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1. 发明专利

TW201704273A 過濾材料、過濾器、過濾方法、苯基亞胺化合物之製造方法、烷氧苯基亞胺化合物之製造方法、化合物审中-公开
简体标题：过滤材料、过滤器、过滤方法、苯基亚胺化合物之制造方法、烷氧苯基亚胺化合物之制造方法、化合物
公开(公告)号：TW201704273A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105108667
申请日：2016-03-21
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：平野勳 , HIRANO, ISAO
IPC分类号： C08F26/02 , B01D39/16 , B01D37/00 , C07C249/02 , C07C251/24 , G03F7/26
CPC分类号： C07C251/24 , B01D39/16 , C07C249/02 , G03F7/016
摘要：本發明係揭示使用由式(1-0)所表示之化合物或其衍生物聚合所得之高分子化合物的過濾材料；使具有芳香環與羰基，且芳香環具有羥基、氫硫基、羧基、磺酸基、硝基及磷酸基中至少1個之化合物(K)，與具有1個以上之胺基之烴化合物(A)反應，得式(1-0)所表示之苯基亞胺化合物的苯基亞胺化合物之製造方法；使苯基亞胺化合物與烷基化劑反應的烷氧苯基亞胺化合物之製造方法。[R1為含有聚合性基之烴基；R2為烴基；R3為羥基、氫硫基、羧基、磺酸基、硝基或磷酸基；n1為1~5]。
简体摘要：本发明系揭示使用由式(1-0)所表示之化合物或其衍生物聚合所得之高分子化合物的过滤材料；使具有芳香环与羰基，且芳香环具有羟基、氢硫基、羧基、磺酸基、硝基及磷酸基中至少1个之化合物(K)，与具有1个以上之胺基之烃化合物(A)反应，得式(1-0)所表示之苯基亚胺化合物的苯基亚胺化合物之制造方法；使苯基亚胺化合物与烷基化剂反应的烷氧苯基亚胺化合物之制造方法。[R1为含有聚合性基之烃基；R2为烃基；R3为羟基、氢硫基、羧基、磺酸基、硝基或磷酸基；n1为1~5]。

2. 发明专利

TWI475030B 表面改質材料、光阻圖型之形成方法及圖型之形成方法有权
简体标题：表面改质材料、光阻图型之形成方法及图型之形成方法
公开(公告)号：TWI475030B
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW100107923
申请日：2011-03-09
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：平野勳 , HIRANO, ISAO , 土屋純一 , TSUCHIYA, JUNICHI
IPC分类号： C08F20/32 , G03F7/004 , H01L21/027 , G03F7/038
CPC分类号： C08F20/28 , C08L63/00 , G03F7/11

3. 发明专利

TW201903016A 洗淨方法、洗淨裝置、記憶介質及洗淨組成物审中-公开
简体标题：洗净方法、洗净设备、记忆介质及洗净组成物
公开(公告)号：TW201903016A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107106511
申请日：2018-02-27
申请人：日商東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. , 日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：平野勳 , HIRANO, ISAO , 寺田正一 , TERADA, SHOICHI , 中村淳司 , NAKAMURA, JUNJI , 戶島孝之 , TOSHIMA, TAKAYUKI
IPC分类号： C08J11/14 , C09K13/00 , C11D7/08 , C11D7/26 , C11D7/34 , C11D7/32 , C11D11/00 , B08B3/08 , H01L21/027 , H01L21/308 , H01L21/67
摘要：本發明提供一種藉由在比以往還高溫下使被處理層分解或變性而可有效地去除被處理層之洗淨方法、洗淨裝置、記憶介質及洗淨組成物。　　在將具備被處理層的基板加熱的狀態下，對於基板供給可將被處理層分解的成分(A)的蒸氣，接下來將與成分(A)反應的被處理層由基板去除。作為成分(A)係以硝酸、或磺酸為佳。作為磺酸係以氟化烷基磺酸為佳。
简体摘要：本发明提供一种借由在比以往还高温下使被处理层分解或变性而可有效地去除被处理层之洗净方法、洗净设备、记忆介质及洗净组成物。　　在将具备被处理层的基板加热的状态下，对于基板供给可将被处理层分解的成分(A)的蒸气，接下来将与成分(A)反应的被处理层由基板去除。作为成分(A)系以硝酸、或磺酸为佳。作为磺酸系以氟化烷基磺酸为佳。

