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1. 发明专利

TW201633506A 半導體記憶裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体记忆设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201633506A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104107969
申请日：2015-03-12
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：加藤龍也 , KATO, TATSUYA , 荒井史隆 , ARAI, FUMITAKA , 關根克行 , SEKINE, KATSUYUKI , 岩本敏幸 , IWAMOTO, TOSHIYUKI , 渡邊優太 , WATANABE, YUTA , 坂本涉 , SAKAMOTO, WATARU
IPC分类号： H01L27/10 , H01L27/115 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/42324 , H01L21/28273 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L29/7883
摘要：本發明之實施形態提供一種可靠性較高之半導體記憶裝置及其製造方法。實施形態之半導體記憶裝置包括一對第1電極、半導體柱、柱間絕緣構件、第1絕緣膜、第2電極、及第2絕緣膜。上述一對第1電極係相互隔離而沿第1方向延伸。上述半導體柱及上述柱間絕緣構件係於上述一對第1電極間沿上述第1方向交替地排列。上述半導體柱及上述柱間絕緣構件係沿相對於上述第1方向交叉之第2方向延伸。上述第1絕緣膜設置於上述半導體柱之周圍。上述第2電極設置於上述一對第1電極之各者與上述第1絕緣膜之間。上述第2電極未設置於上述半導體柱與上述柱間絕緣構件之間。上述第2絕緣膜設置於上述第2電極與上述第1電極之間。
简体摘要：本发明之实施形态提供一种可靠性较高之半导体记忆设备及其制造方法。实施形态之半导体记忆设备包括一对第1电极、半导体柱、柱间绝缘构件、第1绝缘膜、第2电极、及第2绝缘膜。上述一对第1电极系相互隔离而沿第1方向延伸。上述半导体柱及上述柱间绝缘构件系于上述一对第1电极间沿上述第1方向交替地排列。上述半导体柱及上述柱间绝缘构件系沿相对于上述第1方向交叉之第2方向延伸。上述第1绝缘膜设置于上述半导体柱之周围。上述第2电极设置于上述一对第1电极之各者与上述第1绝缘膜之间。上述第2电极未设置于上述半导体柱与上述柱间绝缘构件之间。上述第2绝缘膜设置于上述第2电极与上述第1电极之间。

2. 发明专利

TWI591770B 半導體記憶裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体记忆设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI591770B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW104107973
申请日：2015-03-12
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：加藤龍也 , KATO, TATSUYA , 荒井史隆 , ARAI, FUMITAKA , 關根克行 , SEKINE, KATSUYUKI , 岩本敏幸 , IWAMOTO, TOSHIYUKI , 渡邊優太 , WATANABE, YUTA , 坂本涉 , SAKAMOTO, WATARU , 糸川寬志 , ITOKAWA, HIROSHI
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/11556 , H01L27/11521 , H01L29/42324 , H01L29/512 , H01L29/517 , H01L29/66825

3. 发明专利

TW201539724A 半導體記憶體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体内存设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201539724A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104100803
申请日：2015-01-09
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：坂本涉 , SAKAMOTO, WATARU , 鈴木亮太 , SUZUKI, RYOTA , 岡本達也 , OKAMOTO, TATSUYA , 加藤龍也 , KATO, TATSUYA , 荒井史隆 , ARAI, FUMITAKA
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L27/11556 , G11C16/0408 , G11C16/24 , G11C16/30 , H01L23/528 , H01L27/11519 , H01L29/0649 , H01L29/66825 , H01L29/7926
摘要：根據一項實施例，一種半導體記憶體裝置包括：一基板；一半導體支柱，其提供於該基板上以在一垂直方向上延伸；複數個第一電極膜，其提供於該半導體支柱側方以在一第一方向上延伸。該複數個第一電極膜經安置為沿著該垂直方向彼此分離。該半導體記憶體裝置進一步包括提供於該半導體支柱與該等第一電極膜之間的複數個第二電極膜。該複數個第二電極膜經安置為沿著該垂直方向彼此分離。該半導體記憶體裝置進一步包括：提供於該半導體支柱與該等第二電極膜之間的一第一絕緣膜；及提供於該第二電極膜與該第一電極膜之間的一第二絕緣膜。
简体摘要：根据一项实施例，一种半导体内存设备包括：一基板；一半导体支柱，其提供于该基板上以在一垂直方向上延伸；复数个第一电极膜，其提供于该半导体支柱侧方以在一第一方向上延伸。该复数个第一电极膜经安置为沿着该垂直方向彼此分离。该半导体内存设备进一步包括提供于该半导体支柱与该等第一电极膜之间的复数个第二电极膜。该复数个第二电极膜经安置为沿着该垂直方向彼此分离。该半导体内存设备进一步包括：提供于该半导体支柱与该等第二电极膜之间的一第一绝缘膜；及提供于该第二电极膜与该第一电极膜之间的一第二绝缘膜。

