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1. 发明专利

TWI606574B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI606574B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW104106719
申请日：2015-03-03
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：小野昇太郎 , ONO, SYOTARO , 浦秀幸 , URA, HIDEYUKI , 志村昌洋 , SHIMURA, MASAHIRO , 山下浩明 , YAMASHITA, HIROAKI
IPC分类号： H01L27/10 , H01L27/105

2. 发明专利

TWI595649B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI595649B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：TW104128930
申请日：2015-09-02
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：山下浩明 , YAMASHITA, HIROAKI , 小野昇太郎 , ONO, SYOTARO , 浦秀幸 , URA, HIDEYUKI , 志村昌洋 , SHIMURA, MASAHIRO
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/66 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/0696 , H01L29/0634 , H01L29/0688 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/66712 , H01L29/7802

3. 发明专利

TW201635474A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201635474A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104129068
申请日：2015-09-02
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：泉沢優 , IZUMISAWA, MASARU , 石橋弘 , ISHIBASHI, HIROSHI , 大田浩史 , OHTA, HIROSHI , 佐伯秀一 , SAEKI, HIDEKAZU , 奧畠隆嗣 , OKUHATA, TAKASHI , 小野昇太郎 , ONO, SYOTARO
IPC分类号： H01L23/58
CPC分类号： H01L29/7395 , H01L29/0619 , H01L29/063 , H01L29/0638 , H01L29/083 , H01L29/1095 , H01L29/404 , H01L29/42356
摘要：實施形態之半導體裝置具有第1導電型之第1半導體區域、第2導電型之第2半導體區域、第1導電型之第3半導體區域、第1電極、第1絕緣層、及第2電極。第1半導體區域具有第1區域與第2區域。第2區域設置於第1區域之周圍。第2半導體區域設置於第1半導體區域上。第3半導體區域設置於第1半導體區域上。第1電極設置於第3半導體區域上。第1電極與第3半導體區域電性連接。第1絕緣層設置於第1電極上。第2電極設置於第2半導體區域上。第2電極與第2半導體區域電性連接。第2電極之一部分位於第1絕緣層上。
简体摘要：实施形态之半导体设备具有第1导电型之第1半导体区域、第2导电型之第2半导体区域、第1导电型之第3半导体区域、第1电极、第1绝缘层、及第2电极。第1半导体区域具有第1区域与第2区域。第2区域设置于第1区域之周围。第2半导体区域设置于第1半导体区域上。第3半导体区域设置于第1半导体区域上。第1电极设置于第3半导体区域上。第1电极与第3半导体区域电性连接。第1绝缘层设置于第1电极上。第2电极设置于第2半导体区域上。第2电极与第2半导体区域电性连接。第2电极之一部分位于第1绝缘层上。

4. 发明专利

TW201613061A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201613061A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104107307
申请日：2015-03-06
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：山下浩明 , YAMASHITA, HIROAKI , 小野昇太郎 , ONO, SYOTARO , 浦秀幸 , URA, HIDEYUKI , 泉澤優 , IZUMISAWA, MASARU
IPC分类号： H01L23/58
CPC分类号： H01L29/0634 , H01L29/0692 , H01L29/1095 , H01L29/404 , H01L29/66348 , H01L29/66734 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/7813
摘要：本發明之實施形態提供一種能夠降低終端區域中之半導體區域表面之電場之半導體裝置。實施形態之半導體裝置具有第1導電形之第1半導體區域、第2導電形之第2半導體區域、元件區域、及終端區域。第2半導體區域設置於第1半導體區域內。元件區域具有第2導電形之第3半導體區域、第1導電形之第4半導體區域、及閘極電極。閘極電極介隔閘極絕緣層而與第3半導體區域及第4半導體區域相鄰。終端區域具有第1電極。終端區域包圍元件區域。第1電極具有於第1方向延伸之第1部分、及於第2方向延伸之第2部分。第1電極於第1半導體區域上及第2半導體區域上設置有複數個。於第2方向相鄰之第1部分之間隔較於第1方向相鄰之第2部分之間隔窄。
简体摘要：本发明之实施形态提供一种能够降低终端区域中之半导体区域表面之电场之半导体设备。实施形态之半导体设备具有第1导电形之第1半导体区域、第2导电形之第2半导体区域、组件区域、及终端区域。第2半导体区域设置于第1半导体区域内。组件区域具有第2导电形之第3半导体区域、第1导电形之第4半导体区域、及闸极电极。闸极电极介隔闸极绝缘层而与第3半导体区域及第4半导体区域相邻。终端区域具有第1电极。终端区域包围组件区域。第1电极具有于第1方向延伸之第1部分、及于第2方向延伸之第2部分。第1电极于第1半导体区域上及第2半导体区域上设置有复数个。于第2方向相邻之第1部分之间隔较于第1方向相邻之第2部分之间隔窄。

