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1. 发明专利

TW201742103A 薄型ＳｉＣ晶圓之製造方法及薄型ＳｉＣ晶圓审中-公开
简体标题：薄型ＳｉＣ晶圆之制造方法及薄型ＳｉＣ晶圆
公开(公告)号：TW201742103A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105133290
申请日：2016-10-14
申请人：東洋炭素股份有限公司 , TOYO TANSO CO., LTD.
发明人：鳥見聡 , TORIMI, SATOSHI , 篠原正人 , SHINOHARA, MASATO , 寺元陽次 , TERAMOTO, YOUJI , 矢吹紀人 , YABUKI, NORIHITO , 野上暁 , NOGAMI, SATORU , 北畠真 , KITABATAKE, MAKOTO
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L21/02008 , H01L21/02016 , H01L21/02019 , H01L21/0475 , H01L21/304 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L23/544 , H01L2223/54433
摘要：提供一種薄型SiC晶圓之製造方法，其能以不產生龜裂等之方法薄化加工SiC晶圓，並可省略SiC晶圓之厚度調整後之研磨。於此薄型SiC晶圓(40)之製造方法中，包含有一薄化步驟，其藉由進行利用在Si蒸氣壓下對自晶錠(4)切取後的SiC晶圓(40)進行加熱而蝕刻表面之Si蒸氣壓蝕刻，將厚度減小至100μm以下。
简体摘要：提供一种薄型SiC晶圆之制造方法，其能以不产生龟裂等之方法薄化加工SiC晶圆，并可省略SiC晶圆之厚度调整后之研磨。于此薄型SiC晶圆(40)之制造方法中，包含有一薄化步骤，其借由进行利用在Si蒸气压下对自晶锭(4)切取后的SiC晶圆(40)进行加热而蚀刻表面之Si蒸气压蚀刻，将厚度减小至100μm以下。

2. 发明专利

TW201903225A 改質碳化矽晶圓的製造方法、附磊晶層的碳化矽晶圓、其之製造方法、及表面處理方法审中-公开
简体标题：改质碳化硅晶圆的制造方法、附磊晶层的碳化硅晶圆、其之制造方法、及表面处理方法
公开(公告)号：TW201903225A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107109782
申请日：2018-03-22
申请人：日商東洋炭素股份有限公司 , TOYO TANSO CO., LTD.
发明人：鳥見聡 , TORIMI, SATOSHI , 須藤悠介 , SUDO, YUSUKE , 篠原正人 , SHINOHARA, MASATO , 寺元陽次 , TERAMOTO, YOUJI , 坂口卓也 , SAKAGUCHI, TAKUYA , 野上暁 , NOGAMI, SATORU , 北畠真 , KITABATAKE, MAKOTO
IPC分类号： C30B29/36 , H01L21/205
摘要：於改質碳化矽晶圓(41)的製造方法(碳化矽晶圓的表面處理方法)中，且於製造改質碳化矽晶圓(41)的方法中進行以下的表面改質步驟，其中，該改質碳化矽晶圓(41)，係對形成磊晶層(42)之前的處理前碳化矽晶圓(40)進行處理而將表面改質者。即，處理前碳化矽晶圓(40)含有平行於(0001)面的差排即BPD及TED，且以處理前碳化矽晶圓(40)之表面的屬BPD的部分在磊晶層(42)的形成時作為TED進行傳播的比例變高的方式使表面的性質變化。
简体摘要：于改质碳化硅晶圆(41)的制造方法(碳化硅晶圆的表面处理方法)中，且于制造改质碳化硅晶圆(41)的方法中进行以下的表面改质步骤，其中，该改质碳化硅晶圆(41)，系对形成磊晶层(42)之前的处理前碳化硅晶圆(40)进行处理而将表面改质者。即，处理前碳化硅晶圆(40)含有平行于(0001)面的差排即BPD及TED，且以处理前碳化硅晶圆(40)之表面的属BPD的部分在磊晶层(42)的形成时作为TED进行传播的比例变高的方式使表面的性质变化。