4. 发明专利

TW201633465A 半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201633465A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104111476
申请日：2015-04-09
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：坂本涉 , SAKAMOTO, WATARU , 加藤龍也 , KATO, TATSUYA , 渡邊優太 , WATANABE, YUTA , 關根克行 , SEKINE, KATSUYUKI , 岩本敏幸 , IWAMOTO, TOSHIYUKI , 荒井史隆 , ARAI, FUMITAKA
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L27/11556 , H01L23/528 , H01L27/11521
摘要：本發明之實施形態係提供容易製造且可靠性較高之半導體記憶裝置。實施形態之半導體記憶裝置包含：第1及第2半導體支柱，其等係於第1方向延伸，並沿著相對第1方向交叉之第2方向排列；第1及第2配線，其等設置於上述第1半導體支柱與上述第2半導體支柱之間，並於相對上述第1方向及上述第2方向兩者交叉之第3方向延伸；第1電極，其設置於上述第1半導體支柱與上述第1配線之間；第2電極，其設置於上述第2半導體支柱與上述第2配線之間；第3及第4配線，其等係於上述第2方向延伸，並分別通過上述第1半導體支柱之正上區域及第2半導體支柱之正上區域兩者；第1接觸器，其接觸於上述第1半導體支柱，並連接於上述第3配線；及第2接觸器，其接觸於上述第2半導體支柱，並連接於上述第4配線。
简体摘要：本发明之实施形态系提供容易制造且可靠性较高之半导体记忆设备。实施形态之半导体记忆设备包含：第1及第2半导体支柱，其等系于第1方向延伸，并沿着相对第1方向交叉之第2方向排列；第1及第2配线，其等设置于上述第1半导体支柱与上述第2半导体支柱之间，并于相对上述第1方向及上述第2方向两者交叉之第3方向延伸；第1电极，其设置于上述第1半导体支柱与上述第1配线之间；第2电极，其设置于上述第2半导体支柱与上述第2配线之间；第3及第4配线，其等系于上述第2方向延伸，并分别通过上述第1半导体支柱之正上区域及第2半导体支柱之正上区域两者；第1接触器，其接触于上述第1半导体支柱，并连接于上述第3配线；及第2接触器，其接触于上述第2半导体支柱，并连接于上述第4配线。