5. 发明专利

TW201631758A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201631758A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW104128930
申请日：2015-09-02
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：山下浩明 , YAMASHITA, HIROAKI , 小野昇太郎 , ONO, SYOTARO , 浦秀幸 , URA, HIDEYUKI , 志村昌洋 , SHIMURA, MASAHIRO
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/66 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/0696 , H01L29/0634 , H01L29/0688 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/66712 , H01L29/7802
摘要：實施形態之半導體裝置具有第1導電型之第1半導體區域、第2導電型之第2半導體區域、第2導電型之第3半導體區域、第2導電型之第4半導體區域、第1導電型之第5半導體區域及閘極電極。第1半導體區域沿第1方向延伸。第1半導體區域於與第1方向正交之第2方向設置有複數個。第1半導體區域與第2半導體區域於第2方向交替地設置。第3半導體區域設置於第2半導體區域上。第3半導體區域之第2導電型之雜質濃度高於第2半導體區域之第2導電型之雜質濃度。閘極電極沿與包含第1方向及第2方向之面平行且與第1方向交叉之第3方向延伸。
简体摘要：实施形态之半导体设备具有第1导电型之第1半导体区域、第2导电型之第2半导体区域、第2导电型之第3半导体区域、第2导电型之第4半导体区域、第1导电型之第5半导体区域及闸极电极。第1半导体区域沿第1方向延伸。第1半导体区域于与第1方向正交之第2方向设置有复数个。第1半导体区域与第2半导体区域于第2方向交替地设置。第3半导体区域设置于第2半导体区域上。第3半导体区域之第2导电型之杂质浓度高于第2半导体区域之第2导电型之杂质浓度。闸极电极沿与包含第1方向及第2方向之面平行且与第1方向交叉之第3方向延伸。

6. 发明专利

TW201613071A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201613071A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104106383
申请日：2015-02-26
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：大田浩史 , OHTA, HIROSHI , 泉澤優 , IZUMISAWA, MASARU , 小野昇太郎 , ONO, SYOTARO , 山下浩明 , YAMASHITA, HIROAKI , 奧田隆嗣 , OKUHATA, TAKASHI
IPC分类号： H01L27/10 , H01L27/105 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/0634 , H01L29/0692 , H01L29/1095 , H01L29/66348 , H01L29/66439 , H01L29/66712 , H01L29/66734 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/7813
摘要：本發明之實施形態係提供一種可一面抑制導通電阻之增加，一面提昇突崩耐量之半導體裝置及其製造方法。實施形態之半導體裝置包含：第1導電形之第1半導體區域、元件區域、包圍元件區域之終端區域、及第2電極。元件區域包含：第2導電形之第2半導體區域、第2導電形之第3半導體區域、第1導電形之第4半導體區域、閘極電極、及第1電極。終端區域具有第2導電形之第5半導體區域、及第2導電形之第6半導體區域。第5半導體區域係設置於第1半導體區域內。第5半導體區域係於第2方向上設置有複數個。第6半導體區域係設置於第1半導體區域與第5半導體區域之間。第6半導體區域之第2導電形之雜質濃度高於第5半導體區域之第2導電形之雜質濃度。
简体摘要：本发明之实施形态系提供一种可一面抑制导通电阻之增加，一面提升突崩耐量之半导体设备及其制造方法。实施形态之半导体设备包含：第1导电形之第1半导体区域、组件区域、包围组件区域之终端区域、及第2电极。组件区域包含：第2导电形之第2半导体区域、第2导电形之第3半导体区域、第1导电形之第4半导体区域、闸极电极、及第1电极。终端区域具有第2导电形之第5半导体区域、及第2导电形之第6半导体区域。第5半导体区域系设置于第1半导体区域内。第5半导体区域系于第2方向上设置有复数个。第6半导体区域系设置于第1半导体区域与第5半导体区域之间。第6半导体区域之第2导电形之杂质浓度高于第5半导体区域之第2导电形之杂质浓度。

