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1. 发明专利

TW201527270A 預濕用組成物审中-公开
简体标题：预湿用组成物
公开(公告)号：TW201527270A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103136651
申请日：2014-10-23
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：谷津克也 , TANITSU, KATSUYA , 大石誠士 , OHISHI, SEIJI
IPC分类号： C07C43/13 , C07C31/02 , B05D1/40 , B05D5/00 , H01L21/22 , H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：本發明係一種含有質子性之極性溶劑及水之預濕用組成物，前述預濕用組成物係使用於太陽能電池之製造方法，該太陽能電池之製造方法係具有下述步驟：將預濕用組成物旋塗於半導體製造用基板之一面的第1塗布步驟；將包含具有第1雜質元素之擴散劑與溶劑的擴散材料，旋塗於預濕用組成物旋塗後之前述之一面，以形成上述擴散劑之塗膜的第2塗布步驟；對形成有前述塗膜之前述半導體製造用基板進行熱處理，以形成前述擴散劑所具有之雜質元素擴散後之第1雜質層的第1雜質層形成步驟。
简体摘要：本发明系一种含有质子性之极性溶剂及水之预湿用组成物，前述预湿用组成物系使用于太阳能电池之制造方法，该太阳能电池之制造方法系具有下述步骤：将预湿用组成物旋涂于半导体制造用基板之一面的第1涂布步骤；将包含具有第1杂质元素之扩散剂与溶剂的扩散材料，旋涂于预湿用组成物旋涂后之前述之一面，以形成上述扩散剂之涂膜的第2涂布步骤；对形成有前述涂膜之前述半导体制造用基板进行热处理，以形成前述扩散剂所具有之杂质元素扩散后之第1杂质层的第1杂质层形成步骤。

2. 发明专利

TW201910265A 雜質擴散劑組成物、及雜質擴散層之形成方法审中-公开
简体标题：杂质扩散剂组成物、及杂质扩散层之形成方法
公开(公告)号：TW201910265A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107119601
申请日：2018-06-07
申请人：日商東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：谷津克也 , TANITSU, KATSUYA
IPC分类号： C01B35/16 , C07F7/18 , B05D7/24 , H01L21/225
摘要：本發明之課題在於提供可在抑制硼化合物之外部擴散的同時，使硼向半導體基板中良好地擴散之塗佈型之雜質擴散劑組成物與使用該雜質擴散劑組成物在矽基板的表面上形成雜質擴散層之方法。本發明的解決手段為：在包含（A）硼化合物與（S）溶劑之塗佈型之雜質擴散劑組成物中，使用具有特定的部分構造之硼化合物作為（A）硼化合物，並且與（A）硼化合物一同使用（B）矽氧烷化合物。作為（B）矽氧烷化合物，以倍半矽氧烷為佳。
简体摘要：本发明之课题在于提供可在抑制硼化合物之外部扩散的同时，使硼向半导体基板中良好地扩散之涂布型之杂质扩散剂组成物与使用该杂质扩散剂组成物在硅基板的表面上形成杂质扩散层之方法。本发明的解决手段为：在包含（A）硼化合物与（S）溶剂之涂布型之杂质扩散剂组成物中，使用具有特定的部分构造之硼化合物作为（A）硼化合物，并且与（A）硼化合物一同使用（B）硅氧烷化合物。作为（B）硅氧烷化合物，以倍半硅氧烷为佳。

3. 发明专利

TWI618694B 預濕用組成物有权
简体标题：预湿用组成物
公开(公告)号：TWI618694B
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：TW103136651
申请日：2014-10-23
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：谷津克也 , TANITSU, KATSUYA , 大石誠士 , OHISHI, SEIJI
IPC分类号： C07C43/13 , C07C31/02 , B05D1/40 , B05D5/00 , H01L21/22 , H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/547 , Y02P70/521

