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1. 发明专利

TW200906473A 鹵素系氣體除害劑及使用其之鹵素系氣體之除害方法 AGENT FOR RENDERING HALOGEN-CONTAINING GAS HARMLESS, AND METHOD OF RENDERING HALOGEN-CONTAINING GAS HARMLESS USING SAME 审中-公开
简体标题：卤素系气体除害剂及使用其之卤素系气体之除害方法 AGENT FOR RENDERING HALOGEN-CONTAINING GAS HARMLESS, AND METHOD OF RENDERING HALOGEN-CONTAINING GAS HARMLESS USING SAME
公开(公告)号：TW200906473A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW097105936
申请日：2008-02-20
申请人：東曹股份有限公司 TOSOH CORPORATION
发明人：平野茂 HIRANO, SHIGERU
IPC分类号： B01D , B01J
摘要：本發明提供一種除害劑,其係可將鹵素系氣體高效率且選擇性地除害之沸石所構成,及使用其之鹵素系氣體之除害方法。本發明使用SiO2/Al2O3莫耳比為2.0-2.3之八面沸石型沸石,陽離子係含有鹼金屬及/或鹼土類金屬至少1種之鹵素系氣體除害劑。黏結劑含量為10%以下之成形體為佳,特別是無黏結性劑者為佳。陽離子係以選自Na及/或K所構成之群中至少1種者為佳。
简体摘要：本发明提供一种除害剂,其系可将卤素系气体高效率且选择性地除害之沸石所构成,及使用其之卤素系气体之除害方法。本发明使用SiO2/Al2O3莫耳比为2.0-2.3之八面沸石型沸石,阳离子系含有碱金属及/或碱土类金属至少1种之卤素系气体除害剂。黏结剂含量为10%以下之成形体为佳,特别是无黏结性剂者为佳。阳离子系以选自Na及/或K所构成之群中至少1种者为佳。

2. 发明专利

TW200833648A 醯亞胺錯合物,其製造方法,含金屬之薄膜及其製造方法 IMIDE COMPLEX, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, METAL-CONTAINING THIN FILM, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME 审中-公开
简体标题：酰亚胺错合物,其制造方法,含金属之薄膜及其制造方法 IMIDE COMPLEX, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, METAL-CONTAINING THIN FILM, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
公开(公告)号：TW200833648A
公开(公告)日：2008-08-16
申请号：TW096131715
申请日：2007-08-27
申请人：東曹股份有限公司 TOSOH CORPORATION , 財團法人相模中央化學研究所 SAGAMI CHEMICAL RESEARCH CENTER
发明人：多田賢一 TADA, KEN-ICHI , 古川泰志 FURUKAWA, TAISHI , 稻葉孝一郎 INABA, KOICHIRO , 肆矢忠寬 YOTSUYA, TADAHIRO , 千葉洋一 CHIBA, HIROKAZU , 山本俊樹 YAMAMOTO, TOSHIKI , 山川哲 YAMAKAWA, TETSU , 大島憲昭 OSHIMA, NORIAKI
IPC分类号： C07C , C01G , C23C
CPC分类号： C23C16/18 , C01G33/00 , C01G35/00 , C01P2002/88 , C07C211/65 , C07C251/08 , C07F9/005 , C23C16/405
摘要：本發明之課題係提供具有良好蒸氣壓,利用CVD法或ALD法等製造含鈮或鉭之薄膜時作為原料用的新穎之鈮或鉭錯合物、其製造方法,使用其之含金屬的薄膜及其製造方法。本發明為,例如係由M^1(NR^1)X3(L)r(2)與鹼金屬烷氧化物(3)反應等製造的一般式(1)所示之醯亞胺錯合物,
096131715P01.bmp
(式中,M^1為鈮原子或鉭原子,R^1為碳數1至12之烷基,R^2為碳數2至13之烷基,X為鹵原子,L為1,2-二甲氧基乙烷配位基時,r為1,L為為啶配位基時,r為2,M^2為鹼金屬),及以該醯亞胺錯合物(1)為原料製造的含鈮或鉭之薄膜。
简体摘要：本发明之课题系提供具有良好蒸气压,利用CVD法或ALD法等制造含铌或钽之薄膜时作为原料用的新颖之铌或钽错合物、其制造方法,使用其之含金属的薄膜及其制造方法。本发明为,例如系由M^1(NR^1)X3(L)r(2)与碱金属烷氧化物(3)反应等制造的一般式(1)所示之酰亚胺错合物, 096131715P01.bmp (式中,M^1为铌原子或钽原子,R^1为碳数1至12之烷基,R^2为碳数2至13之烷基,X为卤原子,L为1,2-二甲氧基乙烷配位基时,r为1,L为为啶配位基时,r为2,M^2为碱金属),及以该酰亚胺错合物(1)为原料制造的含铌或钽之薄膜。