7. 发明专利

TW201605021A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201605021A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104106719
申请日：2015-03-03
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：小野昇太郎 , ONO, SYOTARO , 浦秀幸 , URA, HIDEYUKI , 志村昌洋 , SHIMURA, MASAHIRO , 山下浩明 , YAMASHITA, HIROAKI
IPC分类号： H01L27/10 , H01L27/105
摘要：實施形態之半導體裝置包括第1半導體區域、複數個第2半導體區域、複數個第3半導體區域、複數個第4半導體區域、第5半導體區域、及閘極電極。第2半導體區域具有較第1半導體區域之第1導電型之雜質濃度高之第1導電型之雜質濃度。第3半導體區域包含第1部分、及第2部分。第1部分設置於相鄰之第2半導體區域之間。第1部分之第2導電型之雜質量較相鄰之第2半導體區域所含有之第1導電型之雜質量大。第2部分設置於第1半導體區域中。第2部分之第2導電型之雜質量較相鄰之第1半導體區域所含有之第1導電型之雜質量小。
简体摘要：实施形态之半导体设备包括第1半导体区域、复数个第2半导体区域、复数个第3半导体区域、复数个第4半导体区域、第5半导体区域、及闸极电极。第2半导体区域具有较第1半导体区域之第1导电型之杂质浓度高之第1导电型之杂质浓度。第3半导体区域包含第1部分、及第2部分。第1部分设置于相邻之第2半导体区域之间。第1部分之第2导电型之杂质量较相邻之第2半导体区域所含有之第1导电型之杂质量大。第2部分设置于第1半导体区域中。第2部分之第2导电型之杂质量较相邻之第1半导体区域所含有之第1导电型之杂质量小。

8. 发明专利

TWI470768B 半導體裝置失效
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI470768B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：TW100109008
申请日：2011-03-16
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：齋藤涉 , SAITO, WATARU , 小野昇太郎 , ONO, SYOTARO , 谷內俊治 , TANIUCHI, SHUNJI , 渡邊美穗 , WATANABE, MIHO , 山下浩明 , YAMASHITA, HIROAKI
IPC分类号： H01L27/085 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/0865 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/42372 , H01L29/66734

9. 发明专利

TWI462294B 半導體元件及其製造方法有权
简体标题：半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI462294B
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：TW100133227
申请日：2011-09-15
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：小野昇太郎 , ONO, SYOTARO , 齋藤涉 , SAITO, WATARU , 谷內俊治 , TANIUCHI, SHUNJI , 渡邊美穗 , WATANABE, MIHO , 山下浩明 , YAMASHITA, HIROAKI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28

10. 发明专利

TW201635523A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201635523A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104128906
申请日：2015-09-02
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：山下浩明 , YAMASHITA, HIROAKI , 小野昇太郎 , ONO, SYOTARO , 浦秀幸 , URA, HIDEYUKI , 志村昌洋 , SHIMURA, MASAHIRO
IPC分类号： H01L29/15 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/0634 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/086 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/7397 , H01L29/7813
摘要：實施形態之半導體裝置具有第1導電型之第1半導體層、第2導電型之複數個第2半導體區域、第2導電型之第3半導體區域、第1導電型之第4半導體區域、閘極電極、絕緣層、以及第1電極。第1半導體層具有複數個第1半導體區域。各個第2半導體區域設置於第1半導體區域彼此之間。第3半導體區域設置於第2半導體區域上。第4半導體區域設置於第3半導體區域上。絕緣層設置於閘極電極與第3半導體區域之間。第1電極具有第1部分與第2部分。第1部分連接於第1半導體區域。第2部分相對於第1部分設置於第4半導體區域側。第1電極設置於第1半導體區域上及第2半導體區域上。第1電極設置於第4半導體區域之周圍。
简体摘要：实施形态之半导体设备具有第1导电型之第1半导体层、第2导电型之复数个第2半导体区域、第2导电型之第3半导体区域、第1导电型之第4半导体区域、闸极电极、绝缘层、以及第1电极。第1半导体层具有复数个第1半导体区域。各个第2半导体区域设置于第1半导体区域彼此之间。第3半导体区域设置于第2半导体区域上。第4半导体区域设置于第3半导体区域上。绝缘层设置于闸极电极与第3半导体区域之间。第1电极具有第1部分与第2部分。第1部分连接于第1半导体区域。第2部分相对于第1部分设置于第4半导体区域侧。第1电极设置于第1半导体区域上及第2半导体区域上。第1电极设置于第4半导体区域之周围。

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