专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI697576B 基座及其製造方法有权
简体标题：基座及其制造方法
公开(公告)号：TWI697576B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW104118935
申请日：2015-06-11
申请人：日商東洋炭素股份有限公司 , TOYO TANSO CO., LTD.
发明人：篠原正人 , SHINOHARA, MASATO , 阿部純久 , ABE, YOSHIHISA , 野上暁 , NOGAMI, SATORU
IPC分类号： C23C16/32 , C30B25/00

2. 发明专利

TWI663298B ＳｉＣ（碳化矽）基板之表面處理方法、ＳｉＣ基板及半導體之製造方法有权
简体标题：ＳｉＣ（碳化硅）基板之表面处理方法、ＳｉＣ基板及半导体之制造方法
公开(公告)号：TWI663298B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW104109743
申请日：2015-03-26
申请人：日商東洋炭素股份有限公司 , TOYO TANSO CO., LTD.
发明人：鳥見聡 , TORIMI, SATOSHI , 矢吹紀人 , YABUKI, NORIHITO , 野上暁 , NOGAMI, SATORU
IPC分类号： C30B33/00 , C30B29/36 , C30B29/64 , H01L21/302

3. 发明专利

TW201903225A 改質碳化矽晶圓的製造方法、附磊晶層的碳化矽晶圓、其之製造方法、及表面處理方法审中-公开
简体标题：改质碳化硅晶圆的制造方法、附磊晶层的碳化硅晶圆、其之制造方法、及表面处理方法
公开(公告)号：TW201903225A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107109782
申请日：2018-03-22
申请人：日商東洋炭素股份有限公司 , TOYO TANSO CO., LTD.
发明人：鳥見聡 , TORIMI, SATOSHI , 須藤悠介 , SUDO, YUSUKE , 篠原正人 , SHINOHARA, MASATO , 寺元陽次 , TERAMOTO, YOUJI , 坂口卓也 , SAKAGUCHI, TAKUYA , 野上暁 , NOGAMI, SATORU , 北畠真 , KITABATAKE, MAKOTO
IPC分类号： C30B29/36 , H01L21/205
摘要：於改質碳化矽晶圓(41)的製造方法(碳化矽晶圓的表面處理方法)中，且於製造改質碳化矽晶圓(41)的方法中進行以下的表面改質步驟，其中，該改質碳化矽晶圓(41)，係對形成磊晶層(42)之前的處理前碳化矽晶圓(40)進行處理而將表面改質者。即，處理前碳化矽晶圓(40)含有平行於(0001)面的差排即BPD及TED，且以處理前碳化矽晶圓(40)之表面的屬BPD的部分在磊晶層(42)的形成時作為TED進行傳播的比例變高的方式使表面的性質變化。
简体摘要：于改质碳化硅晶圆(41)的制造方法(碳化硅晶圆的表面处理方法)中，且于制造改质碳化硅晶圆(41)的方法中进行以下的表面改质步骤，其中，该改质碳化硅晶圆(41)，系对形成磊晶层(42)之前的处理前碳化硅晶圆(40)进行处理而将表面改质者。即，处理前碳化硅晶圆(40)含有平行于(0001)面的差排即BPD及TED，且以处理前碳化硅晶圆(40)之表面的属BPD的部分在磊晶层(42)的形成时作为TED进行传播的比例变高的方式使表面的性质变化。