3. 发明专利

TW200821258A 微小流路構造及使用有其之微小粒子製造方法 MICROCHANNEL STRUCTURE AND FINE-PARTICLE PRODUCTION METHOD USING THE SAME 审中-公开
简体标题：微小流路构造及使用有其之微小粒子制造方法 MICROCHANNEL STRUCTURE AND FINE-PARTICLE PRODUCTION METHOD USING THE SAME
公开(公告)号：TW200821258A
公开(公告)日：2008-05-16
申请号：TW096132523
申请日：2007-08-31
申请人：東曹股份有限公司 TOSOH CORPORATION
发明人：山中麻帆 YAMANAKA, MAHO , 川井明 KAWAI, AKIRA , 片山晃治 KATAYAMA, KOJI , 高宮裕樹 TAKAMIYA, HIROKI
IPC分类号： B81B , B01J , B01F
CPC分类号： B01F3/0807 , B01F5/0475 , B01F5/0478 , B01F13/0059 , B01F13/1013 , B01F13/1022 , B01J19/0093 , B01J2219/00783 , B01J2219/00822 , B01J2219/00824 , B01J2219/00826 , B01J2219/00828 , B01J2219/00831 , B01J2219/00833 , B01J2219/0086 , B01J2219/00889 , B01J2219/00891 , B01J2219/00903 , Y10T137/0396
摘要：【【課題】】提供一種:將微小粒子以均勻之大小而安定地產生,以及用以實現微小粒子之大量產生的微小流路構造、以及微小粒子產生方法。【【解決手段】】使用:一種微小流路構造,係具備有:與分散相導入口相通連之分散相導入流路;和與連續相導入口相通連之連續相導入流路;和與排出口相通連之排出流路;和微小粒子產生流路;和由複數之微小流路所成的分散相導入分支流路,在以微小流路產生流路之流體行進方向中的其中一端而通連於連續相導入流路的同時,以另外一端而通連於排出流路,分散相導入流路之側部與微小粒子產生流路之側部,係經由複數之分散相導入分支流路而相互通連,以此而構成一組之微小流路構造,以及:使用此微小流路構造,而在分散相導入分支流路與微小粒子產生流路的交叉部,使分散相與連續相合流,並將分散相微小粒子化的微小粒子製造方法。
简体摘要：【【课题】】提供一种:将微小粒子以均匀之大小而安定地产生,以及用以实现微小粒子之大量产生的微小流路构造、以及微小粒子产生方法。【【解决手段】】使用:一种微小流路构造,系具备有:与分散相导入口相通连之分散相导入流路;和与连续相导入口相通连之连续相导入流路;和与排出口相通连之排出流路;和微小粒子产生流路;和由复数之微小流路所成的分散相导入分支流路,在以微小流路产生流路之流体行进方向中的其中一端而通连于连续相导入流路的同时,以另外一端而通连于排出流路,分散相导入流路之侧部与微小粒子产生流路之侧部,系经由复数之分散相导入分支流路而相互通连,以此而构成一组之微小流路构造,以及:使用此微小流路构造,而在分散相导入分支流路与微小粒子产生流路的交叉部,使分散相与连续相合流,并将分散相微小粒子化的微小粒子制造方法。

4. 发明专利

TWI276675B 新穎之三芳基胺聚合物,其製造方法及其用途有权
简体标题：新颖之三芳基胺聚合物,其制造方法及其用途
公开(公告)号：TWI276675B
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：TW092121900
申请日：2003-08-08
申请人：東曹股份有限公司 TOSOH CORPORATION
发明人：鈴木孝生 SUZUKI, TAKAO , 西山正一 NISHIYAMA, MASAKAZU , 江口久雄 EGUCHI, HISAO
IPC分类号： C09K
CPC分类号： C08G73/026 , C08G73/02 , C09K11/06 , C09K2211/1433 , H01B1/128 , H01L51/0035 , H01L51/0059 , H01L51/5012 , H01L51/5048 , H05B33/14
摘要：本發明之目的為在於提供溶解性及成膜性優良，且令耐熱安定性提高之新穎的三芳基胺聚合物，其簡便的製造方法及使用其之電子元件。
提供下述一般式(1)(式中，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、 Ar5、Ar6及Ar7分別獨立表示未取代或具有取代基之碳數6~60個的芳香族基，Ar1與Ar2為相同或相異，Ar3與Ar4為相同或相異。m為1以上之整數)所示之三芳基胺聚合物，其製造方法及使用其之電子元件。
简体摘要：本发明之目的为在于提供溶解性及成膜性优良，且令耐热安定性提高之新颖的三芳基胺聚合物，其简便的制造方法及使用其之电子组件。提供下述一般式(1)(式中，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、 Ar5、Ar6及Ar7分别独立表示未取代或具有取代基之碳数6~60个的芳香族基，Ar1与Ar2为相同或相异，Ar3与Ar4为相同或相异。m为1以上之整数)所示之三芳基胺聚合物，其制造方法及使用其之电子组件。

