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1. 发明专利

TW201326185A 製膜用材料、ＩＶ族金屬氧化物膜及伸乙烯基二醯胺（ｖｉｎｙｌｅｎｄｉａｍｉｄｅ）錯合體审中-公开
简体标题：制膜用材料、ＩＶ族金属氧化物膜及伸乙烯基二酰胺（ｖｉｎｙｌｅｎｄｉａｍｉｄｅ）错合体
公开(公告)号：TW201326185A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW101132361
申请日：2012-09-05
申请人：東曹股份有限公司 , TOSOH CORPORATION , 公益財團法人相模中央化學研究所 , SAGAMI CHEMICAL RESEARCH INSTITUTE
发明人：木下智之 , KINOSHITA, TOMOYUKI , 岩永宏平 , IWANAGA, KOHEI , 淺野祥生 , ASANO, SACHIO , 川火田貴裕 , KAWABATA, TAKAHIRO , 大島憲昭 , OSHIMA, NORIAKI , 平井聰里 , HIRAI, SATORI , 原田美德 , HARADA, YOSHINORI , 新井一喜 , ARAI, KAZUYOSHI , 多田賢一 , TADA, KENICHI
IPC分类号： C07F7/00 , C23C16/40
CPC分类号： C09D1/00 , C01B33/113 , C07F7/006 , C07F7/025 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02216 , H01L21/02282
摘要：本發明之課題係以提供一在低溫下製作在作為半導體元件或光學元件為有用的IV族金屬氧化物膜之方法。本發明為關於，在將溶解於有機溶媒中的製膜用材料塗佈於基板之表面，並藉由進行熱處理或紫外線照射處理，或該雙方之處理來製作IV族金屬氧化物膜之方法中，作為製膜用材料係使用使具有特定構造的伸乙烯基二醯胺錯合體與氧氣、空氣、臭氧、水、過氧化氫等之氧化劑反應而得到的製膜用材料。
简体摘要：本发明之课题系以提供一在低温下制作在作为半导体组件或光学组件为有用的IV族金属氧化物膜之方法。本发明为关于，在将溶解于有机溶媒中的制膜用材料涂布于基板之表面，并借由进行热处理或紫外线照射处理，或该双方之处理来制作IV族金属氧化物膜之方法中，作为制膜用材料系使用使具有特定构造的伸乙烯基二酰胺错合体与氧气、空气、臭氧、水、过氧化氢等之氧化剂反应而得到的制膜用材料。

2. 发明专利

TWI610933B 製膜用材料、ＩＶ族金屬氧化物膜及伸乙烯基二醯胺（ｖｉｎｙｌｅｎｅｄｉａｍｉｄｅ）錯合體有权
简体标题：制膜用材料、ＩＶ族金属氧化物膜及伸乙烯基二酰胺（ｖｉｎｙｌｅｎｅｄｉａｍｉｄｅ）错合体
公开(公告)号：TWI610933B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW101132361
申请日：2012-09-05
申请人：東曹股份有限公司 , TOSOH CORPORATION , 公益財團法人相模中央化學研究所 , SAGAMI CHEMICAL RESEARCH INSTITUTE
发明人：木下智之 , KINOSHITA, TOMOYUKI , 岩永宏平 , IWANAGA, KOHEI , 淺野祥生 , ASANO, SACHIO , 川火田貴裕 , KAWABATA, TAKAHIRO , 大島憲昭 , OSHIMA, NORIAKI , 平井聰里 , HIRAI, SATORI , 原田美德 , HARADA, YOSHINORI , 新井一喜 , ARAI, KAZUYOSHI , 多田賢一 , TADA, KENICHI
IPC分类号： C07F7/00 , C23C16/40
CPC分类号： C09D1/00 , C01B33/113 , C07F7/006 , C07F7/025 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02216 , H01L21/02282

3. 发明专利

TWI430966B 熔融石英玻璃及其製造方法有权
简体标题：熔融石英玻璃及其制造方法
公开(公告)号：TWI430966B
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：TW096133898
申请日：2007-09-11
申请人：東曹股份有限公司 , TOSOH CORPORATION , 東曹石英素材股份有限公司 , TOSOH SGM CORPORATION
发明人：新井一喜 , ARAI, KAZUYOSHI , 高畑努 , TAKAHATA, TSUTOMU , 橋本真吉 , HASHIMOTO, SHINKICHI , 內田雅人 , UCHIDA, MASATO , 山田修輔 , YAMADA, NOBUSUKE , 原田美德 , HARADA, YOSHINORI , 堀越秀春 , HORIKOSHI, HIDEHARU
IPC分类号： C03B20/00
CPC分类号： C03C4/0085 , C03B19/066 , C03B20/00 , C03B2201/03 , C03B2201/04 , C03C3/06 , C03C4/10 , C03C2201/23 , C03C2201/50 , C03C2201/54 , Y02P40/57