4. 发明专利

TW202007801A ＳｉＣ晶圓之製造方法审中-公开
简体标题：ＳｉＣ晶圆之制造方法
公开(公告)号：TW202007801A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108126323
申请日：2019-07-25
申请人：日商東洋炭素股份有限公司 , TOYO TANSO CO., LTD.
发明人：矢吹紀人 , YABUKI, NORIHITO , 中島祐治 , NAKASHIMA, YUJI , 坂口卓也 , SAKAGUCHI, TAKUYA , 野上暁 , NOGAMI, SATORU , 北畠真 , KITABATAKE, MAKOTO
IPC分类号： C30B33/12 , H01L21/304 , H01L21/306
摘要：於SiC晶圓(40)之製造方法中，進行去除產生於SiC晶圓(40)之表面及其內部的加工變質層之加工變質層去除步驟，製造去除了至少一部分該加工變質層之SiC晶圓(40)。於加工變質層去除步驟中，藉由在Si蒸氣壓力下進行加熱，對研磨步驟後之SiC晶圓(40)進行蝕刻量為10μm以下的蝕刻，以去除加工變質層，其中，於上述研磨步驟中，一面使用氧化劑於SiC晶圓(40)上產生反應生成物，一面使用研磨砂粒去除該反應生成物。於研磨步驟後之SiC晶圓(40)上，起因於加工變質層而會於較該加工變質層更深之內部產生內部應力，藉由利用加工變質層去除步驟去除該加工變質層，以減小SiC晶圓(40)之內部應力。
简体摘要：于SiC晶圆(40)之制造方法中，进行去除产生于SiC晶圆(40)之表面及其内部的加工变质层之加工变质层去除步骤，制造去除了至少一部分该加工变质层之SiC晶圆(40)。于加工变质层去除步骤中，借由在Si蒸气压力下进行加热，对研磨步骤后之SiC晶圆(40)进行蚀刻量为10μm以下的蚀刻，以去除加工变质层，其中，于上述研磨步骤中，一面使用氧化剂于SiC晶圆(40)上产生反应生成物，一面使用研磨砂粒去除该反应生成物。于研磨步骤后之SiC晶圆(40)上，起因于加工变质层而会于较该加工变质层更深之内部产生内部应力，借由利用加工变质层去除步骤去除该加工变质层，以减小SiC晶圆(40)之内部应力。

5. 发明专利

TWI671438B ＳｉＣ（碳化矽）種晶之加工變質層的除去方法、ＳｉＣ種晶及ＳｉＣ基板之製造方法有权
简体标题：ＳｉＣ（碳化硅）种晶之加工变质层的除去方法、ＳｉＣ种晶及ＳｉＣ基板之制造方法
公开(公告)号：TWI671438B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW104109741
申请日：2015-03-26
申请人：日商東洋炭素股份有限公司 , TOYO TANSO CO., LTD.
发明人：矢吹紀人 , YABUKI, NORIHITO , 鳥見聡 , TORIMI, SATOSHI , 野上暁 , NOGAMI, SATORU
IPC分类号： C30B19/04 , C30B29/36 , C30B33/12

6. 发明专利

TW201907050A 承載盤、磊晶基板的製造方法及磊晶基板审中-公开
简体标题：承载盘、磊晶基板的制造方法及磊晶基板
公开(公告)号：TW201907050A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107116144
申请日：2018-05-11
申请人：日商東洋炭素股份有限公司 , TOYO TANSO CO., LTD.
发明人：坂口卓也 , SAKAGUCHI, TAKUYA , 篠原正人 , SHINOHARA, MASATO , 野上暁 , NOGAMI, SATORU
IPC分类号： C23C16/458 , C30B29/36 , H01L21/683
摘要：本發明之承載盤，係於碳化矽基板的主面形成磊晶層時用以載置該碳化矽基板的構件。於該承載盤形成有支撐面(22)及凹部(30)。支撐面(22)係形成於較承載盤上面(11)低的位置，且支撐碳化矽基板之背面的外周部。凹部(30)係形成於較支撐面(22)更靠徑向的內側，至少表面由碳化鉭構成，且深度係於磊晶層的形成處理時不會與碳化矽基板的背面接觸的深度。
简体摘要：本发明之承载盘，系于碳化硅基板的主面形成磊晶层时用以载置该碳化硅基板的构件。于该承载盘形成有支撑面(22)及凹部(30)。支撑面(22)系形成于较承载盘上面(11)低的位置，且支撑碳化硅基板之背面的外周部。凹部(30)系形成于较支撑面(22)更靠径向的内侧，至少表面由碳化钽构成，且深度系于磊晶层的形成处理时不会与碳化硅基板的背面接触的深度。