5. 发明专利

TWI273124B 表面處理用添加劑及由其所成表面處理用組成物、以及其用途 SURFACE TREATING ADDITIVE, SURFACE TREATING COMPOSITION THEREOF, AND ITS APPLICATION 失效
简体标题：表面处理用添加剂及由其所成表面处理用组成物、以及其用途 SURFACE TREATING ADDITIVE, SURFACE TREATING COMPOSITION THEREOF, AND ITS APPLICATION
公开(公告)号：TWI273124B
公开(公告)日：2007-02-11
申请号：TW089109042
申请日：2000-05-11
申请人：東曹股份有限公司 TOSOH CORPORATION
发明人：稻毛康二 , 奈良部仁 , 深町正人 , 堀靖史 , 中村總
IPC分类号： C09D
摘要：提供能維持已採用二氧化矽等的習用表面處理劑所具的表面改質效果，同時容易分散至表面處理劑中且保管時之再分散性優越，防止表面之缺落上優越的表面處理用添加劑。配合以平均粒徑0.1～40μm之聚氯乙烯樹脂粒子，此粒子之乾燥粉末100重量分及2，2，4－三甲基－1，3－戊二醇二異丁酯60重量分，採用溶解器式混合機於25℃以800rpm混練3分鐘時之樹脂平均粒子徑0.1～70μm，且其最大徑未滿150μm之聚氯乙烯樹脂粒子而成的表面處理用添加劑，於表面處理用組成物中使含有1～50重量％。
简体摘要：提供能维持已采用二氧化硅等的习用表面处理剂所具的表面改质效果，同时容易分散至表面处理剂中且保管时之再分散性优越，防止表面之缺落上优越的表面处理用添加剂。配合以平均粒径0.1～40μm之聚氯乙烯树脂粒子，此粒子之干燥粉末100重量分及2，2，4－三甲基－1，3－戊二醇二异丁酯60重量分，采用溶解器式混合机于25℃以800rpm混练3分钟时之树脂平均粒子径0.1～70μm，且其最大径未满150μm之聚氯乙烯树脂粒子而成的表面处理用添加剂，于表面处理用组成物中使含有1～50重量％。

6. 发明专利

TW200631922A 燒結體、濺鍍標靶及成形模以及使用它的燒結體製造方法审中-公开
简体标题：烧结体、溅镀标靶及成形模以及使用它的烧结体制造方法
公开(公告)号：TW200631922A
公开(公告)日：2006-09-16
申请号：TW095103530
申请日：2006-01-27
申请人：東曹股份有限公司 TOSOH CORPORATION
发明人：伊藤謙一 ITOH, KENICHI , 召田雅實 MESUDA, MASAMI , 永山仁士 NAGAYAMA, HITOSHI , 澀田見哲夫 SHIBUTAMI, TETSUO , 八波俊祐 YATSUNAMI, SHUNSUKE
IPC分类号： C04B , C23C
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F2998/00 , B22F2998/10 , B28B3/003 , B28B7/0097 , B30B15/024 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/4682 , C04B35/47 , C04B2235/3213 , C04B2235/3217 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/721 , C04B2235/77 , C23C14/086 , H01J37/3426 , Y10T428/266 , B22F5/007 , B22F3/04 , B22F3/10
摘要：提供濺鍍標靶時的放電特性或所得到的薄膜的特性良好的大型濺鍍標靶。又，提供使用冷靜水壓壓機，未施以預備成形，就可直接得到形狀精度優異的大型成形體，而將可得到上述良好濺鍍標靶的燒結體加以可低成本地有效率地製造的燒結體的製造方法。將作為不純物所含有的碳的含有量使用作為不足0.005重量％的燒結體來製造濺鍍標靶。又，此種燒結體，是未添加含有有機物的黏結劑或成形助劑而直接藉由冷靜水壓壓機施以成形原料粉末之後，藉由施以燒成可得到。又，藉由使用具有在加壓壓縮時對於填充的原料粉末實質上僅從一軸方向施以加壓，在結束加壓後的減壓時對於成形體各向同性地可開放壓力的構造的成形模，成為可製造上述燒結體。又，良品率優異而容易地可製造將腐蝕領域的厚度加以加厚的大型標靶，而可提高標靶的使用效率。
简体摘要：提供溅镀标靶时的放电特性或所得到的薄膜的特性良好的大型溅镀标靶。又，提供使用冷静水压压机，未施以预备成形，就可直接得到形状精度优异的大型成形体，而将可得到上述良好溅镀标靶的烧结体加以可低成本地有效率地制造的烧结体的制造方法。将作为不纯物所含有的碳的含有量使用作为不足0.005重量％的烧结体来制造溅镀标靶。又，此种烧结体，是未添加含有有机物的黏结剂或成形助剂而直接借由冷静水压压机施以成形原料粉末之后，借由施以烧成可得到。又，借由使用具有在加压压缩时对于填充的原料粉末实质上仅从一轴方向施以加压，在结束加压后的减压时对于成形体各向同性地可开放压力的构造的成形模，成为可制造上述烧结体。又，良品率优异而容易地可制造将腐蚀领域的厚度加以加厚的大型标靶，而可提高标靶的使用效率。