4. 发明专利

TWI293947B 高耐久性石英玻璃、其製造方法及製造裝置、以及使用此高耐久性石英玻璃之構件及裝置 HIGHLY DURABLE SILICA GLASS, PROCESS AND APPARATUS FOR PRODUCING SAME, AND MEMBER AND APPARATUS PROVIDED WITH SAME 有权
简体标题：高耐久性石英玻璃、其制造方法及制造设备、以及使用此高耐久性石英玻璃之构件及设备 HIGHLY DURABLE SILICA GLASS, PROCESS AND APPARATUS FOR PRODUCING SAME, AND MEMBER AND APPARATUS PROVIDED WITH SAME
公开(公告)号：TWI293947B
公开(公告)日：2008-03-01
申请号：TW091104499
申请日：2002-03-11
申请人：東曹股份有限公司 TOSOH CORPORATION , 東曹石英股份有限公司 , 東曹石英素材股份有限公司 TOSOH SGM CORPORATION
发明人：原田美德 , 水谷修三 , 橋本真吉 HASHIMOTO, SHINKICHI , 工藤正和 , 三浦直樹 , 高橋克文 , 清原秀樹
IPC分类号： C03B
CPC分类号： C03B19/01 , C03B19/095 , C03B19/1423 , C03B19/1453 , C03B2201/07 , C03B2201/32 , C03B2201/34 , C03B2201/40 , C03B2201/54 , C03C3/06 , C03C2201/34 , C03C2201/3411 , C03C2201/40 , C03C2201/54 , Y02P40/57
摘要：提供一種合宜的用於，使用鹵化物氣體及其電漿之半導體製造裝置或液晶製造裝置之構件之耐久性高之石英玻璃，其製造方法及製造裝置、以及使用它之構件以及具備此構件之半導體製造裝置或液晶製造裝置。(解決手段)含有由：Mg、Ca、Sr、Ba、Y、Hf及Zr所成之群中所選之一種以上之元素0.01重量%以上2重量%以下為特徵之高耐久性石英玻璃，其製造方法及製造用裝置，以及使用它之構件及裝置。
简体摘要：提供一种合宜的用于，使用卤化物气体及其等离子之半导体制造设备或液晶制造设备之构件之耐久性高之石英玻璃，其制造方法及制造设备、以及使用它之构件以及具备此构件之半导体制造设备或液晶制造设备。(解决手段)含有由：Mg、Ca、Sr、Ba、Y、Hf及Zr所成之群中所选之一种以上之元素0.01重量%以上2重量%以下为特征之高耐久性石英玻璃，其制造方法及制造用设备，以及使用它之构件及设备。

5. 发明专利

TW495418B 研磨用成形體及使用該成形體之研磨用平台失效
简体标题：研磨用成形体及使用该成形体之研磨用平台
公开(公告)号：TW495418B
公开(公告)日：2002-07-21
申请号：TW090113399
申请日：2001-06-01
申请人：東曹股份有限公司
发明人：倉持豪人 , 近藤知 , 原田美德 , 淺野睦己
IPC分类号： B24B , C01G
CPC分类号： B24B37/24 , B24D11/00
摘要：本發明係關於提供一種可適用於研磨半導體基板，氧化物基板，各種玻璃基板等之基板材料及需要精密加工之光學材料予以研磨之加工過程及化學性機械性研磨( Chemical Mech anical Polish)，可減輕廢液之問題，與使用以往之研磨布之方法相同程度以上之研磨精緻完工來更有效地研磨被研磨材料之同時，可有效地防止研磨傷痕之發生之有效地研磨之研磨用成形體及使用該成形體之研磨用平台者。
解決本發明之手段為，使用其材料硬度為含有90重量%以上的50~400kg/mm2之無機材料，相對密度為在20~70%之範圍，平均粒子為0.001~50μm之研磨用成形體及將其固定於附帶組件所成之研磨用平台者。
简体摘要：本发明系关于提供一种可适用于研磨半导体基板，氧化物基板，各种玻璃基板等之基板材料及需要精密加工之光学材料予以研磨之加工过程及化学性机械性研磨( Chemical Mech anical Polish)，可减轻废液之问题，与使用以往之研磨布之方法相同程度以上之研磨精致完工来更有效地研磨被研磨材料之同时，可有效地防止研磨伤痕之发生之有效地研磨之研磨用成形体及使用该成形体之研磨用平台者。解决本发明之手段为，使用其材料硬度为含有90重量%以上的50~400kg/mm2之无机材料，相对密度为在20~70%之范围，平均粒子为0.001~50μm之研磨用成形体及将其固定于附带组件所成之研磨用平台者。