5. 发明专利

TW201631710A 半導體記憶裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体记忆设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201631710A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW104107092
申请日：2015-03-05
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：關根克行 , SEKINE, KATSUYUKI , 加藤龍也 , KATO, TATSUYA , 荒井史隆 , ARAI, FUMITAKA , 岩本敏幸 , IWAMOTO, TOSHIYUKI , 渡邊優太 , WATANABE, YUTA , 坂本涉 , SAKAMOTO, WATARU , 糸川寬志 , ITOKAWA, HIROSHI , 金子明生 , KANEKO, AKIO
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/11556 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02181 , H01L21/02271 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L21/28273 , H01L21/28562 , H01L21/28568 , H01L21/3065 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/76801 , H01L27/11519 , H01L29/1037 , H01L29/42324 , H01L29/456 , H01L29/4958 , H01L29/4966 , H01L29/4975 , H01L29/513 , H01L29/515 , H01L29/517 , H01L29/66666 , H01L29/7827 , H01L29/7883 , H01L29/7889
摘要：本發明之實施形態提供一種可靠性較高之半導體記憶裝置及其製造方法。實施形態之半導體記憶裝置具備：半導體柱，其沿第1方向延伸；第1電極，其沿相對於上述第1方向交叉之第2方向延伸；第2電極，其設置於上述半導體柱與上述第1電極之間；第1絕緣膜，其設置於上述半導體柱與上述第2電極之間；第2絕緣膜，其設置於上述第1電極與上述第2電極之間及上述第1電極之上述第1方向兩側；及導電膜，其設置於上述第2電極與上述第2絕緣膜之間，且未與上述第1絕緣膜相接。
简体摘要：本发明之实施形态提供一种可靠性较高之半导体记忆设备及其制造方法。实施形态之半导体记忆设备具备：半导体柱，其沿第1方向延伸；第1电极，其沿相对于上述第1方向交叉之第2方向延伸；第2电极，其设置于上述半导体柱与上述第1电极之间；第1绝缘膜，其设置于上述半导体柱与上述第2电极之间；第2绝缘膜，其设置于上述第1电极与上述第2电极之间及上述第1电极之上述第1方向两侧；及导电膜，其设置于上述第2电极与上述第2绝缘膜之间，且未与上述第1绝缘膜相接。

6. 发明专利

TW201633464A 半導體記憶裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体记忆设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201633464A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104107973
申请日：2015-03-12
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：加藤龍也 , KATO, TATSUYA , 荒井史隆 , ARAI, FUMITAKA , 關根克行 , SEKINE, KATSUYUKI , 岩本敏幸 , IWAMOTO, TOSHIYUKI , 渡邊優太 , WATANABE, YUTA , 坂本涉 , SAKAMOTO, WATARU , 糸川寬志 , ITOKAWA, HIROSHI
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/11556 , H01L27/11521 , H01L29/42324 , H01L29/512 , H01L29/517 , H01L29/66825
摘要：本發明之實施形態提供一種容易製造且可靠性較高之半導體記憶裝置及其製造方法。實施形態之半導體記憶裝置包括：半導體支柱，其沿第1方向延伸；第1電極，其沿相對於上述第1方向交叉之第2方向延伸；第2電極，其設置於上述半導體支柱與上述第1電極之間；第1絕緣膜，其設置於上述第1電極與上述第2電極之間、及上述第1電極之上述第1方向兩側；第2絕緣膜，其設置於上述第2電極與上述第1絕緣膜之間、及上述第2電極之上述第1方向兩側；第3絕緣膜，其設置於上述第2電極與上述半導體支柱之間；及導電膜，其設置於夾於上述第1絕緣膜與上述第2絕緣膜之間之區域內。
简体摘要：本发明之实施形态提供一种容易制造且可靠性较高之半导体记忆设备及其制造方法。实施形态之半导体记忆设备包括：半导体支柱，其沿第1方向延伸；第1电极，其沿相对于上述第1方向交叉之第2方向延伸；第2电极，其设置于上述半导体支柱与上述第1电极之间；第1绝缘膜，其设置于上述第1电极与上述第2电极之间、及上述第1电极之上述第1方向两侧；第2绝缘膜，其设置于上述第2电极与上述第1绝缘膜之间、及上述第2电极之上述第1方向两侧；第3绝缘膜，其设置于上述第2电极与上述半导体支柱之间；及导电膜，其设置于夹于上述第1绝缘膜与上述第2绝缘膜之间之区域内。

7. 发明专利

TWI596742B 半導體記憶裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体记忆设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI596742B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW104107969
申请日：2015-03-12
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：加藤龍也 , KATO, TATSUYA , 荒井史隆 , ARAI, FUMITAKA , 關根克行 , SEKINE, KATSUYUKI , 岩本敏幸 , IWAMOTO, TOSHIYUKI , 渡邊優太 , WATANABE, YUTA , 坂本涉 , SAKAMOTO, WATARU
IPC分类号： H01L27/10 , H01L27/115 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/42324 , H01L21/28273 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L29/7883

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