7. 发明专利

TW201907035A 碳化矽晶圓的製造方法、磊晶晶圓的製造方法及磊晶晶圓审中-公开
简体标题：碳化硅晶圆的制造方法、磊晶晶圆的制造方法及磊晶晶圆
公开(公告)号：TW201907035A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107117651
申请日：2018-05-24
申请人：日商東洋炭素股份有限公司 , TOYO TANSO CO., LTD.
发明人：鳥見聡 , TORIMI, SATOSHI , 篠原正人 , SHINOHARA, MASATO , 寺元陽次 , TERAMOTO, YOUJI , 坂口卓也 , SAKAGUCHI, TAKUYA , 矢吹紀人 , YABUKI, NORIHITO , 野上暁 , NOGAMI, SATORU , 北畠真 , KITABATAKE, MAKOTO
IPC分类号： C23C16/02 , C23C16/42 , C30B29/36 , C30B33/12 , H01L21/205
摘要：本發明之碳化矽晶圓(40)的製造方法，係對形成磊晶層(41)之前的碳化矽晶圓(40)進行包含以下之外周面損傷去除步驟的處理。於外周面損傷去除步驟中，將形成磊晶層(41)的面作為主面，其相反側的面作為背面，且將連接主面與背面的面作為外周面時，藉由在Si蒸氣壓力下加熱碳化矽晶圓(40)的至少外周面，以去除該外周面的加工損傷。
简体摘要：本发明之碳化硅晶圆(40)的制造方法，系对形成磊晶层(41)之前的碳化硅晶圆(40)进行包含以下之外周面损伤去除步骤的处理。于外周面损伤去除步骤中，将形成磊晶层(41)的面作为主面，其相反侧的面作为背面，且将连接主面与背面的面作为外周面时，借由在Si蒸气压力下加热碳化硅晶圆(40)的至少外周面，以去除该外周面的加工损伤。

8. 发明专利

TW201604308A 基座及其製造方法审中-公开
简体标题：基座及其制造方法
公开(公告)号：TW201604308A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104118935
申请日：2015-06-11
申请人：東洋炭素股份有限公司 , TOYO TANSO CO., LTD.
发明人：篠原正人 , SHINOHARA, MASATO , 阿部純久 , ABE, YOSHIHISA , 野上暁 , NOGAMI, SATORU
IPC分类号： C23C16/32 , C30B25/00
CPC分类号： H01L21/68757 , C23C8/20 , C23C16/04 , C23C16/042 , C23C16/06 , C23C16/325 , C23C16/458 , C23C16/56 , C30B25/12 , H01L21/205
摘要：提供在晶圓上形成薄膜時，可抑制雜質等附著在晶圓的基座及其製造方法。其特徵為：具備有：具有凹部(11)的基材(10)；直接形成在凹部(11)的底面(11a)及側面(11b)上的碳化鉭層(22)；及形成在凹部(11)以外的基材(10)的表面上的碳化矽層(20)。
简体摘要：提供在晶圆上形成薄膜时，可抑制杂质等附着在晶圆的基座及其制造方法。其特征为：具备有：具有凹部(11)的基材(10)；直接形成在凹部(11)的底面(11a)及侧面(11b)上的碳化钽层(22)；及形成在凹部(11)以外的基材(10)的表面上的碳化硅层(20)。