4. 发明专利

TW201622810A 過濾材料、過濾濾器、過濾材料之製造方法、過濾方法、共聚物及共聚物之製造方法审中-公开
简体标题：过滤材料、过滤滤器、过滤材料之制造方法、过滤方法、共聚物及共聚物之制造方法
公开(公告)号：TW201622810A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104125628
申请日：2015-08-06
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：平野勳 , HIRANO, ISAO
IPC分类号： B01J20/22 , C08G77/24 , C08G77/26 , C08G77/28 , C08G77/388 , C08G77/392 , G03F7/26
CPC分类号： B01J20/22 , B01D15/08 , B01J20/103 , B01J20/264 , B01J20/28004 , B01J20/28016 , B01J20/28023 , B01J20/28047 , B01J20/283 , B01J20/289 , B01J20/291 , B01J20/3204 , B01J20/3212 , B01J20/3219 , B01J20/3257 , B01J20/3293 , B01J2220/54 , C08G77/392 , C08G2101/0091 , C08J3/075 , C08J9/28 , C08J2201/026 , C08J2201/0546 , C08J2205/028 , C08J2383/08 , G03F7/16 , G03F7/26
摘要：具備具有下述通式(a0-1)表示之基的矽石基材之過濾材料[式(a0-1)中，Ya01為2價之連結基，Ra01為可具有取代基之烴基，Ra02為羥基或可具有取代基之碳數1~6之烴基，n01為0~5之整數，*表示與矽石基材之鍵結部位]。
简体摘要：具备具有下述通式(a0-1)表示之基的硅石基材之过滤材料[式(a0-1)中，Ya01为2价之链接基，Ra01为可具有取代基之烃基，Ra02为羟基或可具有取代基之碳数1~6之烃基，n01为0~5之整数，*表示与硅石基材之键结部位]。

5. 发明专利

TWI476529B 正型光阻組成物，光阻圖型之形成方法有权
简体标题：正型光阻组成物，光阻图型之形成方法
公开(公告)号：TWI476529B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：TW099103984
申请日：2010-02-09
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：平野勳 , HIRANO, ISAO , 鈴木優一 , SUZUKI, YUICHI
IPC分类号： G03F7/039 , C08F20/38 , C08K5/17 , H01L21/027

6. 发明专利

TW201827584A 洗淨組成物、洗淨方法及半導體之製造方法审中-公开
简体标题：洗净组成物、洗净方法及半导体之制造方法
公开(公告)号：TW201827584A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106133044
申请日：2017-09-27
申请人：日商東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. , 日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：平野勳 , HIRANO, ISAO , 脇屋和正 , WAKIYA, KAZUMASA , 寺田正一 , TERADA, SHOICHI , 中村淳司 , NAKAMURA, JUNJI , 戶島孝之 , TOSHIMA, TAKAYUKI
IPC分类号： C11D7/04 , C11D7/18 , C11D7/22 , H01L21/304
摘要：提供一種洗淨組成物，其係使用半導體製造裝置中所搭載的塗佈機或烘烤爐(硬化爐)、洗淨腔室等非特別之裝置，可抑制基板或層間絕緣膜等的被處理層以外的其他層之損傷或形狀變化之同時，可良好地除去被處理層，以及提供使用該洗淨組成物的洗淨方法、與使用該洗淨方法的半導體之製造方法。　　使用含有可分解被處理層的成分(A)、及膜形成性聚合物(B)而成的洗淨組成物，來洗淨形成於基板上的被處理層。作為被處理層，可舉例硬遮罩膜。作為成分(A)，可舉例選自鹼性化合物(A1)、及酸性化合物(A2)之至少1種。
简体摘要：提供一种洗净组成物，其系使用半导体制造设备中所搭载的涂布机或烘烤炉(硬化炉)、洗净腔室等非特别之设备，可抑制基板或层间绝缘膜等的被处理层以外的其他层之损伤或形状变化之同时，可良好地除去被处理层，以及提供使用该洗净组成物的洗净方法、与使用该洗净方法的半导体之制造方法。　　使用含有可分解被处理层的成分(A)、及膜形成性聚合物(B)而成的洗净组成物，来洗净形成于基板上的被处理层。作为被处理层，可举例硬遮罩膜。作为成分(A)，可举例选自碱性化合物(A1)、及酸性化合物(A2)之至少1种。

