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1. 发明专利

TW201432037A 基板表面之改質方法，改質膜，及基板表面之改質所使用的被覆溶液审中-公开
简体标题：基板表面之改质方法，改质膜，及基板表面之改质所使用的被覆溶液
公开(公告)号：TW201432037A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102131038
申请日：2013-08-29
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：菅原每 , SUGAWARA, MAI , 熊澤明 , KUMAZAWA, AKIRA , 橫井滋 , YOKOI, SHIGERU
IPC分类号： C09K3/18 , C07F7/08 , C07F7/10 , B05C9/06 , B05D1/36 , B05D5/00 , B05D3/10 , H01L21/027
CPC分类号： C09K3/18 , B05D1/18 , B05D5/08 , B05D2202/00 , C07F7/10 , Y10T428/31663
摘要：本發明提供不論基板的材質，可良好地改質基板表面之以矽烷化劑進行之基板表面之改質方法。又，係提供不論基板的材質，與基板表面良好地密合，賦予表面改質為所期望程度之基板的改質膜。進一步地，係提供可將能夠使藉由矽烷化劑所形成之矽烷化合物層良好地固著於其表面之被覆膜形成於基板表面的被覆溶液。將基板之表面以藉由水解而可生成羥基之金屬化合物處理後，將經前述金屬化合物處理之基板之表面，以矽烷化劑處理。
简体摘要：本发明提供不论基板的材质，可良好地改质基板表面之以硅烷化剂进行之基板表面之改质方法。又，系提供不论基板的材质，与基板表面良好地密合，赋予表面改质为所期望程度之基板的改质膜。进一步地，系提供可将能够使借由硅烷化剂所形成之硅烷化合物层良好地固着于其表面之被覆膜形成于基板表面的被覆溶液。将基板之表面以借由水解而可生成羟基之金属化合物处理后，将经前述金属化合物处理之基板之表面，以硅烷化剂处理。

2. 发明专利

TW563005B 光阻用剝離液及使用其剝離光阻之方法有权
简体标题：光阻用剥离液及使用其剥离光阻之方法
公开(公告)号：TW563005B
公开(公告)日：2003-11-21
申请号：TW091119443
申请日：2002-08-27
申请人：東京應化工業股份有限公司
发明人：橫井滋 , 屋和正
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/422 , C11D7/265 , C11D7/3218 , C11D7/34 , C11D11/0047 , G03F7/425
摘要：本發明之目的在提供：含(a)具羧基之酸性化合物，(b)選自烷醇胺類，及特定之四級銨氫氧化物中之至少1種鹼性化合物(例如單乙醇胺、氫氧化四烷基銨等)，(c)含硫抗蝕劑，以及(d)水，而PH3.5至5.5之光阻用剝離液，及使用其剝離光阻之方法。本發明之光阻用剝離液係金屬配線，尤以Cu配線之抗蝕性優，不傷及低介電層、有機SOG層等之層間膜，且光阻膜及打磨後殘渣物之剝離性優之光限用剝離液。
简体摘要：本发明之目的在提供：含(a)具羧基之酸性化合物，(b)选自烷醇胺类，及特定之四级铵氢氧化物中之至少1种碱性化合物(例如单乙醇胺、氢氧化四烷基铵等)，(c)含硫抗蚀剂，以及(d)水，而PH3.5至5.5之光阻用剥离液，及使用其剥离光阻之方法。本发明之光阻用剥离液系金属配线，尤以Cu配线之抗蚀性优，不伤及低介电层、有机SOG层等之层间膜，且光阻膜及打磨后残渣物之剥离性优之光限用剥离液。

3. 发明专利

TW558770B 薄膜之處理方法及使用此方法之半導體元件之製造方法失效
简体标题：薄膜之处理方法及使用此方法之半导体组件之制造方法
公开(公告)号：TW558770B
公开(公告)日：2003-10-21
申请号：TW091109013
申请日：2002-04-30
申请人：東京應化工業股份有限公司
发明人：藤井恭 , 飯田啓之 , 佐藤功 , 屋和正 , 橫井滋
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31116 , H01L21/316 , H01L21/76802
摘要：本發明係提供濕式剝離蝕刻圖案時不易損傷二氧化矽薄膜(層間絕緣膜)的處理方法。
其係對於基板上形成之低介電系數的二氧化矽系薄膜，介由蝕刻圖案蝕刻處理後，以由氦氣衍生的電漿處理上述蝕刻處理後的二氧化矽系薄膜。基此，於下一步驟的蝕刻圖案的濕式剝離處理時，不易損傷二氧化矽系薄膜，而可維持低介電係數。
简体摘要：本发明系提供湿式剥离蚀刻图案时不易损伤二氧化硅薄膜(层间绝缘膜)的处理方法。其系对于基板上形成之低介电系数的二氧化硅系薄膜，介由蚀刻图案蚀刻处理后，以由氦气衍生的等离子处理上述蚀刻处理后的二氧化硅系薄膜。基此，于下一步骤的蚀刻图案的湿式剥离处理时，不易损伤二氧化硅系薄膜，而可维持低介电系数。