9. 发明专利

TW201314839A 半導體晶圓之製造方法及半導體晶圓审中-公开
简体标题：半导体晶圆之制造方法及半导体晶圆
公开(公告)号：TW201314839A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101130853
申请日：2012-08-24
申请人：東洋炭素股份有限公司 , TOYO TANSO CO., LTD.
发明人：金子忠昭 , KANEKO, TADAAKI , 大谷昇 , OHTANI, NOBORU , 牛尾昌史 , USHIO, SHOJI , 安達步 , ADACHI, AYUMU , 野上暁 , NOGAMI, SATORU
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/02664 , C30B19/04 , C30B19/12 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/0243 , H01L21/02447 , H01L21/02529 , H01L21/02625 , H01L21/02658 , H01L21/67109 , H01L29/1608
摘要：本發明提供一種半導體晶圓的製造方法，包括：碳層形成步驟、貫穿孔形成步驟、進給層形成步驟和外延層形成步驟。在碳層形成步驟中，在由多晶SiC構成的基板(70)的表面形成碳層(71)。在貫穿孔形成步驟中，在形成在基板(70)的碳層(71)形成貫穿孔(71c)。在進給層形成步驟中，在碳層(71)的表面形成Si層(72)以及3C-SiC多晶層(73)。在外延層形成步驟中，藉由對基板(70)進行加熱，來在通過貫穿孔(71c)露出的基板(70)的表面，形成由4H-SiC單晶構成的晶種，使晶種進行接近液相外延生長，形成4H-SiC單晶層。
简体摘要：本发明提供一种半导体晶圆的制造方法，包括：碳层形成步骤、贯穿孔形成步骤、进给层形成步骤和外延层形成步骤。在碳层形成步骤中，在由多晶SiC构成的基板(70)的表面形成碳层(71)。在贯穿孔形成步骤中，在形成在基板(70)的碳层(71)形成贯穿孔(71c)。在进给层形成步骤中，在碳层(71)的表面形成Si层(72)以及3C-SiC多晶层(73)。在外延层形成步骤中，借由对基板(70)进行加热，来在通过贯穿孔(71c)露出的基板(70)的表面，形成由4H-SiC单晶构成的晶种，使晶种进行接近液相外延生长，形成4H-SiC单晶层。

10. 发明专利

TW201742103A 薄型ＳｉＣ晶圓之製造方法及薄型ＳｉＣ晶圓审中-公开
简体标题：薄型ＳｉＣ晶圆之制造方法及薄型ＳｉＣ晶圆
公开(公告)号：TW201742103A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105133290
申请日：2016-10-14
申请人：東洋炭素股份有限公司 , TOYO TANSO CO., LTD.
发明人：鳥見聡 , TORIMI, SATOSHI , 篠原正人 , SHINOHARA, MASATO , 寺元陽次 , TERAMOTO, YOUJI , 矢吹紀人 , YABUKI, NORIHITO , 野上暁 , NOGAMI, SATORU , 北畠真 , KITABATAKE, MAKOTO
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L21/02008 , H01L21/02016 , H01L21/02019 , H01L21/0475 , H01L21/304 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L23/544 , H01L2223/54433
摘要：提供一種薄型SiC晶圓之製造方法，其能以不產生龜裂等之方法薄化加工SiC晶圓，並可省略SiC晶圓之厚度調整後之研磨。於此薄型SiC晶圓(40)之製造方法中，包含有一薄化步驟，其藉由進行利用在Si蒸氣壓下對自晶錠(4)切取後的SiC晶圓(40)進行加熱而蝕刻表面之Si蒸氣壓蝕刻，將厚度減小至100μm以下。
简体摘要：提供一种薄型SiC晶圆之制造方法，其能以不产生龟裂等之方法薄化加工SiC晶圆，并可省略SiC晶圆之厚度调整后之研磨。于此薄型SiC晶圆(40)之制造方法中，包含有一薄化步骤，其借由进行利用在Si蒸气压下对自晶锭(4)切取后的SiC晶圆(40)进行加热而蚀刻表面之Si蒸气压蚀刻，将厚度减小至100μm以下。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式