7. 发明专利

TW200416294A 耐腐蝕性之構件及其製造方法审中-公开
简体标题：耐腐蚀性之构件及其制造方法
公开(公告)号：TW200416294A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：TW093101872
申请日：2004-01-28
申请人：東曹股份有限公司 TOSOH CORPORATION
发明人：阿部昌則 ABE, MASANORI , 高橋小彌太 TAKAHASHI, KOYATA , 新井一喜 ARAI, KAZUYOSHI , 高努 TAKAHATA, TSUTOMU , 橋本真吉 HASHIMOTO, SHINKICHI , 向後雅則 KOHGO, MASANORI
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C03C17/04 , C03C3/062 , C03C3/083 , C03C3/085 , C03C3/095 , C03C8/02 , C03C15/00 , C03C17/002 , C03C17/007 , C03C17/3417 , C03C19/00 , C03C2217/78 , C23C4/10 , C23C4/11 , C23D5/04 , Y02T50/67
摘要：本發明係提供一種耐腐蝕性之構件及其製造方法。用於CVD裝置、電漿處理裝置等的構件，與腐蝕性氣體的反應，或因電漿之蝕刻而消耗，粒子的產生而有製品的污染，良率生產性低的問題。此外，對腐蝕性氣體、電漿具耐性的玻璃，因耐熱性低、限制可使用的用途。於耐熱性高的基材上，至少包含一元素選自2a族、3a族、以及4a族所成群的元素之耐腐蝕性玻璃，特別包覆矽酸鋁或矽酸鋯系的玻璃熱噴鍍膜之構件，對於腐蝕性氣體及電漿之耐腐蝕性與耐熱強度高，粒子的產生少。
简体摘要：本发明系提供一种耐腐蚀性之构件及其制造方法。用于CVD设备、等离子处理设备等的构件，与腐蚀性气体的反应，或因等离子之蚀刻而消耗，粒子的产生而有制品的污染，良率生产性低的问题。此外，对腐蚀性气体、等离子具耐性的玻璃，因耐热性低、限制可使用的用途。于耐热性高的基材上，至少包含一元素选自2a族、3a族、以及4a族所成群的元素之耐腐蚀性玻璃，特别包覆硅酸铝或硅酸锆系的玻璃热喷镀膜之构件，对于腐蚀性气体及等离子之耐腐蚀性与耐热强度高，粒子的产生少。

