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1. 发明专利

TW201126285A 表面處理劑及表面處理方法审中-公开
简体标题：表面处理剂及表面处理方法
公开(公告)号：TW201126285A
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW099138664
申请日：2010-11-10
申请人：東京應化工業股份有限公司
发明人：吉田正昭 , 菅原每 , 上野直久 , 越山淳
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： C07F7/10 , G03F7/11
摘要：本發明係提供一種即使基板表面之材質為TiN或SiN時,亦可高度地疏水化之表面處理劑、及使用如此之表面處理劑之表面處理法。本發明之表面處理劑,係含有環狀矽氮烷化合物。此環狀矽氮烷化合物宜為2,2,5,5-四甲基-2,5-二矽-1-氮雜環戊烷、2,2,6,6-四甲基-2,6-二矽-1-氮雜環己烷等之環狀二矽氮烷化合物,或2,2,4,4,6,6-六甲基環三矽氮烷、2,4,6-三甲基-2,4,6-三乙烯基環三矽氮烷等之環狀三矽氮烷化合物。於表面處理之時,可於基板表面使本發明之表面處理劑曝露,使基板表面疏水化。
简体摘要：本发明系提供一种即使基板表面之材质为TiN或SiN时,亦可高度地疏水化之表面处理剂、及使用如此之表面处理剂之表面处理法。本发明之表面处理剂,系含有环状硅氮烷化合物。此环状硅氮烷化合物宜为2,2,5,5-四甲基-2,5-二硅-1-氮杂环戊烷、2,2,6,6-四甲基-2,6-二硅-1-氮杂环己烷等之环状二硅氮烷化合物,或2,2,4,4,6,6-六甲基环三硅氮烷、2,4,6-三甲基-2,4,6-三乙烯基环三硅氮烷等之环状三硅氮烷化合物。于表面处理之时,可于基板表面使本发明之表面处理剂曝露,使基板表面疏水化。

2. 发明专利

TW201621088A 微影蝕刻用洗淨液、及基板之洗淨方法审中-公开
简体标题：微影蚀刻用洗净液、及基板之洗净方法
公开(公告)号：TW201621088A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104135440
申请日：2015-10-28
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：熊谷智 , KUMAGAI, TOMOYA , 上野直久 , UENO, NAOHISA , 菅原每 , SUGAWARA, MAI
IPC分类号： C23G1/20 , C23F1/02 , H01L21/308
CPC分类号： C11D7/3281 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , C23F11/10 , C23G1/16
摘要：本發明課題在於提供一種不僅蝕刻處理後所殘留之殘渣物的去除性能優異，對選自由鈷及其合金所成之群中的至少1種金屬的腐蝕抑制機能亦優良的微影蝕刻用洗淨液、及使用該洗淨液的基板之洗淨方法。解決手段為，本發明之微影蝕刻用洗淨液係含有羥胺、由羥胺以外之胺化合物及四級銨氫氧化物所成之群中選出的至少1種鹼性化合物、及水，且pH為8以上。上述洗淨液較佳使用於包含選自由鈷及其合金所成之群中的至少1種金屬的基板之洗淨。又，上述洗淨液中，較佳的是羥胺的含量為6質量%以上、及/或、pH為11以上。或者，上述洗淨液較佳進一步含有有機酸。
简体摘要：本发明课题在于提供一种不仅蚀刻处理后所残留之残渣物的去除性能优异，对选自由钴及其合金所成之群中的至少1种金属的腐蚀抑制机能亦优良的微影蚀刻用洗净液、及使用该洗净液的基板之洗净方法。解决手段为，本发明之微影蚀刻用洗净液系含有羟胺、由羟胺以外之胺化合物及四级铵氢氧化物所成之群中选出的至少1种碱性化合物、及水，且pH为8以上。上述洗净液较佳使用于包含选自由钴及其合金所成之群中的至少1种金属的基板之洗净。又，上述洗净液中，较佳的是羟胺的含量为6质量%以上、及/或、pH为11以上。或者，上述洗净液较佳进一步含有有机酸。