4. 发明专利

TW201537755A 表面被覆膜之形成方法及具有表面被覆膜之太陽電池审中-公开
简体标题：表面被覆膜之形成方法及具有表面被覆膜之太阳电池
公开(公告)号：TW201537755A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW103144516
申请日：2014-12-19
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. , 農工大TLO股份有限公司 , TOKYO UNIVERSITY OF AGRICULTURE AND TECHNOLOGY TLO CO., LTD.
发明人：谷津克也 , TANITSU, KATSUYA , 上迫浩一 , KAMISAKO, KOICHI , 吉葉修平 , YOSHIBA, SHUHEI
IPC分类号： H01L31/0216
CPC分类号： Y02P70/521
摘要：本發明之課題為，提供一種能夠藉由以簡易的方法形成表面被覆膜而可減低最終製品的製造成本，且賦予載子之生命週期等的性能優異之最終製品的表面被覆膜之形成方法、及具有藉由該表面被覆膜之形成方法所形成的表面被覆膜之太陽電池。本發明之解決手段為，在使用包含表面被覆膜形成用化合物成分與有機溶劑成分之表面被覆膜形成用組成物來形成塗佈膜之後，將該塗佈膜進行燒成而形成表面被覆膜，該表面被覆膜形成用化合物成分係包含：包含由Si、Ti、及Zr所選出的元素且可溶於有機溶劑成分的化合物、與包含由具有原子價3之金屬元素所選出的元素且可溶於有機溶劑成分的化合物。
简体摘要：本发明之课题为，提供一种能够借由以简易的方法形成表面被覆膜而可减低最终制品的制造成本，且赋予载子之生命周期等的性能优异之最终制品的表面被覆膜之形成方法、及具有借由该表面被覆膜之形成方法所形成的表面被覆膜之太阳电池。本发明之解决手段为，在使用包含表面被覆膜形成用化合物成分与有机溶剂成分之表面被覆膜形成用组成物来形成涂布膜之后，将该涂布膜进行烧成而形成表面被覆膜，该表面被覆膜形成用化合物成分系包含：包含由Si、Ti、及Zr所选出的元素且可溶于有机溶剂成分的化合物、与包含由具有原子价3之金属元素所选出的元素且可溶于有机溶剂成分的化合物。

5. 发明专利

TW201530802A 太陽電池之製造方法审中-公开
简体标题：太阳电池之制造方法
公开(公告)号：TW201530802A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103137004
申请日：2014-10-27
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. , 日本琵維吉諮詢股份有限公司 , PVG SOLUTIONS INC.
发明人：大石誠士 , OHISHI, SEIJI , 谷津克也 , TANITSU, KATSUYA , 合田晋二 , GODA, SHINJI , 荻野貴之 , OGINO, TAKAYUKI , 加藤太司 , KATO, FUTOSHI , 今井歩 , IMAI, AYUMU , 鹿野康行 , KANO, YASUYUKI
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： H01L21/2254 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/2255 , H01L21/823807 , H01L31/02167 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：一種太陽電池之製造方法，具有：於半導體基板之一方之面旋轉塗布預濕用組成物之第1塗布步驟，把包含具有第1不純物元素的擴散劑與溶劑之擴散材料，旋轉塗布在前述預濕用組成物被旋轉塗布的前述一方之面，形成前述擴散劑的塗膜之第2塗布步驟，以及熱處理被形成前述塗膜的前述半導體基板，形成使前述擴散劑所具有的不純物元素擴散之第1不純物擴散層之第1不純物擴散層形成步驟。
简体摘要：一种太阳电池之制造方法，具有：于半导体基板之一方之面旋转涂布预湿用组成物之第1涂布步骤，把包含具有第1不纯物元素的扩散剂与溶剂之扩散材料，旋转涂布在前述预湿用组成物被旋转涂布的前述一方之面，形成前述扩散剂的涂膜之第2涂布步骤，以及热处理被形成前述涂膜的前述半导体基板，形成使前述扩散剂所具有的不纯物元素扩散之第1不纯物扩散层之第1不纯物扩散层形成步骤。

6. 发明专利

TWI630725B 表面覆膜之形成方法及具有表面覆膜之太陽電池有权
简体标题：表面覆膜之形成方法及具有表面覆膜之太阳电池
公开(公告)号：TWI630725B
公开(公告)日：2018-07-21
申请号：TW102133667
申请日：2013-09-17
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. , 國立大學法人東京農工大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOKYO UNIVERSITY OF AGRICULTURE AND TECHNOLOGY
发明人：上迫浩一 , KAMISAKO, KOICHI , 吉葉修平 , YOSHIBA, SHUHEI , 谷津克也 , TANITSU, KATSUYA
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18