4. 发明专利

TW201405653A 矽異向性蝕刻方法审中-公开
简体标题：硅异向性蚀刻方法
公开(公告)号：TW201405653A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW102115034
申请日：2013-04-26
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：白井由利子 , SHIRAI, YURIKO , 熊澤明 , KUMAZAWA, AKIRA , 橫井滋 , YOKOI, SHIGERU , 熊谷智 , KUMAGAI, TOMOYA
IPC分类号： H01L21/306
摘要：本發明提供一種可形成對矽基板之主表面成50~60°之角度且平坦性良好之傾斜面之濕式矽異向性蝕刻方法。本發明之矽異向性蝕刻方法係使用包含除TMAH以外之四級銨氫氧化物，於25~70℃之蝕刻選擇比(矽基板(2)之{111}面與{100}面之間之蝕刻速度比)為0.25~0.80之矽異向性蝕刻液，蝕刻加工矽基板(2)者，該方法包含在{100}面上設置具備具有沿著＜110＞方向之邊的開口(1a)之蝕刻遮罩(1)之步驟；及藉由將設置有蝕刻遮罩(1)之矽基板(2)浸漬於上述矽異向性蝕刻液中，而朝向矽基板(2)之深度方向形成具有平行於＜110＞方向之平行邊且對於{100}面成50~60°之角度之傾斜面(P2)之步驟。
简体摘要：本发明提供一种可形成对硅基板之主表面成50~60°之角度且平坦性良好之倾斜面之湿式硅异向性蚀刻方法。本发明之硅异向性蚀刻方法系使用包含除TMAH以外之四级铵氢氧化物，于25~70℃之蚀刻选择比(硅基板(2)之{111}面与{100}面之间之蚀刻速度比)为0.25~0.80之硅异向性蚀刻液，蚀刻加工硅基板(2)者，该方法包含在{100}面上设置具备具有沿着＜110＞方向之边的开口(1a)之蚀刻遮罩(1)之步骤；及借由将设置有蚀刻遮罩(1)之硅基板(2)浸渍于上述硅异向性蚀刻液中，而朝向硅基板(2)之深度方向形成具有平行于＜110＞方向之平行边且对于{100}面成50~60°之角度之倾斜面(P2)之步骤。

5. 发明专利

TW201347996A 處理方法及處理裝置审中-公开
简体标题：处理方法及处理设备
公开(公告)号：TW201347996A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102102658
申请日：2013-01-24
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：稲尾吉浩 , INAO, YOSHIHIRO , 楫間淳生 , KAJIMA, ATSUO , 長谷川磨 , HASEGAWA, TAKUMA , 田村弘毅 , TAMURA, KOKI , 橫井滋 , YOKOI, SHIGERU
IPC分类号： B32B43/00 , B23K26/18 , H01L21/302
CPC分类号： B32B43/006 , B32B38/10 , B32B2307/748 , H01L21/02057 , H01L21/31111 , H01L21/31133 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , Y10T156/1111 , Y10T156/1158 , Y10T156/1195 , Y10T156/1917 , Y10T156/1994
摘要：本發明係關於一種處理方法，其包含對依序層合晶圓(1)、接著層(10)、分離層(11)與支撐體所成之層合體的分離層(11)照射光使之變質，自層合體去除支撐體後，將去除分離層(11)之剝離液塗佈於分離層(11)而去除分離層(11)之分離層去除步驟，及將溶解接著層(10)之溶解液塗佈於接著層(10)而使接著層(10)溶解之接著層溶解步驟。
简体摘要：本发明系关于一种处理方法，其包含对依序层合晶圆(1)、接着层(10)、分离层(11)与支撑体所成之层合体的分离层(11)照射光使之变质，自层合体去除支撑体后，将去除分离层(11)之剥离液涂布于分离层(11)而去除分离层(11)之分离层去除步骤，及将溶解接着层(10)之溶解液涂布于接着层(10)而使接着层(10)溶解之接着层溶解步骤。