6. 发明专利

TW200304436A 高耐久性石英玻璃,其製造方法,使用其之零件與裝置审中-公开
简体标题：高耐久性石英玻璃,其制造方法,使用其之零件与设备
公开(公告)号：TW200304436A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：TW092105100
申请日：2003-03-10
申请人：東曹股份有限公司 , 東曹石英股份有限公司 , 東曹石英素材股份有限公司
发明人：新井一喜 , 高努 , 橋本真吉 , 桐谷英昭 , 原田美德
IPC分类号： C03C
CPC分类号： C03C3/085 , C03C3/095
摘要：含有A1、與週期表第2A族元素、第3A族元素及第4A族元素所組成群中選出一種以上元素(M)之高耐久性石英玻璃。較佳為令A1與元素(M)之含量和，以金屬元素合計量為基準計為30原子%以上，又，Al與元素(A)之原子比為在0.05～20之範圍。此石英玻璃為高純度且依舊維持石英玻璃所具有之良好加工性、低發塵性，並且具有高耐久性，故適合做為使用鹵化物氣體和／或其電漿之半導體製造裝置或液晶製造裝置的零件。
简体摘要：含有A1、与周期表第2A族元素、第3A族元素及第4A族元素所组成群中选出一种以上元素(M)之高耐久性石英玻璃。较佳为令A1与元素(M)之含量和，以金属元素合计量为基准计为30原子%以上，又，Al与元素(A)之原子比为在0.05～20之范围。此石英玻璃为高纯度且依旧维持石英玻璃所具有之良好加工性、低发尘性，并且具有高耐久性，故适合做为使用卤化物气体和／或其等离子之半导体制造设备或液晶制造设备的零件。

7. 发明专利

TWI318198B 高耐久性石英玻璃，其製造方法，使用其之零件與裝置 HIGHLY DURABLE SILICA GLASS, PROCESS FOR PRODUCING SAME, MEMBER COMPRISED THEREOF, AND APPARATUS PROVIDED THEREWITH 有权
简体标题：高耐久性石英玻璃，其制造方法，使用其之零件与设备 HIGHLY DURABLE SILICA GLASS, PROCESS FOR PRODUCING SAME, MEMBER COMPRISED THEREOF, AND APPARATUS PROVIDED THEREWITH
公开(公告)号：TWI318198B
公开(公告)日：2009-12-11
申请号：TW092105100
申请日：2003-03-10
申请人：東曹股份有限公司 , 東曹石英股份有限公司 , 東曹石英素材股份有限公司
发明人：新井一喜 , 高畑努 , 橋本真吉 , 桐谷英昭 , 原田美德
IPC分类号： C03C
CPC分类号： C03C3/085 , C03C3/095
摘要：含有Al、與週期表第2A族元素、第3A族元素及第4A族元素所組成群中選出一種以上元素(M)之高耐久性石英玻璃。較佳為令Al與元素(M)之含量和，以金屬元素合計量為基準計為30原子%以上，又，Al與元素(A)之原子比為在0.05~20之範圍。
此石英玻璃為高純度且依舊維持石英玻璃所具有之良好加工性、低發塵性，並且具有高耐久性，故適合做為使用鹵化物氣體和/或其電漿之半導體製造裝置或液晶製造裝置的零件。 Highly durable silica glass comprising silica having incorporated therein aluminum and at least one element (M) selected from group 2A elements, group 3A elements and group 4A elements of the periodic table. Preferably, the sum of aluminum and element (M) is at least 30 atomic % based on the amount of total metal elements in the silica glass, and the atomic ratio of aluminum to element (M) is in the range of 0.05 to 20. The silica glass has a high purity and exhibits enhanced durability while good processability and machinability, and reduced dusting property are kept, and the glass is suitable for members of a semiconductor production apparatus or liquid crystal display production apparatus using a halogenated gas and/or its plasma.
简体摘要：含有Al、与周期表第2A族元素、第3A族元素及第4A族元素所组成群中选出一种以上元素(M)之高耐久性石英玻璃。较佳为令Al与元素(M)之含量和，以金属元素合计量为基准计为30原子%以上，又，Al与元素(A)之原子比为在0.05~20之范围。此石英玻璃为高纯度且依旧维持石英玻璃所具有之良好加工性、低发尘性，并且具有高耐久性，故适合做为使用卤化物气体和/或其等离子之半导体制造设备或液晶制造设备的零件。 Highly durable silica glass comprising silica having incorporated therein aluminum and at least one element (M) selected from group 2A elements, group 3A elements and group 4A elements of the periodic table. Preferably, the sum of aluminum and element (M) is at least 30 atomic % based on the amount of total metal elements in the silica glass, and the atomic ratio of aluminum to element (M) is in the range of 0.05 to 20. The silica glass has a high purity and exhibits enhanced durability while good processability and machinability, and reduced dusting property are kept, and the glass is suitable for members of a semiconductor production apparatus or liquid crystal display production apparatus using a halogenated gas and/or its plasma.

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