3. 发明专利

TW201129881A 表面處理劑及表面處理方法审中-公开
简体标题：表面处理剂及表面处理方法
公开(公告)号：TW201129881A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：TW099132601
申请日：2010-09-27
申请人：東京應化工業股份有限公司
发明人：吉田正昭 , 菅原每 , 越山淳
IPC分类号： G03F
CPC分类号： C09D7/20
摘要：本發明提供能有效抑制基板上所設置之無機圖型或樹脂圖型的圖型倒塌之表面處理劑、及經使用此種表面處理劑之表面處理方法、以及能對基板表面實施高度的矽烷基化處理之表面處理劑、及經使用此種表面處理劑之表面處理方法。本發明使用一種表面處理劑，係為基板表面之疏水化處理所使用，其特徵為：含有：含有具有二矽氮烷構造之至少1種化合物之矽烷基化劑、及含有5或6員環之內酯化合物之溶劑。
简体摘要：本发明提供能有效抑制基板上所设置之无机图型或树脂图型的图型倒塌之表面处理剂、及经使用此种表面处理剂之表面处理方法、以及能对基板表面实施高度的硅烷基化处理之表面处理剂、及经使用此种表面处理剂之表面处理方法。本发明使用一种表面处理剂，系为基板表面之疏水化处理所使用，其特征为：含有：含有具有二硅氮烷构造之至少1种化合物之硅烷基化剂、及含有5或6员环之内酯化合物之溶剂。

4. 发明专利

TWI500751B 表面處理劑及表面處理方法有权
简体标题：表面处理剂及表面处理方法
公开(公告)号：TWI500751B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW099138664
申请日：2010-11-10
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：吉田正昭 , YOSHIDA, MASAAKI , 菅原每 , SUGAWARA, MAI , 上野直久 , UENO, NAOHISA , 越山淳 , KOSHIYAMA, JUN
IPC分类号： C09K3/18 , B05D7/24 , H01L21/027
CPC分类号： C07F7/10 , G03F7/11

5. 发明专利

TW201510678A 有機溶劑顯影液审中-公开
简体标题：有机溶剂显影液
公开(公告)号：TW201510678A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103124747
申请日：2014-08-06
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：菅原每 , SUGAWARA, MAI , 石川清 , ISHIKAWA, KIYOSHI
IPC分类号： G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/325 , G03F7/0397
摘要：本發明提供一種可形成耐熱性及耐乾蝕刻性優異之阻劑圖型之有機溶劑顯影液，及使用該有機溶劑顯影液，邊使阻劑圖型顯影邊於阻劑圖型上形成由含金屬化合物所成之被膜之阻劑圖型形成方法。本發明之阻劑圖型形成方法係使用有機溶劑顯影液，該有機溶劑顯影液係使可藉水解生成羥基之金屬化合物(W)溶解於有機溶劑(S)中，且該有機溶劑(S)不具有與金屬化合物(W)反應之官能基。
简体摘要：本发明提供一种可形成耐热性及耐干蚀刻性优异之阻剂图型之有机溶剂显影液，及使用该有机溶剂显影液，边使阻剂图型显影边于阻剂图型上形成由含金属化合物所成之被膜之阻剂图型形成方法。本发明之阻剂图型形成方法系使用有机溶剂显影液，该有机溶剂显影液系使可藉水解生成羟基之金属化合物(W)溶解于有机溶剂(S)中，且该有机溶剂(S)不具有与金属化合物(W)反应之官能基。

