使上述液體介於上述被曝光基板與上述投影光學系統之間,一面以小於上述第一液浸移動步驟中之移動速度的速度使上述被曝光基板對於上述投影光學系統相對移動而不進行上述曝光處理。
简体摘要：本发明之半导体设备之制造方法包含:液浸移动曝光步骤,该液浸移动曝光步骤使液体介于被实施曝光处理之被曝光基板与进行上述曝光处理之曝光设备之投影光学系统之间,并且一面使上述被曝光基板对于上述投影光学系统相对移动,一面对设置于上述被曝光基板之表面上之复数个曝光区域进行上述曝光处理;第一液浸移动步骤,该第一液浸移动步骤于上述各曝光区域中邻接之上述各曝光区域间,一面使液体介于上述被曝光基板与上述投影光学系统之间,一面使上述被曝光基板对于上述投影光学系统相对移动而不进行上述曝光处理;以及第二液浸移动步骤,该第二液浸移动步骤于大于上述第一液浸移动步骤中之移动距离之距离中,一面使上述液体介于上述被曝光基板与上述投影光学系统之间,一面以小于上述第一液浸移动步骤中之移动速度的速度使上述被曝光基板对于上述投影光学系统相对移动而不进行上述曝光处理。

3. 发明专利

TWI290339B 液浸曝光方法、液浸型曝光裝置及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：液浸曝光方法、液浸型曝光设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI290339B
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：TW094143393
申请日：2005-12-08
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：松永健太郎 MATSUNAGA, KENTARO , 河野拓也 KONO, TAKUYA , 伊藤信一 ITO, SHINICHI
IPC分类号： H01L , G03F
CPC分类号： G03F7/70341
摘要：本發明之液浸曝光方法，其係在使用液體將被實施曝光處理之被處理基板與進行上述曝光處理之曝光裝置之投影光學系統間之至少一部分充填下，並且進行上述曝光處理，且包含：使上述被處理基板中被實施上述曝光處理之側之主面中至少外緣部與上述液體之接觸角，大於上述曝光裝置所具有之支持上述被處理基板之基板支持體中支持上述被處理基板之側的表面中，鄰接於上述被處理基板外緣部之區域與上述液體之接觸角；及進行上述曝光處理。
简体摘要：本发明之液浸曝光方法，其系在使用液体将被实施曝光处理之被处理基板与进行上述曝光处理之曝光设备之投影光学系统间之至少一部分充填下，并且进行上述曝光处理，且包含：使上述被处理基板中被实施上述曝光处理之侧之主面中至少外缘部与上述液体之接触角，大于上述曝光设备所具有之支持上述被处理基板之基板支持体中支持上述被处理基板之侧的表面中，邻接于上述被处理基板外缘部之区域与上述液体之接触角；及进行上述曝光处理。

4. 发明专利

TW200739675A 基板處理方法、基板處理裝置及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：基板处理方法、基板处理设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW200739675A
公开(公告)日：2007-10-16
申请号：TW096101322
申请日：2007-01-12
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：鹽原英志 SHIOBARA, EISHI , 松永健太郎 MATSUNAGA, KENTARO , 河村大輔 KAWAMURA, DAISUKE , 竹石知之 TAKEISHI, TOMOYUKI , 早崎圭 HAYASAKI, KEI , 伊藤信一 ITO, SHINICHI
IPC分类号： H01L , G03F
CPC分类号： G03F7/70341 , Y10S430/162
摘要：本發明之基板處理方法,其係在使液體介於被實施曝光處理之被處理基板與進行前述曝光處理之曝光裝置之投影光學系統之間下,被進行前述曝光處理之液浸曝光中所用的前述被處理基板之實施前述曝光處理側之第1主面上設置抗蝕膜之前,至少對前述第1主面之相反側之第2主面中從周緣部起之預定範圍內之區域選擇性地實施疏水化處理。
简体摘要：本发明之基板处理方法,其系在使液体介于被实施曝光处理之被处理基板与进行前述曝光处理之曝光设备之投影光学系统之间下,被进行前述曝光处理之液浸曝光中所用的前述被处理基板之实施前述曝光处理侧之第1主面上设置抗蚀膜之前,至少对前述第1主面之相反侧之第2主面中从周缘部起之预定范围内之区域选择性地实施疏水化处理。

5. 发明专利

TW200633010A 液浸曝光方法、液浸型曝光裝置及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：液浸曝光方法、液浸型曝光设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW200633010A
公开(公告)日：2006-09-16
申请号：TW094143393
申请日：2005-12-08
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：松永健太郎 MATSUNAGA, KENTARO , 河野拓也 KONO, TAKUYA , 伊藤信一 ITO, SHINICHI
IPC分类号： H01L , G03F
CPC分类号： G03F7/70341
摘要：本發明之液浸曝光方法，其係在使用液體將被實施曝光處理之被處理基板與進行上述曝光處理之曝光裝置之投影光學系統間之至少一部分充填下，並且進行上述曝光處理，且包含：使上述被處理基板中被實施上述曝光處理之側之主面中至少外緣部與上述液體之接觸角，大於上述曝光裝置所具有之支持上述被處理基板之基板支持體中支持上述被處理基板之側的表面中，鄰接於上述被處理基板外緣部之區域與上述液體之接觸角；及進行上述曝光處理。
简体摘要：本发明之液浸曝光方法，其系在使用液体将被实施曝光处理之被处理基板与进行上述曝光处理之曝光设备之投影光学系统间之至少一部分充填下，并且进行上述曝光处理，且包含：使上述被处理基板中被实施上述曝光处理之侧之主面中至少外缘部与上述液体之接触角，大于上述曝光设备所具有之支持上述被处理基板之基板支持体中支持上述被处理基板之侧的表面中，邻接于上述被处理基板外缘部之区域与上述液体之接触角；及进行上述曝光处理。

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