7. 发明专利

TW201718071A 過濾材料、過濾器及過濾方法审中-公开
简体标题：过滤材料、过滤器及过滤方法
公开(公告)号：TW201718071A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105126247
申请日：2016-08-17
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：平野勳 , HIRANO, ISAO
IPC分类号： B01D39/04 , B01J20/26 , C08F8/32 , G03F7/32
CPC分类号： C08F8/32 , B01J20/265 , G03F7/16 , G03F7/322
摘要：一種過濾材料，其係用以過濾微影用藥液所使用的過濾材料，其特徵為使用具有下述一般式(a0-1)所示之基的基材。 [一般式(a0-1)中，Ya01為2價之連接基。W為含雜原子之基。惟，W為具有與前述Ya01鍵結的氮原子，且除了與前述Ya01鍵結之氮原子以外，另含2個以上之雜原子者。n為自然數。＊表示與基材的鍵結部]。
简体摘要：一种过滤材料，其系用以过滤微影用药液所使用的过滤材料，其特征为使用具有下述一般式(a0-1)所示之基的基材。 [一般式(a0-1)中，Ya01为2价之连接基。W为含杂原子之基。惟，W为具有与前述Ya01键结的氮原子，且除了与前述Ya01键结之氮原子以外，另含2个以上之杂原子者。n为自然数。＊表示与基材的键结部]。

8. 发明专利

TWI541606B 抗蝕圖型之形成方法及圖型微細化處理劑有权
简体标题：抗蚀图型之形成方法及图型微细化处理剂
公开(公告)号：TWI541606B
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：TW100119377
申请日：2011-06-02
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：平野勳 , HIRANO, ISAO
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/32 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/30 , G03F7/405

9. 发明专利

TWI465844B 光阻組成物，光阻圖型之形成方法，化合物，及酸產生劑有权
简体标题：光阻组成物，光阻图型之形成方法，化合物，及酸产生剂
公开(公告)号：TWI465844B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW098133715
申请日：2009-10-05
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：川上晃也 , KAWAUE, AKIYA , 內海義之 , UTSUMI, YOSHIYUKI , 松澤賢介 , MATSUZAWA, KENSUKE , 平野勳 , HIRANO, ISAO , 清水宏明 , SHIMIZU, HIROAKI
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/20 , C07C321/28

10. 发明专利

TW201042391A 正型光阻組成物，光阻圖型之形成方法审中-公开
简体标题：正型光阻组成物，光阻图型之形成方法
公开(公告)号：TW201042391A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：TW099103984
申请日：2010-02-09
申请人：東京應化工業股份有限公司
发明人：平野勳 , 鈴木優一
IPC分类号： G03F , C08F , C08K , H01L
摘要： [課題]提供一種具有優良之解析性及MEF等之微影蝕刻特性的正型光阻組成物，及使用該正型光阻組成物之光阻圖型之形成方法。[解決手段]一種正型光阻組成物，其為含有經由酸之作用而增大對鹼顯影液之溶解性的基材成份(A)、經由曝光而發生酸之酸產生劑成份(B)，及含氮有機化合物(D)之正型光阻組成物，其中，前述基材成份(A)為具有通式(a0-1)所表示之結構單位(a0)，且，其結構中含有含酸解離性溶解抑制基之高分子化合物(A1)，前述含氮有機化合物(D)為含有，含有由醚性氧原子、酯基、羰基、氰基、可具有取代基之苯基，及含氮雜環式基所成群中所選擇之至少1種之胺(D1)。
[R 2 為2價之鍵結基，R 3 為其環骨架中含有-SO2-之環式基]
简体摘要： [课题]提供一种具有优良之解析性及MEF等之微影蚀刻特性的正型光阻组成物，及使用该正型光阻组成物之光阻图型之形成方法。[解决手段]一种正型光阻组成物，其为含有经由酸之作用而增大对碱显影液之溶解性的基材成份(A)、经由曝光而发生酸之酸产生剂成份(B)，及含氮有机化合物(D)之正型光阻组成物，其中，前述基材成份(A)为具有通式(a0-1)所表示之结构单位(a0)，且，其结构中含有含酸解离性溶解抑制基之高分子化合物(A1)，前述含氮有机化合物(D)为含有，含有由醚性氧原子、酯基、羰基、氰基、可具有取代基之苯基，及含氮杂环式基所成群中所选择之至少1种之胺(D1)。 [R 2 为2价之键结基，R 3 为其环骨架中含有-SO2-之环式基]

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