6. 发明专利

TWI581327B 矽異向性蝕刻方法有权
简体标题：硅异向性蚀刻方法
公开(公告)号：TWI581327B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW102115034
申请日：2013-04-26
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：白井由利子 , SHIRAI, YURIKO , 熊澤明 , KUMAZAWA, AKIRA , 橫井滋 , YOKOI, SHIGERU , 熊谷智 , KUMAGAI, TOMOYA
IPC分类号： H01L21/306

7. 发明专利

TWI510369B 處理方法及處理裝置有权
简体标题：处理方法及处理设备
公开(公告)号：TWI510369B
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW102102658
申请日：2013-01-24
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：稲尾吉浩 , INAO, YOSHIHIRO , 楫間淳生 , KAJIMA, ATSUO , 長谷川磨 , HASEGAWA, TAKUMA , 田村弘毅 , TAMURA, KOKI , 橫井滋 , YOKOI, SHIGERU
IPC分类号： B32B43/00 , B23K26/18 , H01L21/302
CPC分类号： B32B43/006 , B32B38/10 , B32B2307/748 , H01L21/02057 , H01L21/31111 , H01L21/31133 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , Y10T156/1111 , Y10T156/1158 , Y10T156/1195 , Y10T156/1917 , Y10T156/1994

8. 发明专利

TWI495966B 多層光阻層合體用剝離液及多層光阻層合體之處理方法有权
简体标题：多层光阻层合体用剥离液及多层光阻层合体之处理方法
公开(公告)号：TWI495966B
公开(公告)日：2015-08-11
申请号：TW099108368
申请日：2010-03-22
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：原口高之 , HARAGUCHI, TAKAYUKI , 米村幸治 , YONEMURA, KOJI , 山下直紀 , YAMASHITA, NAOKI , 橫井滋 , YOKOI, SHIGERU , 熊澤明 , KUMAZAWA, AKIRA , 江藤崇弘 , ETO, TAKAHIRO
IPC分类号： G03F7/42 , C11D7/32 , C11D7/50

9. 发明专利

TWI367396B 光阻保護膜形成用組成物及使用此組成物之光阻圖案的形成方法有权
简体标题：光阻保护膜形成用组成物及使用此组成物之光阻图案的形成方法
公开(公告)号：TWI367396B
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW096134999
申请日：2007-09-19
申请人：東京應化工業股份有限公司
发明人：高山壽一 , 石塚啓太 , 前盛諭 , 橫井滋
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/2041
摘要：【課題】提供一種光阻保護膜形成用組成物、及使用此光阻保護膜形成用組成物以形成光阻圖案之方法，其對於光阻膜之損傷少、能形成良好的矩形形狀之光阻圖案，且不論光阻組成物中的樹脂為何種構造都能夠使用而沒有任何限制對於其使用上均無限制。
【解決手段】一種光阻保護膜形成用組成物，其含有(a)鹼可溶性聚合物、及(b)由醚類溶劑與醇類溶劑之混合溶劑所組成之有機溶劑，以及使用該光阻保護膜形成用組成物之光阻圖案的形成方法。
简体摘要：【课题】提供一种光阻保护膜形成用组成物、及使用此光阻保护膜形成用组成物以形成光阻图案之方法，其对于光阻膜之损伤少、能形成良好的矩形形状之光阻图案，且不论光阻组成物中的树脂为何种构造都能够使用而没有任何限制对于其使用上均无限制。【解决手段】一种光阻保护膜形成用组成物，其含有(a)碱可溶性聚合物、及(b)由醚类溶剂与醇类溶剂之混合溶剂所组成之有机溶剂，以及使用该光阻保护膜形成用组成物之光阻图案的形成方法。

10. 发明专利

TWI550082B 微影製程用洗淨液及配線形成方法有权
简体标题：微影制程用洗净液及配线形成方法
公开(公告)号：TWI550082B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：TW100103442
申请日：2011-01-28
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：大橋卓矢 , OHHASHI, TAKUYA , 高濱昌 , TAKAHAMA, MASARU , 江藤崇弘 , ETO, TAKAHIRO , 森大二郎 , MORI, DAIJIRO , 橫井滋 , YOKOI, SHIGERU
IPC分类号： C11D7/50 , C11D7/06 , G03F7/42 , H01L21/027 , H01L21/30
CPC分类号： H01L21/31133 , C11D7/06 , C11D7/3209 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/02063 , H01L21/76814

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