3. 发明专利

TW202007801A ＳｉＣ晶圓之製造方法审中-公开
简体标题：ＳｉＣ晶圆之制造方法
公开(公告)号：TW202007801A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108126323
申请日：2019-07-25
申请人：日商東洋炭素股份有限公司 , TOYO TANSO CO., LTD.
发明人：矢吹紀人 , YABUKI, NORIHITO , 中島祐治 , NAKASHIMA, YUJI , 坂口卓也 , SAKAGUCHI, TAKUYA , 野上暁 , NOGAMI, SATORU , 北畠真 , KITABATAKE, MAKOTO
IPC分类号： C30B33/12 , H01L21/304 , H01L21/306
摘要：於SiC晶圓(40)之製造方法中，進行去除產生於SiC晶圓(40)之表面及其內部的加工變質層之加工變質層去除步驟，製造去除了至少一部分該加工變質層之SiC晶圓(40)。於加工變質層去除步驟中，藉由在Si蒸氣壓力下進行加熱，對研磨步驟後之SiC晶圓(40)進行蝕刻量為10μm以下的蝕刻，以去除加工變質層，其中，於上述研磨步驟中，一面使用氧化劑於SiC晶圓(40)上產生反應生成物，一面使用研磨砂粒去除該反應生成物。於研磨步驟後之SiC晶圓(40)上，起因於加工變質層而會於較該加工變質層更深之內部產生內部應力，藉由利用加工變質層去除步驟去除該加工變質層，以減小SiC晶圓(40)之內部應力。
简体摘要：于SiC晶圆(40)之制造方法中，进行去除产生于SiC晶圆(40)之表面及其内部的加工变质层之加工变质层去除步骤，制造去除了至少一部分该加工变质层之SiC晶圆(40)。于加工变质层去除步骤中，借由在Si蒸气压力下进行加热，对研磨步骤后之SiC晶圆(40)进行蚀刻量为10μm以下的蚀刻，以去除加工变质层，其中，于上述研磨步骤中，一面使用氧化剂于SiC晶圆(40)上产生反应生成物，一面使用研磨砂粒去除该反应生成物。于研磨步骤后之SiC晶圆(40)上，起因于加工变质层而会于较该加工变质层更深之内部产生内部应力，借由利用加工变质层去除步骤去除该加工变质层，以减小SiC晶圆(40)之内部应力。

4. 发明专利

TW201907035A 碳化矽晶圓的製造方法、磊晶晶圓的製造方法及磊晶晶圓审中-公开
简体标题：碳化硅晶圆的制造方法、磊晶晶圆的制造方法及磊晶晶圆
公开(公告)号：TW201907035A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107117651
申请日：2018-05-24
申请人：日商東洋炭素股份有限公司 , TOYO TANSO CO., LTD.
发明人：鳥見聡 , TORIMI, SATOSHI , 篠原正人 , SHINOHARA, MASATO , 寺元陽次 , TERAMOTO, YOUJI , 坂口卓也 , SAKAGUCHI, TAKUYA , 矢吹紀人 , YABUKI, NORIHITO , 野上暁 , NOGAMI, SATORU , 北畠真 , KITABATAKE, MAKOTO
IPC分类号： C23C16/02 , C23C16/42 , C30B29/36 , C30B33/12 , H01L21/205
摘要：本發明之碳化矽晶圓(40)的製造方法，係對形成磊晶層(41)之前的碳化矽晶圓(40)進行包含以下之外周面損傷去除步驟的處理。於外周面損傷去除步驟中，將形成磊晶層(41)的面作為主面，其相反側的面作為背面，且將連接主面與背面的面作為外周面時，藉由在Si蒸氣壓力下加熱碳化矽晶圓(40)的至少外周面，以去除該外周面的加工損傷。
简体摘要：本发明之碳化硅晶圆(40)的制造方法，系对形成磊晶层(41)之前的碳化硅晶圆(40)进行包含以下之外周面损伤去除步骤的处理。于外周面损伤去除步骤中，将形成磊晶层(41)的面作为主面，其相反侧的面作为背面，且将连接主面与背面的面作为外周面时，借由在Si蒸气压力下加热碳化硅晶圆(40)的至少外周面，以去除该外周面的加工损伤。

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