7. 发明专利

TWI508140B 擴散劑組成物，雜質擴散層的形成方法，及太陽電池有权
简体标题：扩散剂组成物，杂质扩散层的形成方法，及太阳电池
公开(公告)号：TWI508140B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW099127953
申请日：2010-08-20
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：平井隆昭 , HIRAI, TAKAAKI , 室田敦史 , MUROTA, ATSUSHI , 谷津克也 , TANITSU, KATSUYA
IPC分类号： H01L21/22 , H01L31/042
CPC分类号： H01L21/228 , H01L21/2225 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521

8. 发明专利

TWI663738B 表面被覆膜之形成方法及具有表面被覆膜之太陽電池有权
简体标题：表面被覆膜之形成方法及具有表面被覆膜之太阳电池
公开(公告)号：TWI663738B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW103144516
申请日：2014-12-19
申请人：日商東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. , 日商農工大TLO股份有限公司 , TOKYO UNIVERSITY OF AGRICULTURE AND TECHNOLOGY TLO CO., LTD.
发明人：谷津克也 , TANITSU, KATSUYA , 上迫浩一 , KAMISAKO, KOICHI , 吉葉修平 , YOSHIBA, SHUHEI
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L21/316 , H01L21/473

9. 发明专利

TW201903851A 太陽電池元件用矽基板之製造方法审中-公开
简体标题：太阳电池组件用硅基板之制造方法
公开(公告)号：TW201903851A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107113785
申请日：2018-04-24
申请人：日商東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：谷津克也 , TANITSU, KATSUYA
IPC分类号： H01L21/22 , H01L31/068 , H01L31/04 , H01L31/18
摘要：本發明的課題在於提供一種太陽電池元件用矽基板之製造方法，該製造方法藉由在降低外部擴散(out-diffusion)的影響的同時，在相同溫度下同時進行硼化合物向矽基板的一側的面的擴散與磷化合物向另一側的面的擴散，從而可在短時間內高效率地製造太陽電池元件用矽基板。　　本發明的解決手段為：在2片矽基板的各自的第1面上形成含有磷化合物之層、在作為第1面的背面的第2面上形成含有硼化合物之層，接著，將2片矽基板以含有磷化合物之層彼此或含有硼化合物之層彼此接觸的方式進行配置，從而得到複合矽基板，對得到的複合矽基板進行加熱，同時進行磷化合物向複合矽基板中的矽基板的第1面的擴散與硼化合物向複合矽基板中的矽基板的第2面的擴散。
简体摘要：本发明的课题在于提供一种太阳电池组件用硅基板之制造方法，该制造方法借由在降低外部扩散(out-diffusion)的影响的同时，在相同温度下同时进行硼化合物向硅基板的一侧的面的扩散与磷化合物向另一侧的面的扩散，从而可在短时间内高效率地制造太阳电池组件用硅基板。　　本发明的解决手段为：在2片硅基板的各自的第1面上形成含有磷化合物之层、在作为第1面的背面的第2面上形成含有硼化合物之层，接着，将2片硅基板以含有磷化合物之层彼此或含有硼化合物之层彼此接触的方式进行配置，从而得到复合硅基板，对得到的复合硅基板进行加热，同时进行磷化合物向复合硅基板中的硅基板的第1面的扩散与硼化合物向复合硅基板中的硅基板的第2面的扩散。

10. 发明专利

TWI605611B 太陽電池之製造方法有权
简体标题：太阳电池之制造方法
公开(公告)号：TWI605611B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW103137004
申请日：2014-10-27
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. , 橋本資產管理合同公司 , HASHIMOTO ASSET MANAGEMENT LLC
发明人：大石誠士 , OHISHI, SEIJI , 谷津克也 , TANITSU, KATSUYA , 合田晋二 , GODA, SHINJI , 荻野貴之 , OGINO, TAKAYUKI , 加藤太司 , KATO, FUTOSHI , 今井歩 , IMAI, AYUMU , 鹿野康行 , KANO, YASUYUKI
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： H01L21/2254 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/2255 , H01L21/823807 , H01L31/02167 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521

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