6. 发明专利

TW201348895A 微細圖型形成方法、及圖型微細化用被覆劑审中-公开
简体标题：微细图型形成方法、及图型微细化用被覆剂
公开(公告)号：TW201348895A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102101104
申请日：2013-01-11
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：並木拓海 , NAMIKI, TAKUMI , 白井由利子 , SHIRAI, YURIKO , 菅原每 , SUGAWARA, MAI
IPC分类号： G03F7/32 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/20 , G03F7/40
摘要：本發明係關於一種藉由下述微細圖型形成方法形成抗蝕圖型，該方法為含有以下步驟者；將含有(A)藉由酸的作用對於含有有機溶劑之顯像液的溶解度會減少之基材、(B)藉由活性光線或放射線的照射產生酸之化合物、與(C1)有機溶劑的抗蝕組成物塗佈於基板上形成抗蝕膜的抗蝕膜形成步驟、曝光抗蝕膜的曝光步驟、將曝光後的抗蝕膜藉由顯像液進行顯像而形成抗蝕圖型之顯像步驟、於抗蝕圖型上塗佈含有(D)樹脂與(C2)僅由有機溶劑所成的溶劑之圖型微細化用被覆劑後形成被覆膜之被覆膜形成步驟、及加熱具備被覆膜之抗蝕圖型，使抗蝕圖型狹小化之圖型狹小化步驟者。
简体摘要：本发明系关于一种借由下述微细图型形成方法形成抗蚀图型，该方法为含有以下步骤者；将含有(A)借由酸的作用对于含有有机溶剂之显像液的溶解度会减少之基材、(B)借由活性光线或放射线的照射产生酸之化合物、与(C1)有机溶剂的抗蚀组成物涂布于基板上形成抗蚀膜的抗蚀膜形成步骤、曝光抗蚀膜的曝光步骤、将曝光后的抗蚀膜借由显像液进行显像而形成抗蚀图型之显像步骤、于抗蚀图型上涂布含有(D)树脂与(C2)仅由有机溶剂所成的溶剂之图型微细化用被覆剂后形成被覆膜之被覆膜形成步骤、及加热具备被覆膜之抗蚀图型，使抗蚀图型狭小化之图型狭小化步骤者。

7. 发明专利

TW202022079A 表面處理劑及表面處理方法审中-公开
简体标题：表面处理剂及表面处理方法
公开(公告)号：TW202022079A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108131813
申请日：2019-09-04
申请人：日商東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：並木拓海 , NAMIKI, TAKUMI , 內田江美 , UCHIDA, EMI , 菅原每 , SUGAWARA, MAI
IPC分类号： C09K3/00 , G03F7/16 , H01L21/302
摘要：一種含有矽烷化劑(A)與分子內具有醯胺骨架的化合物(C)之表面處理劑。以及使用前述表面處理劑，進行被處理對象的表面處理的表面處理方法。
简体摘要：一种含有硅烷化剂(A)与分子内具有酰胺骨架的化合物(C)之表面处理剂。以及使用前述表面处理剂，进行被处理对象的表面处理的表面处理方法。

8. 发明专利

TWI684676B 微影蝕刻用洗淨液、及基板之洗淨方法有权
简体标题：微影蚀刻用洗净液、及基板之洗净方法
公开(公告)号：TWI684676B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：TW104135440
申请日：2015-10-28
申请人：日商東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：熊谷智 , KUMAGAI, TOMOYA , 上野直久 , UENO, NAOHISA , 菅原每 , SUGAWARA, MAI
IPC分类号： C23G1/20 , C23F1/02 , H01L21/308

9. 发明专利

TWI502290B 表面處理劑及表面處理方法有权
简体标题：表面处理剂及表面处理方法
公开(公告)号：TWI502290B
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW099128861
申请日：2010-08-27
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：吉田正昭 , YOSHIDA, MASAAKI , 菅原每 , SUGAWARA, MAI , 越山淳 , KOSHIYAMA, JUN
IPC分类号： G03F7/38 , H01L21/027 , C07F7/00
CPC分类号： C07F7/10 , H01L21/0271 , H01L21/306 , H01L21/3105

10. 发明专利

TWI687542B 膜形成用材料有权
公开(公告)号：TWI687542B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW103124748
申请日：2014-07-18
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：森大二郎 , MORI, DAIJIRO , 熊澤明 , KUMAZAWA, AKIRA , 菅原每 , SUGAWARA, MAI
IPC分类号： C23C18/18 , C23C18/16 , B05D7/24 , B05D3/10 , B05D5/00 , H01L21/316

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