8. 发明专利

TW200413416A 透明耐熱樹脂光學材料及薄膜 TRANSPARENT HEAT-RESISTANT RESIN OPTICAL MATERIAL AND FILM 审中-公开
简体标题：透明耐热树脂光学材料及薄膜 TRANSPARENT HEAT-RESISTANT RESIN OPTICAL MATERIAL AND FILM
公开(公告)号：TW200413416A
公开(公告)日：2004-08-01
申请号：TW092126098
申请日：2003-09-22
申请人：東曹股份有限公司 TOSOH CORPORATION
发明人：豊增信之 SHINSUKE TOYOMASU , 豬飼陽二郎
IPC分类号： C08F
CPC分类号： G02B5/3083 , C08F210/10 , C08F222/40 , G02B1/04 , Y10S264/901 , C08L35/00 , C08F4/34 , C08F2500/03 , C08F2500/26
摘要：一種透明耐熱樹脂光學材料，其具良好耐熱性和動力性質，具負雙折射值和高折射指數及高Abbe數，特別是光學補償膜，如：膜、片和用於LCD顯示器元件的阻滯膜。此透明耐熱樹脂光學材料製自含有特定烯烴基團單元和特定N–苯基–取代的馬來醯亞胺基團單元之共聚物，其重量平均分子量(以聚苯乙烯為標準品)是5×10^3至5×10^6，此透明耐熱樹脂光學材料具負雙折射值；阻滯膜的三維折射指數關係是nz≧ny＞nx，nz＞ny≧nx或nz＞nx≧ny。092126098p01.bmp
简体摘要：一种透明耐热树脂光学材料，其具良好耐热性和动力性质，具负双折射值和高折射指数及高Abbe数，特别是光学补偿膜，如：膜、片和用于LCD显示器组件的阻滞膜。此透明耐热树脂光学材料制自含有特定烯烃基团单元和特定N–苯基–取代的马来酰亚胺基团单元之共聚物，其重量平均分子量(以聚苯乙烯为标准品)是5×10^3至5×10^6，此透明耐热树脂光学材料具负双折射值；阻滞膜的三维折射指数关系是nz≧ny＞nx，nz＞ny≧nx或nz＞nx≧ny。092126098p01.bmp

9. 发明专利

TW575682B 濺鍍標靶及其製造方法失效
简体标题：溅镀标靶及其制造方法
公开(公告)号：TW575682B
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：TW090133315
申请日：2001-12-31
申请人：東曹股份有限公司 TOSOH CORPORATION
发明人：望月修 , 黑澤聰
IPC分类号： C23C , G11B
摘要：提供一種製作燒結体時不會發生裂紋或破裂，製造成品率高，且用大電力進行濺鍍亦不破裂之對於形成相變記錄媒体保護膜有用的濺鍍標靶。
係使用Zn，S，Si及O所成燒結体，且將燒結体內之密度雜亂無章控制於所定值以下，即，燒結体任意兩點之相對密度差之絕對值為3%以下的燒結体以構成濺鍍標靶。
简体摘要：提供一种制作烧结体时不会发生裂纹或破裂，制造成品率高，且用大电力进行溅镀亦不破裂之对于形成相变记录媒体保护膜有用的溅镀标靶。系使用Zn，S，Si及O所成烧结体，且将烧结体内之密度杂乱无章控制于所定值以下，即，烧结体任意两点之相对密度差之绝对值为3%以下的烧结体以构成溅镀标靶。

10. 发明专利

TW573017B 形成薄膜用合金、金屬燒結體及其用途失效
简体标题：形成薄膜用合金、金属烧结体及其用途
公开(公告)号：TW573017B
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：TW089127010
申请日：2000-12-16
申请人：吉奧馬科技股份有限公司 GEOMATEC CO., LTD. , 東曹股份有限公司 TOSOH CORPORATION
发明人：本松徹 , 鈴木光悦 , 黑澤聰 , 滿俊宏
IPC分类号： C22C , G02B , C03C
摘要： [課題]在於提供具有與Cr/Cr化合物同等以上光學特性及耐久性(圖型性、蝕刻特性、耐熱性及耐濕性)之遮光膜的基板、或具有遮光層和吸收層所構成之低反射膜的基板。
[解決手段]使用實質上由Ni及V所構成，含有原子比26~52%V之形成薄膜用合金或金屬燒結體所構成之濺鍍標的物，形成Ni和V之氧化物、氮化物或氧氮化物之任何一種薄膜所構成之附有遮光膜的基板、或、將 Ni和V之氧化物、氮化物或氧氮化物薄膜之任一者疊層一層以上之吸收層、與Ni和V之合金、或Ni和V之氧化物、氮化物或氧氮化物薄膜之任一者疊層一層之遮光層，以此順序疊層，作成附有低反射膜之基板。
[選擇圖]無選擇圖
简体摘要： [课题]在于提供具有与Cr/Cr化合物同等以上光学特性及耐久性(图型性、蚀刻特性、耐热性及耐湿性)之遮光膜的基板、或具有遮光层和吸收层所构成之低反射膜的基板。 [解决手段]使用实质上由Ni及V所构成，含有原子比26~52%V之形成薄膜用合金或金属烧结体所构成之溅镀标的物，形成Ni和V之氧化物、氮化物或氧氮化物之任何一种薄膜所构成之附有遮光膜的基板、或、将 Ni和V之氧化物、氮化物或氧氮化物薄膜之任一者叠层一层以上之吸收层、与Ni和V之合金、或Ni和V之氧化物、氮化物或氧氮化物薄膜之任一者叠层一层之遮光层，以此顺序叠层，作成附有低反射膜之基板。 [选择图]无选择图

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